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基于纳米材料与纳米结构的全固态薄膜电池
全固态薄膜电池具有非常诱人的应用前景，可作为各种小型化长寿命 军用电源，在智能卡，传感器，微电子与微机械系统等方面与之匹配 的微电源。为将来的信息化，电子化，智能化和武器先进化提供新型 高效可靠的电源。 例如:结合射频识别(RFID)技术，组成配有薄 膜电源的射频卡，能够对军队的武器弹药进行 RFID 标签，从而提高 军用物资的有效管理。 美国国家航空和宇宙航行局(NASA)的喷气推进实验室，将全固态 薄膜锂离子电池与太阳能电池相结合，利用微机械系统，研制在微型 卫星上需要的高度
复旦大学
2021-01-12
薄膜太阳能电池材料光谱响应测量系统
产品详细介绍■ 光谱测量范围：200-1100nm■ 测量重复性：≤3%（主要波长位置）■ 光源：高稳定、高输出能量氙灯光源■ 标准探测器经国家一级计量单位定标■ 标准探测器、待测探测器自动切换■ 光谱响应度曲线自动生成■ 样品室内包含标准样品架、固体样品架和液体电解池样品架■ 被测太阳光伏器件可为无机晶体、有机样品，可固体，也可固体，可加偏执电压等
北京卓立汉光仪器有限公司
2021-08-23
高性能大直径稀土超磁致伸缩材料产业化技术
稀土超磁致伸缩材料的磁致伸缩应变比压电陶瓷大4倍以上，而且能量密度比压电陶瓷大10倍以上，但其杨氏仅为压电陶瓷的1/3左右。美国将其列为战略性功能材料，并对我国实行禁运。传统制备技术主要有布里吉曼法(Bridgman法，即下拉法)、丘克拉尔斯基法(Czochralski法，即直拉法)和浮区区熔法(Float Zone法)。上述三种制备GMM工艺都存在共同缺陷：1.生产效率很低，生长一件Æ18´150mm定向凝固GMM需要48-168h；2.生产GMM工序很长，需要合金熔炼、晶体生长、热处理等工序，生产成本高，设备投资大，3.生产GMM成品率只有15-30%。 本项目采用具有自主知识产权的一步法工艺和设备生产稀土超磁致伸缩材料，与传统工艺相比较主要有如下优点：1.质量好、高性能。因一步法工艺是将合金熔炼、晶体生长、热处理三道工序集中于一台设备完成，故减少了过程污染，杂质和氧含量低，合金成分控制准确，提高了材料的性能和产品的一致性；2.效率高、成本低。一步法易于实现自动化控制，操作简单，人为因素少，故产品的合格率高(达80%)；单炉产能达5-10公斤，每天可以生产2-3炉，生产效率比传统工艺提高了100-150倍，成本大大降低；3.易于制备大直径（Æ70mm以上）棒材。一旦形成规模生产，大幅度降低生产成本和产品价格。稀土超磁致伸缩材料在低频、大功率换能器中得到了越来越广泛的应用。此外，可广泛应用到机械、电子、石油、纺织、航天、农业等其他领域，是一种重要的新型功能材料，是许多高技术的物质基础，被誉为是21世纪的战略材料。
北京科技大学
2021-04-11
稀土抛光粉
稀土抛光粉是以铈为主的铈镧氧化物和氟化物的固体抛光粉，目前全世界稀土抛光粉的消费量为12000吨，日本是最大的消费者，每年从我国进口稀土资源生产3550～4000吨抛光粉，产值35~40亿日元。其中最大的抛光粉消费市场是彩电阴极射线管。中国是稀土的主要资源国，占世界稀土资源的70％，也是主要的稀土抛光粉生产国。每年出口抛光粉约2000吨。 90年代中期，世界对平面显示产品需求迅速增加，对铈基抛光粉的需求量也迅速增加，估计日本在液晶显示用平面显示器生产上消费的抛光粉约占其市场的50%。日本清美化学从1989年开始在海外生产阴极射线管用铈基抛光粉，1989年在台湾建立了一家独资企业，1990年投入生产，目前的生产能力为每年1000吨。1997年又与我国也建立了一家专门生产彩电阴极射线管、电子管和平板玻璃抛光粉的企业，设计能力为每年1200吨，所用原料为高品位氟碳铈矿和富铈碳酸稀土，用于PC的液晶显示屏和硬盘的玻璃基体抛光，可望使其月产量达200吨，成为日本同行中的大户，其销售目标是2002年达20亿日元，昭和电工还将长野县投资2.5亿日元建一新厂，生产用于半导体的化学机械抛光粉，产品牌号为GPL，预计月产能力为200吨，2002年的销售额将达30亿日元。
