XM-603C脑解剖模型（15部件）   XM-603C脑解剖模型由大脑半球、胼胝体、岛叶、豆状核、尾状核、脑室系统和脑干等15个部件组成，并显示大脑半球、内囊、脑室系统、间脑、小脑和脑干中脑、脑桥、延髓各个部位，以及脑神经等结构，同时按不同功能部位用颜色加以区别。 尺寸：自然大，23×18×18cm 材质：PVC材料

XM-603B脑解剖模型（9部件）   XM-603B脑解剖模型可拆分为9部件，用于了解脑各部分的相互关系，显示了脑的外形结构、大脑外侧面主要结构、大脑的半球内侧面和底面的主要结构、脑干各面的主要结构、小脑的主要结构。 尺寸：自然大，18.5×14×13.5cm 材质：PVC材料

XM-603A脑解剖模型(放大2倍，4部件)   XM-603A脑解剖模型放大2倍，中切，可分解成4部件，前叶和脑干可拆卸，清晰展示了运动中枢、感觉中枢和功能中枢，并以色彩区分，共有71个部位数字指示标志及对应文字说明。 尺寸：放大2倍 材质：PVC材料

XM-604B脑及脑动脉分布模型（11部件）   XM-604B脑及脑动脉分布模型放大2倍，可拆分为11部件，显示脑的外形结构：大脑外侧面主要结构、大脑半球内侧面和底面的主要结构、脑干各面的主要结构、小脑的主要结构；脑的动脉供应：动脉的来源、动脉在脑底面的行程和联合情况、大小脑的动脉分布。 尺寸：放大2倍，35×33×30cm 材质：PVC材料

XM-604B脑及脑动脉分布模型（11部件）   XM-604B脑及脑动脉分布模型放大2倍，可拆分为11部件，显示脑的外形结构：大脑外侧面主要结构、大脑半球内侧面和底面的主要结构、脑干各面的主要结构、小脑的主要结构；脑的动脉供应：动脉的来源、动脉在脑底面的行程和联合情况、大小脑的动脉分布。 尺寸：放大2倍，35×33×30cm 材质：PVC材料

光收发芯片是光收发模块中的集成电路，并不包括激光芯片，是指光纤宽带网络物理层的主要基础芯片，包括跨阻放大器、限幅放大器、激光驱动器三种。它们被用于光纤传输的前端，来实现高速传输信号的光电、电光转换，这些功能被集成在光纤收发模块中。

围绕自主通用处理器，研发操作系统及其之上的核心 API 软件，支撑国家信息化建设，并致力于构建区别于 Wintel 和 AA 之外的世界第三套信息化生态体系 。

产品详细介绍 　　概述： 　　1.0625Gbps至4.25Gbps单芯片集成的低功耗SFP+多速率限幅 　　放大器和VCSEL驱动器高速光收发芯片(EP110) 　　EP110为高度集成的限幅放大器和VCSEL驱动器，设计用于数据传输速率高达8.5Gbps的1x/2x/4x/8x光纤通道传输系统以及10.3125Gbps数据传输速率的10GBASE-SR传输系统。器件采用+3.3V单电源供电，这款低功耗、集成限幅放大器、VCSEL驱动器和微控制器三合一的高集成单芯片。平均光功率由平均功率控制环路(APC)控制，该控制环路通过连接至VCSEL驱动器的3线数字接口控制、所有差分I/O为50欧姆传输线PCB设计提供最佳的背板短接。EP110集成一个微处理器，可以实现SFF8472协议的数字监控接口要求，可通过固件实现高级Rx设置(模式选择、LOS门限、LOS极性、CML输出电平、信号通道极性)和Tx设置(调制电流、偏置电流、极性、眼图交叉点调制)，无需外部微处理器和外部元件。 　　EP110采用无铅、5mm*5mm、40引脚QFN封装。 　　1.0625Gbps至10.32Gbps单芯片集成的低功耗SFP+多速率限幅 　　放大器和VCSEL驱动器高速光收发芯片(EP112) 　　EP112为高度集成的限幅放大器和VCSEL驱动器，设计用于数据传输速率高达8.5Gbps的1x/2x/4x/8x光纤通道传输系统以及10.3125Gbps数据传输速率的10GBASE-SR传输系统。器件采用+3.3V单电源供电，这款低功耗、集成限幅放大器、VCSEL驱动器和微控制器三合一的高集成单芯片。平均光功率由平均功率控制环路(APC)控制，该控制环路通过连接至VCSEL驱动器的3线数字接口控制、所有差分I/O为50欧姆传输线PCB设计提供最佳的背板短接。EP112集成一个微处理器，可以实现SFF8472协议的数字监控接口要求，可通过固件实现高级Rx设置(模式选择、LOS门限、LOS极性、CML输出电平、信号通道极性)和Tx设置(调制电流、偏置电流、极性、眼图交叉点调制)，无需外部微处理器和外部元件。 　　EP112采用无铅、5mm*5mm、40引脚QFN封装。 　　1.0625Gbps至14Gbps单芯片集成的低功耗SFP+多速率限幅 　　放大器和VCSEL驱动器高速光收发芯片(EP116) 　　EP116是一款低功耗、集成限幅放大器、VCSEL驱动器和微控制器三合一的16G SFP+高集成高速光收发芯片,工作在高达14Gbps的数据速率、非常适合以太网和光纤通道应用。在EP116的发射和接收路径上集成了CDR功能，解决了大多数高速系统存在的信号失真问题。平均光功率由平均功率控制环路(APC)控制，该控制环路通过连接至VCSEL驱动器的3线数字接口控制、所有差分I/O为50欧姆传输线PCB设计提供最佳的背板短接。EP116集成一个微处理器，可以实现SFF8472协议的数字监控接口要求，可通过固件实现高级Rx设置(模式选择、LOS门限、LOS极性、CML输出电平、信号通道极性、去加重)和Tx设置(调制电流、偏置电流、极性、可编程去加重、眼图交叉点调制)，无需外部微处理器和外部元件。 　　EP116采用无铅、6mm*6mm、48引脚QFN封装。 　　特点： 　　3.3供电时，功耗仅为500mW 　　工作速率高达10.32Gbps 　　10.32Gbps下，具有5mVp-p接收灵敏度 　　Rx和Tx极性选择 　　可调节触发LOS报警电平 　　LOS极性选择 　　能够向100欧姆差分负载提供高达12mA的调制电流 　　偏置电流高达19mA 　　Rx输出可选择去加重 　　支持SPI EEPROM和IIC EEPROM 　　可调节调制输出的眼图交叉点 　　工作温度: -40度 到 90度

        技术成熟度：技术突破         研发团队以设计制备宽光谱超材料吸收器和像元级集成红外探测器为研究主线，在超薄宽带高吸收原理与策略、材料/器件设计与制备方面取得了突破性进展。围绕器件吸收率低、噪声等效温差（NETD）大、集成兼容性差的难题，提出了无损与损耗型介质结合、多模谐振耦合光吸收的思路，获得超薄宽带高吸收率材料；提出将超薄宽带高吸收率材料与非制冷红外探测器像元级集成新思路，获得了宽谱、NETD小、多色探测的非制冷红外探测器，NETD降低3倍，研究成果已在中国兵器北方夜视广微科技应用转化。         意向开展成果转化的前提条件：中试放大及产业化工艺开发资金支持

产品详细介绍 普教仪器类产品：QQ:1253764387     电话：0571-88993992     手机：15356159906