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一种缺失gG和TK基因的重组牛传染性鼻气管炎病毒和应用
研发阶段/n一种缺失gG和TK基因的重组牛传染性鼻气管炎病毒和应用。 成果简介：本研究通过定向基因缺失技术将牛传染性鼻气管炎病毒的毒力基因TK和必需基因gG缺失，得到了牛传染性鼻气管炎的gG和TK双基因缺失突变株。疫苗免疫是防治牛传染性鼻气管炎的根本措施，灭活疫苗不能区分野毒感染和疫苗免疫牛，弱毒疫苗有残余毒力和返强风险，本研究获得的牛传染性鼻气管炎的gG和TK双基因缺失突变株，可区分野毒感染牛和疫苗免疫牛，是血清学“标志”疫苗，为我国牛传染性鼻气管炎根除计划提供了技术支撑。 应用前景：目前我国
华中农业大学
2021-01-12
壳聚糖新型两亲性聚电解质衍生物合成洗涤消毒剂
Ø 甲壳素是从虾蟹等甲壳类动物的外壳以及菌，藻类低等植物的细胞壁中提取的天然高分子材料，是自然界中的第二大生物衍生资源。壳聚糖是甲壳素的N-脱乙醛基产物,是自然界中唯一的阡性多糖。 我们在对羧甲基壳聚糖的制备方法进行深入研究的基础上，对羧甲基壳聚糖的进一步改性进行深入地研究。制备出了具有表面活性、络合、抗菌、可降解无毒耐盐、廉价等优异性能的高档洗涤剂。可替代进口高档洗涤剂，主要用于果疏的清洗。通过保护-脱保护技术对壳聚糖进行羧甲基化改性，控制羧甲基基团在壳聚糖吡喃环上的取代位置，制得结构可
北京理工大学
2021-01-12
基于协调一致性的配电网络分布式电源控制方法及系统
一种基于协调一致性的配电网络分布式电源控制方法及系统，包括提取需向配电网注入的无功功率， 形成完成向配电网注入无功功率目标的分布式电源的集合，形成协调一致性控制无功功率分解的矩阵， 计算集合中各个分布式电源的无功功率注入设定值，电压监测装置通过双向通信线路向相应分布式电源 传送无功功率注入设定值，各分布式电源根据该值产生相应的无功功率注入至配电网，使得注入无功功 率总和满足需求。该控制方法无需中央控制器，分布式电源能够自发进行输出无功功率的调节
武汉大学
2021-04-14
一种基于活性污泥快速检测有机化学品生物降解性的方法
本发明提供了一种快速检测有机化学品生物降解性的方法，采用的菌源来自于污水处理厂的二级出水。将无机盐培养基、接种液、有机化学品受试物按一定比例加入带塞BOD瓶中，以受试物中的有机碳为唯一碳源，在14～50天的测试周期内进行微生物生长代谢。测试过程中，以固定的时间间隔取样，进行溶解氧（DO）、pH和总有机碳（TOC）测定，同时采用高效液相色谱（HPLC）快速准确检测降解过程中有机物及代谢产物浓度的变化。本方法以高效液相色谱法（HPLC）直接测定待测有机化学品及代谢产物浓度的变化，从而直接计算出其降解率，同时结合降解过程中BOD瓶中的溶解氧，pH和TOC的变化间接反映待测有机化学品的生物降解性的好坏。此方法操作简单，多个参数的测试评价相结合，测定结果快速准确。
四川大学
2016-10-27
硅基质表面油水浸润性光控可逆转换的 SiO2/TiO2复合涂层
本成果来自国家科技计划项目，获国家发明专利授权。该发明获得的光控油水浸润性可逆转换的SiO2/TiO2复合涂层在功能纳米界面材料研究领域具有重要意义。这项研究成果在基因传输、无损失液体输送、微流体、生物芯片、药物缓释、石油化工、建筑材料等领域具有极为广阔的应用前景。
西南交通大学
2016-06-24
脂质体包裹bFGF微粒影响牵张性脊髓损伤后神经细胞凋亡的蛋白质组
独自拥有。
四川大学
2016-04-26
《自然·通讯》报道华东理工大学乙炔选择性加氢催化剂设计新策略
近日，我校化工学院催化反应工程团队在机理驱动的乙炔选择性加氢催化剂活性位点设计领域取得新进展。
华东理工大学
2022-10-11
内源性大麻肽类激动剂(m)VD-Hpα 在制备镇痛药物中的 应用
慢性和严重疼痛的控制一直是人们亟待解决的医学难题。目前已有多种药剂用于治疗多样化的病理状态，这其中包括阿片、非甾醇类抗炎药、抗惊厥药、抗抑郁药、克他命等（Drugs 2007, 2121: 2133）。但是，这些药物的副作用限制了它们的临床用药剂量和降低了其治疗效果。除了进一步研究慢性疼痛的病理机制和鉴定药物本身的镇痛机制外，临床上更需要的是有效地、无毒的和没有中枢副作用的治疗慢性痛的新药物
兰州大学
2021-04-14
一种非易失性三维半导体存储器的栅电极及其制备方法
本发明公开了一种非易失性三维半导体存储器的栅电极及其制 备方法；栅电极包括 n 个依次成阶梯状排列的栅电极单元，每个栅电 极单元为柱状结构，由连通电极和包围在连通电极周围的绝缘侧壁构 成；所述连通电极的上表面用于连接栅层，下表面用于连接字线。本 发明适用于在字线等前道工艺完成后制备连接栅层的电极结构。此电 极结构呈阶梯状连接不同堆叠层且相对应的栅层，对叠层中非相对应 的栅层与栅电极之间通过绝缘层隔离
华中科技大学
2021-04-14
一种非易失性高密度三维半导体存储器件及其制备方法
本发明公开了一种非易失性高密度三维半导体存储器件及其制 备方法，包括由多个垂直方向的三维 NAND 存储串构成的存储串阵列； 每个三维 NAND 存储串包括半导体区域以及围绕半导体区域的四层包 裹结构；半导体区域包括沟道以及分别与沟道两端连接的源极和漏极； 源极与漏极串联连接；沟道为方柱形结构；四层包裹结构从里到外依 次为隧穿电介质层、电荷存储层、阻隔电介质层以及控制栅电极；阻 隔电介质层在不同的方向具有不同的厚度，
华中科技大学
2021-04-14