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一种儿茶酚化合物纳米粒子改性的聚合物复合膜的制备方法
本发明公开了一种儿茶酚化合物纳米粒子改性的聚合物复合膜的制备方法。它包括如下步骤:(1)将芳香族多元胺溶解在去离子水中,得到浓度为1.0~5.0克/升的芳香族多元胺水溶液;将儿茶酚化合物纳米粒子加入到芳香类多元胺水溶液中,得到水相溶液,儿茶酚化合物纳米粒子的浓度为0.001~1.0克/升;将芳香族多元酰氯溶解于正己烷中,得到浓度为0.05~0.2克/升的油相溶液;(2)将聚合物基膜浸泡在水相溶液中1~5分钟,取出后吹干表面残余水滴,再浸泡在油相溶液中,取出后在烘箱中热处理,得到儿茶酚化合物纳米粒子改性的聚合物复合膜。本发明制备的聚合物复合膜具有亲水性好、水通量大、抗污染、抗氧化能力强的优点。
浙江大学 2021-04-13
含稀土元素的两种结构钢焊条
含镧、钇元素的低碳钢焊条(ZL200810020043.0)和原J422焊条相比,熔敷金属的冲击韧性提高了38.8%,延伸率提高了25%,抗拉强度提高了11.9%,屈服强度提高了10.9%,硬度却不下降,焊条制造成本仅提高8.33%。含氧化铈的低合金钢焊条(ZL200710020978.4)和J557焊条相比,熔敷金属的抗拉强度提高了43.27%,屈服强度提高了52.11%,冲击韧性提高了26.49%,而硬度却不下降,焊条制造成本仅提高2.1%。但和相应性能的碱性焊条相比价格却减少了25%。新型焊条适合与焊接低合金钢、中碳钢的焊接。该项目的推广能够推动经济和社会的发展。保守计算每年生产J422和 J557共2万吨,每1公斤的焊条价格是相应碱性焊条的75%,即最少可节省0.8元,则2万吨可节省1600万元。
江苏师范大学 2021-04-11
一种稀土磷酸盐闪烁玻璃及其制备方法
本技术成果公开了一种稀土磷酸盐闪烁玻璃 及其制备方法,涉及无机稀土发光材料领域。本 技术成果将三价稀土铈离子(Ce3+)掺杂到M2O- RE2O3-P2O5磷酸盐玻璃体系中,制备得到透明的 稀土闪烁玻璃,在该磷酸盐体系中,M为碱金属元 素;RE为稀土元素。本透明稀土闪烁玻璃通过原料 组分混合、预烧、熔化、铸模和退火等过程制备得 到,所制备得到的透明稀土磷酸盐闪烁玻璃在X-射 线辐照下在310 - 430纳米的波长范围内具有强的光 输出,其荧光衰减寿命为30纳秒左右,具有快荧光 衰减性质。
中山大学 2021-04-10
紫光LED转换白光用稀土红色发光材料及制备方法
依托项目:吉林省科技计划重点项目:高显色性绿色固态照明材料与器件研制, 2008年7月- 2010年10月,项目负责人 主要成果:将稀土三基色红、蓝、绿(分别对应钼酸盐、铝酸盐、硅酸盐)荧光粉和该红色荧光粉按一定比例混合后涂抹在紫光LED(λ= 400 nm)管芯上所得到的白光LED器件,其白光色坐标为(x = 0.297, y = 0.36)。 成果优势:本发明则涉及一类新型过渡金属激活,并掺入适量的金属氧化物作为敏化剂Sn、 Pb共激活的钼酸盐红色发光材料(λ= 610 nm),这类红色发光材料具有发光效率高、稳定性高、显色性好、合成工艺简单等优点,是可用于紫光LED转换高显色性白光用途的高效发光材料。
东北师范大学 2021-04-29
有关近红外稀土分子τ探针定量检测活体pH的研究
近红外二区成像组织穿透深,时空分辨率高,对于成像引导疾病的诊断和治疗具有重要意义。该领域发展的瓶颈化学问题是近红外分子探针发光强度低。本研究致力于发光稀土配合物的设计和合成,利用稀土f-f特征跃迁的特点,将近红外二区探针的研究范围从金属纳米材料、共轭聚合物、有机小分子拓展到金属配合物。设计寿命(τ)探针,避免激光强度、背景荧光、组织形貌、检测器狭缝等因素影响,实现在活体水平的分子事件定量可视化。pH值是维持生命正常活动的重要生理指标。发展活体水平上实时检测pH的技术对相关疾病诊断和治疗具有重要作用。本研究设计pH敏感的镱卟啉化合物,在卟啉外围引入羧基基团。在羧基的质子化和去质子化情况下,调节配体三线态到稀土激发态的能量传递过程,实现在不同pH下近红外发光强度的“开”和“关”,同时将发光寿命与pH值变化关联。
北京大学 2021-04-11
稀土金属杂环丙烯芳香性化合物
环丙烯是一类非常重要的高张力环有机分子。将环丙烯中的 sp3 碳原子用金属取代,这类化合物即称为金属杂环丙烯。金属杂环丙烯由于其独特的结构、反应性和广泛的合成与催化应用,一直受到化学家们的广泛关注。在过去四十多年里,过渡和主族金属杂环丙烯已经得到了广泛和深入的研究,锕系金属杂环丙烯也在近几年被合成和报道,但是结构明确的稀土杂环丙烯一直是未知的物种。
北京大学 2021-04-11
稀土改性制备高容量锂离子电池正极材料
锂离子二次电池是继镍氢(Ni-MH)电池后最新一代可充电电池,其质量比能量是Ni-MH电池的1.5-2倍,具有工作电压高(3.6V)、安全、循环寿命长和无记忆效应的优点,工作温度范围可达-20-60℃。自1991年Sony公司用LiCoO2作为正极活性材料的锂离子二次电池商品化以来,锂离子电池目前是供不应求。它广泛地应用于笔记本电脑、个人数据助理、手提终端
