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三通连接件
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铝合金方管 升降条 防水脚垫
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厂家直销各种规格、形状的铝合金型材、实验室试验台桌铝合金框架、铝合金连接件、仪器柜升降条等，欢迎广大客户来电咨询。
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咨询电话：0577-67473999
温州市育人教仪制造有限公司
2021-08-23
几何形体模型8件套
青华科教仪器有限公司
2021-08-23
几何形体模型10件套
青华科教仪器有限公司
2021-08-23
几何形体模型12件套
青华科教仪器有限公司
2021-08-23
脑模型（一套6件）
XM-602脑模型（一套6件）
XM-602脑模型内囊位置组成及分布模型、脑纤维束解剖模型、海马穹窿前连合模型、脑及脑室解剖模型、大脑半球连合纤维模型、硬脑膜及静脉窦模型6种模型组成。
尺寸：自然大，50×26×16cm
材质：PVC材料
示教内容：
1、通过四块脑组织的分拆，显示整个脑室在各部脑实质内所占位置、相互关系及脑室各部结构。
2、右侧半示前连合的行程与位置、脑基底神经节、丘脑内束与内束放射线冠等，左侧示豆核、胼胒体放射、视放射等，脑干示小脑三对脚和齿状核。
3、示前连合穹窿的全程以及侧脑室颞角内的结构，如海马、海马伞、灰小束与齿状回等结构。
4、通过脑的水平额状切面，示内束的位置、组成和分布。
5、示大脑半球内部的白质纤维、大脑联合系、固有联合系和投放射系。
6、示硬脑膜膈和静脉窦蝶窦位置及关系。
上海欣曼科教设备有限公司
2021-08-23
科技小零件套装
产品详细介绍
产品详情：KJ016科技小零件套装
针对补充；易损；易丢失；使用率高的科技小零件。
产品图片如下：
广东乐博士教育装备有限公司
2021-08-23
一种用于芯片倒装的多自由度键合头
本发明公开了一种用于芯片倒装的多自由度键合头，包括安装立板、对准机构和调平机构，其中对准机构包括纵向设置在安装立板上部的 Z 向模组和横向设置在 Z 向模组上的支架，并在 Z 向电机和旋转电机的配合驱动下实现键合头相对于 Z 轴方向的对准运动；调平机构包括固定设置在支架下侧的上平台、带有吸嘴的下平台和设置在上下平台之间的三个支链结构，其中调平中心链的两端分别通过转动副与上下平台相连，分布在中心链两侧的两个调平侧链各自配备有作为调节动力输入的移动副，且其上下端分布通过多个转动副与上下平台相连。通过本发
华中科技大学
2021-04-14
一种适用于芯片转移的倒装键合控制方法
本发明属于芯片贴装工艺相关领域，并公开了一种适用于芯片 转移的倒装键合控制方法，主要包括：基于大转盘仰视相机和晶元盘 斜视相机的观测和配合，对芯片从晶元盘至大转盘单元的吸附转移执 行角度及位置控制；基于大转盘俯视相机和小转盘侧视相机的观测和 配合，对芯片从大转盘单元至小转盘单元的拾取转移执行角度及位置·108·控制；以及基于小转盘仰视相机和小转盘俯视相机的观测和配合，对 芯片至基板的贴合过程执行相应控制。通过本发明，不仅能够实现芯 片高效倒装键合整个过程中芯片在位置及角度
华中科技大学
2021-04-14
一种悬索桥施工期梁端纵向大位移支座
本发明公开了一种悬索桥施工期梁端纵向大位移支座，包括滚轮、滚轮轴、下梯形板、转动轴、上梯形板、盖板、横向联系板；所述盖板通过螺栓连接在加劲梁的底板下缘；所述上梯形板有２个，上梯形板的上边缘线是长底边，与盖板焊接在一起，下边缘线是短底边；所述下梯形板有２个，下梯形板的上边缘线是短底边，下边缘线是长底边；所述转动轴穿入上梯形板和下梯形板，两者利用转动轴实现转动；所述滚轮轴穿入下梯形板，接近于下边缘，滚轮轴可以在孔内转动；所述滚轮与桥塔横梁上表面接触，滚轮通过锚栓与滚轮轴固定在一起，可以随滚轮轴一起转动。本发明可以实现纵向大幅移动，并通过梁端的自由竖向转角位移实现对梁端弯曲自由度的放松。
东南大学
2021-04-11
一维原子链缺陷两端零能束缚态的发现
在二维铁基高温超导体中的一维原子缺陷链两端发现马约拉纳零能模，为实现较高温度下、无外加磁场的拓扑零能激发态提供了一种可行性平台。王健研究组通过分子束外延（MBE）技术在钛酸锶衬底上成功制备出大尺度、高质量的单层FeTe0.5Se0.5高温超导薄膜，其超导转变温度T_c≈62 K，远高于块材Fe(Te,Se) (T_c≈14.5 K)。利用原位低温（4.2 K）扫描隧道显微镜（STM）和扫描隧道谱（STS）技术，研究组在薄膜表面发现了一种由最上层Te/Se原子缺失形成的一维原子链缺陷。在这种一维原子链缺陷两端，同时观测到了零能束缚态（图1），而在一维原子链缺陷的非端点处，依然是超导带隙的谱形。随着温度升高，零能束缚态的峰高逐渐降低，最终在远低于T_c时消失（约20 K）。随着针尖逐渐逼近薄膜表面，即隧穿势垒电导变大，零能束缚态峰迅速升高且没有发生劈裂，展现出良好的抗干扰性。此外，研究组发现在较短的一维原子链缺陷两端的零能束缚态发生了一定程度的耦合（图2），其峰高随缺陷长度的依赖关系在统计中展现出正相关关系。这些零能束缚态的谱学特性，如峰值高度与半高宽随温度的演化，消失的温度，针尖逼近隧穿谱与难劈裂的特性等，都与马约拉纳零能模的解释相符合，可以基本上排除Kondo效应、杂质缺陷束缚态或有节点的高温超导体中Andreev零能束缚态等其它可能性。波士顿学院的汪自强教授团队基于肖克利缺陷态的能带理论在超导体中的表现提出了可能的理论解释。在强自旋轨道耦合作用下，单层FeTe0.5Se0.5薄膜表面的一维原子链缺陷可以是衍生一维拓扑超导体，其端点处会产生受时间反演对称性保护的一对马约拉纳零能模。时间反演对称性破缺下也可产生一维原子链缺陷拓扑超导体，其两个端点各产生一个马约拉纳零能模。这一工作首次揭示了二维高温超导体FeTe0.5Se0.5单层薄膜中的一类拓扑线缺陷端点处的零能激发，具备单一材料、较高工作温度和零外加磁场等优势，为进一步实现可应用的拓扑量子比特提供了一种可能的方案。
北京大学
2021-04-11