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承插式带肋预制混凝土“U”形渠槽构件
本实用新型 U 形槽构件间接缝部位的砂浆密实，抗渗漏效果好，单元体的相互搭接，有效地限制了单元体间的相互错动，增强了渠道的横向整体性，提高了抵抗地基不均匀沉降的能力，根据结构受力设置的肋梁增大了渠道壁面的抗弯刚度，提高了壁面的抗弯承载力，肋梁还有利于增强渠道的纵向抗滑能力，提高纵坡较大时渠道的抗滑稳定。
扬州大学
2021-04-14
球头立铣刀S形刃曲线的形成方法
"本发明公开了球头立铣刀S形刃曲线的形成方法，刀具制造单元根据数据控制单元建立的数学模型和输出的参数数据加工成型球头立铣刀，其S形刃曲线成型中，数据控制单元采用如下的步骤建立数学模型和输出的参数数据：1)输入刀具基本设计参数。2)建立周刃刃线数学模型。3)建立S形刃线数学模型。4)球头刃线模型：包括确定投影螺旋线螺旋角和确定S形刃线起始角度。5)将获得的球头刃线模型参数数据的输出。本发明建立了一种球头立铣刀S形刃曲线的形成方法，用来建立环形立铣刀的数学模型及指导制造加工，以实现S形刃线与周齿刃线的光滑连接。 "
西南交通大学
2016-10-20
一种测量颗粒群分形维数的方法
本发明公开了一种测量颗粒群分形维数的方法，属于颗粒群尺度检测领域，包括 S1 测量颗粒群中各个粒子体积和各个体积的粒子数量，获得粒子体积 v 与数量 n 间的分布关系 v-n；S2 计算颗粒群的 k阶矩 Mk；S3 将分布关系 v-n 转换为 x-y 关系、计算获得无量纲 k 阶矩<img file=""DDA0000622097930000011.GIF"" wi=""72"" he=""80"" />并进一步计算获
华中科技大学
2021-04-14
一种镐形截齿热处理受热均衡装置
本发明公开了一种镐形截齿热处理均衡装置，包括链板、底座、螺栓、轴承、支座、支撑架、支柱、轴套、套筒、卡环、滚轮、底板、橡胶板和三角铁，所述底座与板链固定，并通过动力机构进行运动，本发明克服了传统截齿热处理工艺的受热不均，通过设备带动零件自动旋转；所述滚轮与支座通过螺纹连接，通过调整滚轮的直径大小来调整自转速度，使整个零件各个方面受热均匀，提高了截齿热处理的质量，增强截齿的使用寿命，降低成本。
安徽理工大学
2021-04-13
一种 LED 倒装芯片的圆片级封装结构、方法及产品
本发明公开了一种 LED 倒装芯片的圆片级封装结构、方法及产 品，包括 LED 倒装芯片、硅基板、透镜、印刷电路板和热沉；硅基板 正面加工有放置芯片的凹腔，凹腔底部的长度与芯片的长度相同；硅 基板的反面加工有两组通孔，两通孔与凹腔相连通；在凹腔和两通孔 的表面沉积有绝缘层；凹腔表面的绝缘层上沉积有散热金属层和反光 金属层；两通孔内填充有金属体，通孔内的金属体与凹腔表面的散热 金属层相接；凹腔内底部的两金属层存在一开口，用于将该金属层隔 离为两部分；硅基板的反面沉积有绝缘层，该绝缘层表面布线用于电 极连接的金属层；凹腔内涂覆有荧光粉，凹腔的外围加工有用于固定透镜的环形定位腔。本发明能够提高 LED 出光效率、加强散热能力且 完成自对准。
华中科技大学
2021-04-11
一种 LED 倒装芯片的圆片级封装结构、方法及产品
本发明公开了一种 LED 倒装芯片的圆片级封装结构、方法及产品，包括 LED 倒装芯片、硅基板、透镜、印刷电路板和热沉；硅基板正面加工有放置芯片的凹腔，凹腔底部的长度与芯片的长度相同；硅基板的反面加工有两组通孔，两通孔与凹腔相连通；在凹腔和两通孔的表面沉积有绝缘层；凹腔表面的绝缘层上沉积有散热金属层和反光金属层；两通孔内填充有金属体，通孔内的金属体与凹腔表面的散热金属层相接；凹腔内底部的两金属层存在一开口，用于将该金属层隔离为两部分；硅基板的反面沉积有绝缘层，该绝缘层表面布线用于电极连接的金属层；凹
华中科技大学
2021-04-14
内置可更换粘滞阻尼器与耗能钢筋的预制拼装桥墩抗震结构及其施工方法
本发明公开了一种内置可更换粘滞阻尼器与耗能钢筋的预制拼装桥墩抗震结构及其施工方法，桥墩抗震结构包括带有“［”型凹槽a的预制混凝土墩柱节段、用于嵌套预制混凝土墩柱节段上部和下部的双壁钢套筒、用于定位墩柱节段的定位钢筋、安装在“［”型凹槽a内部的粘滞阻尼器、耗能钢筋。粘滞阻尼器与耗能钢筋在结构中起到“安全气囊”的作用，它们在地震作用下具有较强的耗能能力。粘滞阻尼器与耗能钢筋在结构中还起到“保险丝”的作用，它们是地震损伤集中部位，并且可更换。使用本发明不仅可以提高预制拼装桥墩的抗震性能，同时还能快速修复受损桥墩。
东南大学
2021-04-11
郑元世教授团队在多智能体网络化系统的鲁棒性和可扩展性上取得新进展
西安电子科技大学机电工程学院多智能体研究中心郑元世教授团队通过引入了智能体及邻居的历史状态，提出了一种基于记忆信息的一致性协议并建立了该协议下显式的一致域。
西安电子科技大学
2025-02-26
一种钬钴氧化物纳米棒及其制备方法
（专利号：ZL 201410514805.8） 简介：本发明公开了一种钬钴氧化物纳米棒及其制备方法，属于纳米材料制备技术领域。本发明的钬钴氧化物纳米棒由HoCoO3单相构成，长度约1μm，直径约50nm。其制备方法的要点是：将钴盐、钬盐、表面活性剂按一定摩尔比溶入水和聚二醇混合溶剂，其中水与聚二醇体积比为100：10～20，然后加热到80～100℃，搅拌时间至少1h；然后将水合肼和氢氧化物依次加入，其中水合肼和水溶性钴盐摩尔比为1～3:1
安徽工业大学
2021-01-12
一种双极性触发型多棒极真空触发开关
本发明公开了一种触发型多棒极真空触发开关，包括密闭壳体； 密闭壳体由绝缘外壳及设置在绝缘外壳两端的阴极法兰和阳极法兰构 成；密闭壳体的两端分别设有阴极和阳极，阴极和阳极结构相同，均 包括电极底柱、电极平台和设置于电极平台上的多个棒状电极，阴极 的棒状电极与阳极的棒状电极相向延伸且相互交错排列，相邻棒状电 极的间隙宽度相等，且该间隙宽度与棒状电极顶端到相对的电极平台 的间隙宽度相等；阴极和阳极中分别设有阴极触发结构和阳极触发结 构。该开关可以保证无论主间隙的电压为何种极性，都能够稳定触发， 能满足电力
华中科技大学
2021-04-14