可以量产/n突破了紫外LED的专用衬底、外延材料、芯片器件及专用设备的全套核心制备 技术，掌握了250-400nm波段的紫外LED制备技术，尤其在波长300nm以下的深紫外 LED方面掌握独特的国际先进技术，率先研制出国内首支毫瓦级深紫外LED器件，目 前深紫外LED单管芯输出功率可达到超过4 mW，达到了可实用化水平。相关核心技 术在照明中心的产业化设备平台上进行了充分验证，具备了产业化转移的能力和条 件。 深紫外LED在杀菌消毒、医疗卫生、生物探测、安全通讯、白光照明等诸多领 域有着广阔的市场前

本实用新型公开了一种紫外 LED 器件，它包括紫外 LED 芯片、玻璃盖板和陶瓷基座；所述玻璃盖板边缘设有焊料环；所述陶瓷基座上开设有用于放置紫外 LED 芯片的凹槽，所述陶瓷基座上于所述凹槽的外围设有环形金属焊框；所述焊料环与金属焊框通过感应局部加热的焊接方式连接在一起。本实用新型的目的是解决紫外 LED 器件封装难题，通过结构设计与感应局部加热实现玻璃盖板与陶瓷基座间的低温封装，提高紫外 LED 器件的封装效率与可靠性。

近年来,半导体光源正以新型固体光源的角色逐步进入照明领域。由于半导体照明具有高效、节能、环保、使用寿命长、响应速度快、耐振动、易维护等显著优点,所以在国际上被公认为最有可能进入通用照明领域的新型固态冷光源。随着其价格的不断降低,发光亮度的不断提高,半导体光源在照明领域中展现了广泛的应用前景。业界普遍认为,半导体灯取代传统的白炽灯和荧光灯,是大势所趋。而半导体发光二极管（Light Emitting Diode , 简称LED）被认为是最有可能进入普通照明领域的一种绿色照明光源，按固体发光物理学原理,LED发光效率能近似100 % ,并具有工作电压低、耗电量小、发光效率高、响应时间极短、光色纯、抗冲击、性能稳定可靠及成本低等优点,因此被誉为21 世纪新光源,有望成为继白炽灯、荧光灯、高强度气体放电灯之后的第四代光源。虽然LED具有以上的很多优点，但是发光效率和使用寿命仍是制约其普及应用的主要因素。 目前国内大多致力于LED外部封装结构的研究，而公司里多采用进口芯片，如cree芯片，再在现有基础上进行外部封装结构和设计。而即便是散热好，寿命长，取光效率比较好的封装结构，国内所能达到的水平也就是刚刚超出100lm/w。主要原因在于其封装材料的选择和封装结构的不合理性，浪费了芯片的出射光，从而降低了取光效率。而国外LED不仅在外部封装结构，而且在芯片方向都明显优于国内水平，所以基本垄断国内LED的市场，尤其对于功率型白光LED的垄断相当严重。而这些高亮度半导体LED芯片生产技术掌握在以美国Cree和Lumileds、日本的Nichia和Toyoda Gosei，以及欧洲的Osram等为首的少数大公司手中。 现在功率型白光LED 的光效已提高到80～100lmPW,而真正能够取代白炽灯和荧光灯进入通用照明市场,其光效需要达到150lm/ W。这一方面要求在芯片的制作上不断提高LED 的量子效率,同时还要求在LED 的封装及灯具的设计制作过程中尽可能提高出光效率。现有的LED出光效率低的原因之一是，LED芯片的折射率较高，LED发出的光在出射芯片的时候，有相当一部分光被芯片与外界（环氧树脂）的界面反射。本产品是通过特殊镀膜方法，使LED芯片出光效率提高了10%。可以有效的增加LED的使用寿命，达到2万小时以上，而且可以使发光效率达到120lm/w到160lm/w。拥有这样长寿命和高出光效率的白光LED，必将引领整个照明市场，必将产生丰厚的利润，具有非常好的发展前景。