西安交通大学 2021-01-12
一种提高喷膜主液稳定性的喷膜防水材料
成果描述:本发明公开了一种提高喷膜主液稳定性的喷膜防水材料,按重量份包括以下组分:由主液和丙烯酸盐组成,其重量组分为:主液+丙烯酸钙液体+丙烯酸锌固体,各组分的配比为:100份主液+5-20份30%丙烯酸钙液体+0.8-2.0份丙烯酸锌水溶液。本发明能够有效解决喷膜主液自聚及团聚,以提高喷膜主液稳定性,确保喷膜施工的顺利进行,稳定喷膜防水材料力学性能。市场前景分析:轨道交通基础设施建设领域。与同类成果相比的优势分析:技术先进,性价比较高。
西南交通大学 2021-04-10
一种提高喷膜主液稳定性的喷膜防水材料
本发明公开了一种提高喷膜主液稳定性的喷膜防水材料,按重量份包括以下组分:由主液和丙烯酸盐组成,其重量组分为:主液+丙烯酸钙液体+丙烯酸锌固体,各组分的配比为:100份主液+5-20份30%丙烯酸钙液体+0.8-2.0份丙烯酸锌水溶液。本发明能够有效解决喷膜主液自聚及团聚,以提高喷膜主液稳定性,确保喷膜施工的顺利进行,稳定喷膜防水材料力学性能。
西南交通大学 2018-09-18
压接型IGBT器件封装的电热力多物理量均衡调控方法
1. 高压IGBT器件封装绝缘测试系统 针对高压IGBT器件内部承受的正极性重复方波电压以及高温工况,研制了针对高压IGBT器件、芯片及封装绝缘材料绝缘特性的测试系统(如图1所示),可实现电压波形参数、温度和气压的灵活调控,用于研究电压类型(交、直流、重复方波电压)、波形参数、气体种类、气体压力等因素对绝缘特性,具备放电脉冲电流测量、局部放电测量、放电光信号测量、漏电流测量及紫外光子测量等功能(如图2所示),平台相关参数:频率:DC~20kHz,电压:0~20kV,上升沿/下降沿:150ns可调,占空比:1%~99%,温度:25℃~150℃,气压:真空~3个大气压。  2.压接型IGBT器件并联均流实验系统 针对高压大功率压接型IGBT器件内部的芯片间电流均衡问题,研制了针对压接型IGBT器件的多芯片并联均流实验系统(如图3所示),平台具有灵活调节IGBT芯片布局,栅极布线,温度和压力分布的能力,可开展芯片参数、寄生参数以及压力和温度等多物理量对压接型IGBT器件在开通/关断过程芯片-封装支路瞬态电流分布影响规律的研究,以及瞬态电流不均衡调控方法的研究;平台相关参数:电压:0~6.5kV,电流:0~3kA,温度:25℃~150℃,压力:0~50kN。   图3 压接型IGBT多芯片并联均流实验 3.高压大功率IGBT器件可靠性实验系统 随着高压大功率 IGBT 器件容量的进一步提升,对其可靠性考核装备在测量精度、测试效率等方面提出了挑战。针对柔性直流输电用高压大功率 IGBT 器件的测试需求,自主研制了 90 kW /3 000 A 功率循环测试装备和100V/200°C高温栅偏测试装备(如图4所示)。功率循环测试装备可针对柔性直流输电中压接型和焊接式两种不同封装形式的IGBT开展功率循环测试,最多可实现12个IGBT器件的同时测试。电流等级、波形参数、压力均独立可调,功率循环周期为秒级,极限测试能力可达 300 ms,最高压力达220 kN,虚拟结温测量精度达±1°C,导通压降测量精度达±2mV。高温栅偏测试装备可实现漏电流和阈值电压的实时在线监测,最多可实现32个IGBT器件的同时测试。 4. 压接器件内部并联多芯片电流及结温测量方法及实现 高压大功率压接型IGBT器件内部芯片瞬态电流及结温测量是器件多物理量均衡调控及状态监测的基本手段,针对器件内部密闭封装以及密集分布邻近支路引起的干扰问题,提出了PCB罗氏线圈互电感的等效计算方法,实现了任意形状PCB罗氏线圈绕线结构设计,设计了针对器件电流测量的方形PCB罗氏线圈(如图5所示),实现临近芯片电流造成的测量误差小于1%;针对器件内部多芯片并联芯片结温测量,提出了压接型IGBT器件结温分布测量的时序温敏电参数法,通过各芯片栅极的时序单独控制(如图6所示),在各周期分别进行单颗IGBT芯片结温的测量,进而等效获得一个周期内各IGBT芯片的结温分布。在此基础上,完成了集成于高压大功率器件内部的多芯片并联电流测试PCB罗氏线圈以及时序温敏电参数测量驱动板的设计(如图7所示)。 5. 自主研制高压大功率电力电子器件 面向电力系统用高压大功率电力电子器件自主研制的需求,开展了芯片建模与筛选、芯片并联电流均衡调控、封装绝缘特性及电场建模以及器件多物理场调控等方面工作,相关成果支撑了国家电网公司全球能源互联网研究院有限公司3.3kV/1500A、3.3kV/3000A以及4.5kV/3000A硅基IGBT器件的自主研制,并通过柔直换流阀用器件的应用验证实验,同时也支撑了世界首个18kV 压接型SiC IGBT器件的自主研制。
华北电力大学 2021-05-10
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