|
搜索
搜 索
高等教育领域数字化综合服务平台
一种聚 3-己基噻吩/碳纳米管复合材料及制备方法
本发明公开了一种聚3-己基噻吩/碳纳米管复合材料及制备方法。 所述复合材料中含有聚3-己基噻吩30wt％至80wt％以及均匀分散的碳 纳米管 1wt％至 15wt％，所述碳纳米管形貌完整，其直径在 40nm 至 60nm 之间，其长度在 5μm 至 15μm 之间，所述碳纳米管表面包覆有 厚度在 3nm 至 10nm 之间的聚 3-己基噻吩。其制备方法包括以下步骤： (1)将聚 3-己基噻吩和高分子量聚合物均匀分散于有机溶剂中；(
华中科技大学
2021-01-12
碳纳米管和氧化铝晶须原位复合增强树脂材料及其制备方法
小试阶段/n树脂基复合材料是以有机高分子材料为基体、高性能连续纤维为增强材料通过复合工艺制备而成的具有明显优于原组分性能的一类新型材料。但树脂具有脆性，其复合材料一般要引入具有一维特征的增强相，如纤维、晶须和纳米管等。这种增强相有两种引入方式：一种是外加引入，另外一种是原位生成。往树脂基体中单独添加碳晶须、碳纳米管或氧化铝晶须等一维增强相时，材料的性能在一定程度上有提高，但增强相在树脂解题中的分散问题没有解决；在树脂基体中原位生成碳纳米管等一维增强相时，有助于常温性能的改善，但是仅有碳纳米管的存在，
武汉科技大学
2021-01-12
大型沉管隧道水下基槽浚边坡稳定性、承载力和变形分析
1.依据海河实际土质条件，提出了基槽水下开挖下部和上部坡率建议值；2.提出了适合滨海软土地层特性的水下开挖法及合理的超挖值；3.提出了适合海河沉管隧道的水下边坡检测要求和减少基底回淤的施工措施；4.通过应力路径试验方法，进行模拟基坑开挖时主动区侧向卸荷试验（DEP）和固结试验，得到主动区卸荷状态下土的强度参数；5.编制了天津市地方标准《内河沉管法隧道设计、施工及验收规范》DB/T29-219-2013。 在海河下游软土地层环境下，针对内河沉管沉放过程中存在的技术难题，形成了对沉
天津城建大学
2021-01-12
一种环氧树脂－二氧化硅空心管复合材料及制备方法
本发明公开了一种环氧树脂－二氧化硅空心管复合材料及其制 备方法。所述环氧树脂-二氧化硅空心管复合材料，包括二氧化硅空心 纳米管和环氧树脂，所述二氧化硅空心纳米管分散于环氧树脂中，其 添加量为环氧树脂的 0.1～10wt.％。其制备方法包括以下步骤：(1)采 用溶胶-凝胶法制备二氧化硅空心纳米管；(2)将步骤(1)制备的二氧化硅 空心纳米管分散于环氧树脂中，形成环氧树脂-二氧化硅空心管均匀分 散体系；(3
华中科技大学
2021-04-14
提升结晶小分子半导体在n型有机薄膜晶体管柔性方面的研究
该研究提出了聚合物粘合剂的新型策略，通过合成一个柔性的共轭n型聚合物，使其能够作为一种粘合剂粘合小分半导体的晶界，提升其机械性能，实现了柔性有机晶体管器件。这种聚合物能有效地抑制小分子和聚合物之间的相分离，进一步实现了晶粒间的粘合作用。
南方科技大学
2021-04-14
西安交大科研人员在多波长高性能二硫化钼场效应晶体管光电探测器的研究取得新进展
近日，西安交通大学电子科学与工程学院电子陶瓷与器件教育部重点实验室任巍教授和牛刚教授团队利用机械剥离获得少层二硫化钼材料制备具有背栅结构和纳米级沟道长度的光电晶体管，实现了较高探测率(＞1013Jones)和响应率(＞103A/W)。
西安交通大学
2023-02-02
科技部 金融监管总局等四部门印发《关于加快推动科技保险高质量发展 有力支撑高水平科技自立自强的若干意见》的通知
科技保险是科技金融大文章的重要组成部分，对科技创新风险分散和资金支持具有重要作用。
科技部
2026-03-02
《国务院关于促进科技成果转化工作情况的报告》发布
推进学科评估改革，自主科学确定“双一流”标准，引导高校主动对接产业需求。
云上高博会
2026-01-12
大规模集成电路用引线框架Cu-Ni-Si系、Cu-Fe-P系合金
集成电路是微电子技术的核心，与国防和国民经济现代化, 乃至人们的文化生活都息息相关。集成电路由芯片和框架经封装而成, 其中框架既是骨架又是半导体芯片与外界的联接电路, 是芯片的散热通道, 又是连结电路板的桥梁, 因此框架在集成电路器件和各组装程序中占有极其重要的地位，目前，由于集成电路向高密度, 高集成化方向发展, 芯片的散热问题已成为突出矛盾。集成电路大规模和超大规模的迅速推进，对集成电路框架及材料提出了高、精、尖、短、小、轻、薄的要求，过去广泛使用的铁镍42合金已不能满足要求。而铜合金框架材料, 利用铜合金优良的传热性能, 加入少量强化元素, 通过固溶强化和弥散强化提高其强度, 同时仅稍微损失导热性能。目前，铜合金框架已成为主体，形成了中强中导、高强中导、高强高导合金系列。以前，由于在合金的熔炼工艺、轧制和热处理工艺以及板型控制等关键技术与国外先进水平有较大差距，我国所使用的大规模集成电路引线框架材料长期以来都是依靠进口。目前，本课题组通过一系列研究，开发了具有自主知识产权的Cu-Ni-Si系合金，并实现了Cu-Fe-P 系合金铜带和异型带的国产化大规模生产。 一、Cu-Ni-Si系铜合金主要性能指标 1.抗拉强度σb：650～750MPa； 2.延伸率>8%； 3.导电率：45～60%IACS。 二、Cu-Fe-P系铜合金主要性能指标 1.抗拉强度σb：450～600MPa； 2.延伸率>7%； 3.导电率：60～80%IACS。
上海理工大学
2021-04-11
大规模集成电路用引线框架Cu-Ni-Si系、 Cu-Fe-P系合金
集成电路是微电子技术的核心，与国防和国民经济现代化，乃至人们的文化生活都息息相关。集成电路由芯片和框架经封装而成，其中框架既是骨架又是半导体芯片与外界的联接电路，是芯片的散热通道，又是连结电路板的桥梁，因此框架在集成电路器件和各组装程序中占有极其重要的地位，目前，由于集成电路向高密度，高集成化方向发展，芯片的散热问题已成为突出矛盾。集成电路大规模和超大规模的迅速推进，对集成电路框架及材料提出了高、精、尖、短、小、轻、薄的要求，过去广泛使用的铁镍42合金已不能满足要求。而铜合金框架材料，利用铜合金优良的传热性能，加入少量强化元素，通过固溶强化和弥散强化提高其强度，同时仅稍微损失导热性能。目前，铜合金框架已成为主体，形成了中强中导、高强中导、高强高导合金系列。以前，由于在合金的熔炼工艺、轧制和热处理工艺以及板型控制等关键技术与国外先进水平有较大差距，我国所使用的大规模集成电路引线框架材料长期以来都是依靠进口。目前，本课题组通过一系列研究，开发了具有自主知识产权的Cu-Ni-Si系合金，并实现了Cu-Fe-P 系合金铜带和异型带的国产化大规模生产。
上海理工大学
2021-04-13