1.本外观设计产品的名称：LED 芯片高速自动分选机。2.本外观设计产品的用途：用于对 LED 芯片执行自动分选的装置。3.本外观设计的设计要点：分选机的整体形状和图案，及其操控键的形状和分布。4.最能表明设计要点的图片或者照片：立体图。5.该装置的顶面和底面未涉及产品设计要点且不常见，故省略俯视图和仰视图。

LED具有长寿命、节能环保、微型化等优点，是目前最具竞争力的新一代绿色照明光源。突破高发光效率的功率型高端LED芯片技术，将加快实现LED在通用照明、可见光通信、高端显示等领域的应用。在国家863计划、广东省战略性新兴产业LED专项等重大项目的支持下，项目团队成功开发出效率超过130lm/W的高压LED芯片、大尺寸垂直LED芯片和新型倒装薄膜LED芯片，相关技术指标处于国内领先水平。相关成果发表在Nanoscale Research Letters等国际权威期刊上，申请了22 项国家专利，其中已授

最近以来，LED照明以其节能环保等优点，获得了大规模的应用。 传统的黄色荧光粉YAG：Ce3+在蓝光LED芯片激发下发出黄色的光，通过蓝光和黄光复合产生白光，但这种粉体不能应用于高能量的紫外LED芯片产生白光，因为YAG：Ce3+的光谱中缺乏蓝光波段。本项目通过特有的表面包覆和处理技术，使得YAG：Ce3+的外观和普通YAG：Ce3+没有区别，但在紫外光365nm激发下，不仅呈现出黄光发射，而且具有蓝光发射，通过调控膜层的组成和厚度，匹配与紫外LED芯片时，器件发射出CIE坐标（0.32,0.33）的白光。 利用此方法，可使得YAG:Ce3+粉发出蓝光和黄光两种波段，进而复合产生白光，工艺简单，技术领先。

成果简介： 最近以来，LED照明以其节能环保等优点，获得了大规模的应用。 传统的黄色荧光粉YAG：Ce3+在蓝光LED芯片激发下发出黄色的光，通过蓝光和黄光复合产生白光，但这种粉体不能应用于高能量的紫外LED芯片产生白光，因为YAG：Ce3+的光谱中缺乏蓝光波段。本项目通过特有的表面包覆和处理技术，使得YAG：Ce3+的外观和普通YAG：Ce3+没有区别，但在紫外光365nm激发下，不仅呈现出黄光发射，而且具有蓝光发射，通过调控膜层的组成和厚度，匹配与紫外LED芯片时，器件发射出CIE坐标（0.32,0.33）的白光。 利用此方法，可使得YAG:Ce3+粉发出蓝光和黄光两种波段，进而复合产生白光，工艺简单，技术领先。

TDA（芯片热设计自动化）软件是清华航院曹炳阳教授团队全自主研发的国际首个芯片跨尺度热仿真与设计系统。TDA软件可实现芯片从纳米至宏观尺寸的热设计与仿真，支持芯片微纳结构内部热输运过程的模拟研究，直接提高芯片热仿真精度与结温预测准确度，进而提高芯片性能、寿命和可靠性。

        技术成熟度：技术突破         研发团队以设计制备宽光谱超材料吸收器和像元级集成红外探测器为研究主线，在超薄宽带高吸收原理与策略、材料/器件设计与制备方面取得了突破性进展。围绕器件吸收率低、噪声等效温差（NETD）大、集成兼容性差的难题，提出了无损与损耗型介质结合、多模谐振耦合光吸收的思路，获得超薄宽带高吸收率材料；提出将超薄宽带高吸收率材料与非制冷红外探测器像元级集成新思路，获得了宽谱、NETD小、多色探测的非制冷红外探测器，NETD降低3倍，研究成果已在中国兵器北方夜视广微科技应用转化。         意向开展成果转化的前提条件：中试放大及产业化工艺开发资金支持