武汉工程大学
2021-04-11
白光LED用含氮硅酸盐绿色发光材料及制备方法
本发明涉及一种白光LED用含氮硅酸盐绿色发光材料及制备方法。该发光材料的化学组成可表示为：Ca2-xSi(O4-yNy) : xEu2+，0.003≤x≤0.06，0.1≤y≤0.8。其制备过程为：（1）以硝酸钙（CaN2O6·4H2O）、硝酸铕（EuN3O9·6H2O）正硅酸乙酯（C8H20O4Si）、氮化硅（Si3N4）为原料，采用溶胶凝胶法，获得前驱体，（2）将所得前驱体与氮化硅粉体混合均匀，在非还原性气氛下于1000~1200℃焙烧2~4小时，获得Ca2-xSi(O4-yNy) : xEu2+荧光粉。所得发光材料，发光性能显著，在近紫外到紫光波长范围（300~400nm）有宽带吸收，发射出强度高的绿色光（500~504nm）。通过氮化硅与前驱体的混合焙烧，在不需要任何还原气氛下，将Eu3+还原为Eu2+，制备方法简单、安全。
四川大学
2021-04-11
一种细化稀土镁合金中富稀土相的方法
本发明属于金属材料的制备及铸造成形技术领域，涉及到一种 细化稀土镁合金中富稀土相的方法。稀土镁合金中的“稀土”是指镁 合金中含有以下稀土元素中的一种、二种或多种：RE(RE 为 Ce 及 La 混合稀土，其中 Ce 的质量百分比为 50％～70％，余量为 La)0.5％～ 4％；Y-0.5～2％；Nd2～3％；Gd-1～5％，等。将高于液相线温度 0～ 40℃的镁合金液浇入到预热至预设温度的盛浆容器内，降下变幅杆至 金属液面以下 1～25mm，同时启动超声振动。超声振动时间为 1～ 8min，振动结束后，金属熔体温度控制在液相线温度以下 5～50℃。 振动后的金属熔体成形得到的镁合金零件，晶粒尺寸和富稀土相尺寸 要比未超声振动的组织细化很多，本发明可用于稀土镁合金的制浆工 艺、后续流变铸造以及稀土镁合金零件的成形。
华中科技大学
2021-04-13
石墨烯基透明导电薄膜、复合导热膜及吸附材料
将石墨烯进行二维或三维组装，制备透明可导电薄膜、复合导热膜及吸附材 料技术。
上海理工大学
2021-01-12
氧化物薄膜晶体管材料及其器件
本项目主要研究和开发高迁移率透明氧化物半导体薄膜，重点研究掺锌氧化铟(IZO)透明氧化物半导体薄膜;筛选合适的介质层材料，研 究和制备优质致密的透明介质层薄膜;研究制备掺钨氧化铟(IWO)高 迁移率 TCO 薄膜，使其与 TOS 薄膜具有良好的电接触特性;研究制 备采用上述透明导电氧化物电极、透明氧化物半导体沟道层和透明介 质层构成的全透明 TFT，研究 TFT 的尺寸和各种工艺技术对 I-V 特
复旦大学
2021-01-12
高品质大尺寸微波单晶石榴石薄膜材料
本项目共包括10项授权专利，其中高品质微波单晶薄膜的制备工艺获得3项专利技术，同时将这种单晶薄膜应用在微波器件/结构、太赫兹结构/器件和自旋逻辑器件中等，共获得7项专利技术。本项目突破了我国在3英寸石榴石系列单晶体材料以及相关器件研究上的瓶颈技术，获得了高法拉第效应和低铁磁共振线宽的大尺寸高质量石榴石单晶薄膜材料。满足了国内在磁光、微波及毫米波集成器件方面对石榴石系晶体材料的需求，摆脱了完全依赖进口、受制于人的不利局面。（1）建成了我国第一条大尺寸磁
电子科技大学
2021-04-14
一种高强高导电铜 -稀土合金材料及其制备工艺
本发明公开了一种高强度导电铜 -稀土合金材料及其制备工艺， 合金各 成分的按质量比为：铜：铬：钕为 97.6-98.8：0.4-1.1：0.02-0.08.本发明制 备工艺包括合金的熔铸工艺、合金熔铸后的处理工艺，合金熔铸后的处理 工艺中直接对合金铸锭冷轧，再进行时效处理。本发明所述制备工艺在合 金熔铸时，直接添加纯金属 Cr 颗粒，浇铸温度为 1100℃-1250℃。 本发明合金材料具有
南昌大学
2021-04-14