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一种用于芯片倒装的多自由度键合头
本发明公开了一种用于芯片倒装的多自由度键合头，包括安装立板、对准机构和调平机构，其中对准机构包括纵向设置在安装立板上部的 Z 向模组和横向设置在 Z 向模组上的支架，并在 Z 向电机和旋转电机的配合驱动下实现键合头相对于 Z 轴方向的对准运动；调平机构包括固定设置在支架下侧的上平台、带有吸嘴的下平台和设置在上下平台之间的三个支链结构，其中调平中心链的两端分别通过转动副与上下平台相连，分布在中心链两侧的两个调平侧链各自配备有作为调节动力输入的移动副，且其上下端分布通过多个转动副与上下平台相连。通过本发
华中科技大学
2021-04-14
一种面向柔性芯片的多顶针剥离装置及剥离方法
本发明公开了一种面向柔性芯片的多顶针剥离装置，包括固定 座、双真空腔室、多顶针机构和凸轮旋转驱动机构，其中：双真空腔 室由分设在内、外侧的真空内腔室和真空外腔室共同组成，并且真空 内腔室还可独立发生上下滑动；多顶针机构由同轴安装且彼此独立操 控的内外圈顶针机构共同组成，它们沿着竖直方向整体设置在真空内 腔室下部，并各自包括顶针、支撑架和从动子；凸轮旋转驱动机构用 于实现内外圈顶针机构上下动作时序的控制，同时实现单顶针与多顶 针之间的灵活切换。本发明还公开了相应的剥离工艺方法。通过本发 明，能够显著提
华中科技大学
2021-04-14
一种适用于芯片转移的倒装键合控制方法
本发明属于芯片贴装工艺相关领域，并公开了一种适用于芯片 转移的倒装键合控制方法，主要包括：基于大转盘仰视相机和晶元盘 斜视相机的观测和配合，对芯片从晶元盘至大转盘单元的吸附转移执 行角度及位置控制；基于大转盘俯视相机和小转盘侧视相机的观测和 配合，对芯片从大转盘单元至小转盘单元的拾取转移执行角度及位置·108·控制；以及基于小转盘仰视相机和小转盘俯视相机的观测和配合，对 芯片至基板的贴合过程执行相应控制。通过本发明，不仅能够实现芯 片高效倒装键合整个过程中芯片在位置及角度
华中科技大学
2021-04-14
一种用于承载芯片的定位平台的旋转中心标定方法
一种用于承载芯片的定位平台的旋转中心标定方法本发明公开了一种基于 LED 芯片扫描的旋转中心标定方法，具 体包括以下步骤:步骤一，芯片扫描，获取同一次装夹后不同旋转角 度下的两组扫描坐标数据;步骤二，扫描数据预处理，去除两组数据 中仅被识别一次的芯片坐标;步骤三，获取初步旋转中心;步骤四， 以旋转中心为参考，规划两个的区域 A、B，旋转前其芯片序列为 PA、 PB，旋转后为 P′A、P′B;步骤五，求 PAP′A，P
华中科技大学
2021-04-14
电路板及BGA芯片焊点虚焊红外无损检测仪
本成果功能全面，一机在手可实现电路板上常见的各类贴插焊点及QFP、BGA等芯片焊点的质量检测，确保出厂焊点完美无缺。QFP及贴插焊点可编程扫描检测；BGA芯片焊点可实现红外成像检测，智能筛选，无需逐个焊点比对（一块BGA芯片焊点通常在几十至几千个）。
一、项目分类
显著效益成果转化
二、成果简介
成果依据热传导学原理，开创性地将红外无损检测技术应用于电路板焊点虚焊检测领域，基于先进的检测原理和方法，本产品可准确检测出以往无论是AOI还是最高端的5aDAXI皆无法判明的焊点内部缺陷，且可定性定量。
历经十余年潜心研究，本成果不仅可对电路板上“可视“（看得见）类焊点（常规贴插焊点、DIP、QFP芯片等）进行检测，更一举突破了非可视（焊点在芯片下面）类BGA芯片焊点的质量检测难题。
BGA类芯片由于不可替代的先进性，正在得到广泛应用，但由于其焊点隐藏于芯片与电路板之间，焊点质量检测问题也同时成为电子行业的痛点。厂家即使拥有价值几百万的3D-5DAXI也只能用来数焊点里的气孔，无法确定是否有虚焊（X光适用于检测气孔等体积类缺陷，对裂纹、虚焊无效）。
