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锦正茂原厂原装实验室仪器仪表数显智能低温温度控制器
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北京锦正茂科技有限公司 2022-04-18
4K闭循环液氦低温恒温器 G-M制冷机为依托
 
北京锦正茂科技有限公司 2022-06-29
一种水轮发电机组励磁系统 PID 控制参数的优选方法
本发明公开了一种水轮发电机组励磁系统 PID 控制参数优选方法,用于在水轮发电机组励磁系统中对 PID 控制参数进行优选。根据水轮发电机组励磁系统建立仿真模型,然后依据该仿真系统建立以水轮发电机机端电压和参考电压为状态量的目标函数,运用本发明设计的优选方法求解目标函数得到最优 PID 控制参数。本发明设计的水轮发电机组励磁系统 PID 控制参数的优选方法,采用一种新型启发式优化算法优化目标函数,能搜索到更小的目标函数值,得到的解代表更优的 PID 控制参数。更优的 PID 控制参数能使水轮发电机组励
华中科技大学 2021-04-14
大型汽轮发电机组(300MW、600MW)异常振动诊断及治理技术
主要成果和创新点及应用情况如下:理论计算和试验分析确定了华能南京电厂320MW机组、哈尔滨第三发电厂600MW机组异常振动的主要轴系标高分布和载荷分配不合理,在国内首次从工程上证实了可倾瓦存在失稳的新理论,并通过标高调整等治理措施,彻底消除了这两台机组低频振动故障;改进了传统轴承载荷计算方法,首次提出了轴承载荷对任意轴承标高变化的灵敏度分析方法,并直接应用于现场机组的故障诊断和检修治理.
东南大学 2021-04-10
超临界二氧化碳循环流化床燃煤锅炉及其驱动的发电系统
本发明公开一种超临界二氧化碳循环流化床燃煤锅炉,采用超临界二氧化碳代替现有循环流化床锅炉内蒸汽作为吸热做功的工质,工质吸热过程包括一次分流和一次再热。超临界二氧化碳循环流化床锅炉工质受热面包括设置在炉膛内的二氧化碳冷壁屏式加热器和高温再热器;分离器出口处至炉膛在回料器段并行布置以灰作为热源的外置上级省煤器;尾部烟道内沿烟气流动方向受热面包括低温再热器和下级省煤器。本发明还公开了该超临界二氧化碳循环流化床燃煤锅炉驱动发电的发电系统。本发明的超临界二氧化碳循环流化床燃煤锅炉强化了再热器高温段的烟气传热,同时也缓解了尾部烟道热量需求压力,能够有效降低污染物的排放量、排烟温度,增大锅炉效率。
东南大学 2021-04-11
清华与哈佛研究团队合作揭示空气质量提升对光伏发电与碳中和目标的协同效益
在碳中和目标驱动下,光伏发电装机水平预计将成倍增长。空气污染将会降低光伏发电水平,有损光伏发电的“减污降碳”效益,然而,我国空气污染及其改善对光伏发电的影响仍缺乏系统研究。
清华大学 2022-05-09
一种抗硫抗水的低温脱硝复合分子筛催化剂及其制备方法
本发明涉及一种抗硫抗水的低温脱硝复合分子筛催化剂及其制备方法,该催化剂采用浸渍法制备,以菱沸石分子筛H?SAPO?34为载体,活性组分为过渡金属Cu和Mn的复合氧化物,助剂为Ce、Fe、Co、Mo、Cr中的一种,负载量按质量百分比计:活性组分中铜元素和锰元素的质量分别为2%~10%,助剂为1~10%。该发明的脱硝复合分子筛催化剂与单一组分的Cu或Mn
东南大学 2021-04-14
中国科学技术大学在基于协同抑冰的活细胞低温保存方向取得新进展
近日,中国科大信息科学技术学院赵刚教授与中国科大附属第一医院刘会兰主任合作,基于二维碳化钛(Ti3C2Tx) MXene纳米片的协同抑冰效应,实现了活细胞的高效深低温冷冻保存。
中国科学技术大学 2022-07-11
DT640硅二极管温度传感器低温温度测量裸片温度计
       DT640系列硅二极管温度传感器选用了专门适用于低温温度测量的硅二极管。相比普通硅二极管,具有重复性好、离散性小、精度更高温度范围更宽、低温下电压相对高而易于测量等特点。所有此款温度计都较好地遵循一个电压-温度(V-T)曲线,因而具有更好的可互换性。很多应用中都不需要单独的标定。       DT640-BC型裸片温度计,相比市场上的其它温度计,具有尺寸更小、热容更小、响应时间更短的特点。在尺寸、热容以及响应时间有特殊要求的应用中具有独特的优势。    您也可以直接登录淘宝网首页搜索“锦正茂科技”,可以看到我们的淘宝店铺,联系更加方便! 特点: ※ 激励电流小,因而具有很小的自热效应;  ※ 符合标准曲线,具有良好的互换性; ※ 多种封装,不易损坏、耐温度冲击、易于安装; ※ 在宽温度范围1.4K-500K内,可提供较好的测量精度; ※ 遵循DT-640标准温度响应曲线; ※ 多种可选封装方式。 您也可以直接登录淘宝网首页搜索“锦正茂科技”,可以看到我们的淘宝店铺,联系更加方便! 参数: ※ 温度范围:3K~500K; ※ 标准曲线:DT640 ※ 推荐激励电流:10µA±0.1%; ※ 可重复性:10mK@4.2K,16mK@77K,75mK@273K。 ※ 反向电压高达:75V; ※ 损坏前电流高达:长时间200mA 或瞬间1A; ※ 推荐激励下的功率耗散:20µW@4.2K; 10µW@77K; 6µW@300K; ※ BC封装响应时间:10ms@4.2K, 100ms@77K, 200ms@305K; ※ 辐射影响:只推荐在低辐射场合下使用; ※ 磁场影响:不推荐在磁场环境下使用。 ​​​​​​​
北京锦正茂科技有限公司 2022-01-21
DT640硅二极管温度计温度传感器低温测量仪器
北京锦正茂科技有限公司 2022-03-21
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