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MEMS 压力传感器
已有样品/n已完成针对低、中、高压（10kPa-40MPa）MEMS 压力芯片的原型器件开发；能 够针对不同应用领域的 MEMS 压力芯片进行优化设计，解决提高灵敏度和降低非线 性、芯片长期工作稳定性的关键技术难题；原型芯片的研发技术符合工程量产化技 术要求，易于快速转化和量产；与国外知名公司产品相比，技术指标相当，部分指 标如灵敏度温漂系数相比优异。 MEMS压力传感器可应用于工业类仪器仪表、油井勘探、工业自动化控制中压力 监测、可穿戴、智慧医疗领域压力测量、汽车电子等领域。年需求量可达数千万只。
中国科学院大学
2021-01-12
高速 CMOS 图像传感器
已有样品/n主要技术指标：图像分辨率 800×600；量化位宽 12bit；图像帧率 1000fps；动 态范围 70dB；工作温度范围在-25℃至 85℃；芯片功耗 0.67W；同时定制的图像传 感器工艺和设计流程，具有更佳的高速图像获取能力。 高速图像传感器可应用于工业生产、农业生产、智能交通、虚拟现实、科学研 究、国防军事及其他民用领域。具体来说，高速图像传感器可应用于汽车碰撞试验、 火箭发射、弹道测试、体育赛事、目标追踪、微表情研究和高速车牌识别等领域。
中国科学院大学
2021-01-12
MEMS压力传感器
成果简介： 自然频率 55kHz-79 kHz 量程 Normal：9kPa-120kPa Extended：5kPa-160kPa 灵敏度 50-80Hz/kPa 一个大气压下（101.3kPa）的谐振频率 63 kHz-75 kHz 受温度的影响 15V±1.5V 驱动电压 50-80Hz/kPa
电子科技大学
2017-10-23
纳米纤维气体传感器
1、 成果简介：（500字以内）以可溶性金属盐为金属氧化物前驱体，高分子和溶剂为原料，采用电纺丝技术，制备含高分子和金属氧化物前驱体的复合纤维，然后将该纤维烧结除去高分子，从而得到陶瓷基半导体金属氧化物纳米纤维材料。采用该方法制备的一维超长连续半导体金属氧化物陶瓷纳米纤维气体传感器（例如：乙醇、甲醛、氨气、湿气、氢气等等），具备响应恢复迅速、灵敏度高、气体选择性好、稳定性好、使用寿命长等优点。该方法适用于各种以可溶性金属盐为原料的陶瓷氧化物，具有设备简单、成本低、性能高、易于
吉林大学
2021-04-14
土壤基质势传感器
本外观设计产品的名称：土壤基质势传感器。2．本外观设计产品的用途：本产品用于测量土壤基 质势。3．本外观设计产品的设计要点：本产品的形状。4．最能表明本外观设计设计要点的图片或照片： 立体图
武汉大学
2021-04-14
光纤位移传感器系统
在现行的铁路运行系统中，铁路道岔的搬动是靠转辙机来完成的，而道岔是否搬到位又是借助于一种被称为缺口检测的机械传动装置来实现的，由于这种机械传动装置只能检测开关量而不能检测具体位移量、有误报警却不能立刻识别等缺点，给行车安全带来极大的隐患。为了解决这一问题本项目设计研制了一种新型的光纤位移传感器系统。与传统传感器相比，光纤传感器具有灵敏度高、频带宽，测量动态
西安交通大学
2021-01-12
传感器实验台
传感器实验台是在本公司为适应不同类别、不同层次的专业需要而推出的模块化新产品，主要用于“传感器原理”“自动检测技术”“非电量电测技术”“工业自动化仪表与控制”“机械量电测”等课程的实验教学。
浙江高联电子设备有限公司
2021-02-01
传感器实验仪
杭州赛特传感技术有限公司
2022-05-31
基于 ISFET 传感器的智能传感系统
项目简介： 随着生物、医疗、药物以及环境等领域水平的不断提高，对各种 生化传感器的需求也在不断提高。不仅要求传感器能够完成准确的快速检测，而且希望传感器具有低功耗、便携等特点，能够随时随地的 完成检测功能。 ISFET（Insulator Semiconductor Field Effect Transistor）是一种类 似于 MOSFET 结构的转换器，可通过 MOS 工艺来制作完成。基于 ISFET 转换器及不同的敏感膜可研制成低功耗的生化传感器，用于测 量多种生物化学量（如 pH，氧气，臭氧，二氧化碳，葡萄糖，Con A 蛋白等）。之后将传感器与测量电路、通讯电路集成，可构成低功耗 的手持智能设备，与手机直接通讯，也可与低功耗传感网络结合进行 组网检测。 项目特色： 如下图所示，基于 ISFET 传感器的智能系统包括 ISFET 转换器、 敏感膜、ISFET 测量电路、通讯电路等内容。 基于 ISFET 传感器的智能系统，具有尺寸小、速度快、功耗低、 集成度高（可与后端电路集成在一起，也可多个传感器集成在一起来 测量多个参数）等优势。
南开大学
2021-04-11
高性能红外光电探测器件
红外光电探测器在国防军事方面有重要的应用前景，比如红外制导、红外追踪、夜视仪等等。目前国外使用的主流红外光电探测器是基于碲镉汞的制冷型探测器和氧化钒/非晶硅的非制冷型探测器。对于碲镉汞探测器来说，一方面在高质量的材料生长上存在很大的挑战；另一方面它需要辅助制冷装置来提供 77 K 的低温环境，极大地限制了其便携性和广泛使用性。而基于氧化钒/非晶硅的非制冷型探测器由于其热辐射引发电阻变化的机制极大地限制了探测率（小于 10
南京大学
2021-04-14