本成果功能全面，一机在手可实现电路板上常见的各类贴插焊点及QFP、BGA等芯片焊点的质量检测，确保出厂焊点完美无缺。QFP及贴插焊点可编程扫描检测；BGA芯片焊点可实现红外成像检测，智能筛选，无需逐个焊点比对（一块BGA芯片焊点通常在几十至几千个）。
本成果还有操作简单，无需操作者专业背景，检测过程快速安全无辐射，实现对产品原位无损检测等优点。
毫无疑问，本成果可填补市场空白，技术水平处于国际领先地位。
哈尔滨工业大学
2022-08-12
基于电控液晶红外发散平面微柱镜的红外波束控制芯片
本发明公开了一种基于电控液晶红外发散平面微柱镜的红外波束控制芯片。其包括电控液晶红外发散平面微柱镜阵列；电控液晶红外发散平面微柱镜阵列包括液晶材料层，依次设置在液晶材料层上表面的第一液晶初始取向层、第一电隔离层、图形化电极层、第一基片和第一红外增透膜，以及依次设置在液晶材料层下表面的第二液晶初始取向层、第二电隔离层、公共电极层、第二基片和第二红外增透膜；公共电极层由一层匀质导电膜构成；图形化电极层由其上布有 m×n
华中科技大学
2021-04-14
中国科大在InGaAs单光子探测芯片设计制造领域取得重要进展
研究团队通过设计金属—分布式布拉格反射器优化单光子探测器芯片的光学性能，完成低本征暗计数的单光子探测器芯片的全自主化设计与制备，实现了单光子探测器芯片的全国产化，为解决国家亟需的前沿科技问题迈进了重要一步。
中国科学技术大学
2022-06-02
可实现纯紫外发光的ＺｎＯ基异质结发光二极管的制备方法
本发明公开了一种可实现纯紫外发光的ＺｎＯ基异质结发光二极管的制备方法，包括如下步骤：在蓝宝石衬底上生长ｎ?ＺｎＯ纳米线；采用磁控溅射法在ｐ?ＧａＮ上溅射一层ＡｌＮ薄膜；采用溅射法或者电子束蒸镀分别在ｎ?ＺｎＯ和ｐ型ＧａＮ一端制备具有欧姆接触的金属电极；将ＡｌＮ薄膜／ｐ?ＧａＮ紧扣在ｎ?ＺｎＯ纳米棒阵列上面形成异质结，构成完整的器件。本发明在蓝宝石上直接生长ＺｎＯ纳米棒阵列，提高ＺｎＯ结晶度，提高电学性能，有效消除晶体质量差的问题；引入ＡｌＮ隔离层，有效较少了结区的剩余电子，增加ＺｎＯ区载流子复合效率，实现纯ＺｎＯ紫外发光；ｎ?ＺｎＯ纳米棒阵列／ＡｌＮ／ｐ?ＧａＮ异质结发光二极管，发光位置在３８５ｎｍ左右，半峰宽为１４．５ｎｍ。
东南大学
2021-04-11
一种具有双掺杂多量子阱结构的紫外发光二极管
本发明公开了一种具有双掺杂多量子阱结构的紫外发光二极管，包括：由下至上依次设置的衬底，AlN中间层、非掺杂AlGaN缓冲层、n型AlGaN层、双掺杂的AlxGa1?xN/AlyGa1?yN多量子阱有源区、AlzGa1?zN电子阻挡层，其中z>y>x，p型AlGaN层和透明导电层，在n型AlGaN层和透明导电层上分别设置的n型欧姆电极和p型
东南大学
2021-04-14
绿蓝混合式LED的人眼友好型鸡舍光照方法及系统
本发明公开了一种绿蓝混合式LED的人眼友好型鸡舍光照方法及系统。鸡舍内，建立均匀分布的青色光环境，使得肉鸡在青色光环境中饲养，青色光环境包括混合式LED灯，混合式LED灯由绿色LED与蓝色LED在同一盏灯具下组合而成，绿色LED和蓝色LED比例为1:5~5:1，育雏期前三日内混合式LED灯全天照明，育雏期第四日开始照明时间每天递减1小时；四个混合式LED灯组成的正方形阵列均匀布置在鸡舍内，LED控制器与照度传感器、混合式LED灯连接，照度传感器安装在鸡舍的地面上。本发明采用绿蓝混合式LED灯及科学的布置方法，充分利用了绿光和蓝光的敏感性反应，提高肉鸡各项生产指标，形成的青色光非常利于人眼的保护。
浙江大学
2021-04-11