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一种纳米结构的氧化亚铜基PIN结太阳能电池及其制备方法
本发明涉及一种纳米结构的氧化亚铜基PIN结太阳能电池及其制备方法。该太阳能电池结构包括:衬底;P型氧化亚铜纳米线阵列,该P型氧化亚铜纳米线阵列生长在衬底上;绝缘层,该绝缘层沉积在P型氧化亚铜纳米线阵列表面;N型层,该N型层填充在绝缘层外并且形成一层薄膜;N型欧姆电极,该N型欧姆电极制作在N型层上;P型欧姆电极,该P型欧姆电极制作在P型氧化亚铜纳米线阵列层上。本发明中纳米线阵列结构可提高电池的结面积,减小载流子的扩散距离,PIN结构可有效增大耗尽层宽度,大大提高载流子的分离和收集效率,从而提高太阳能电池的能量转换效率。本发明采用的原料丰富、廉价、无污染,采用的制备方法有电化学沉积法、磁控溅射法及电子束蒸发法,都可以大规模应用于工业生产中,有广阔的发展前景。
浙江大学 2021-04-11
节能环保颗粒氧化铅移动床深度氧化快速冷却
该技术以油代电、在移动床中实现深度氧化和快速冷却,设备密闭,过程连续,是生产颗粒氧化铅的国际首创全新技术。东南大学在实验室研究、数学模型研究的基础上,与江苏天鹏化工集团有限公司合作,开发出颗粒氧化铅移动床深度氧化煅烧和快速冷却新技术,设计了两套年产各为1500吨的生产装置,经过调试,各项技术指标均达到设计要求。在此基础上,经过工业试验和审慎的放大设计,2000年两套年产各为15000吨的放大装置相继投入生产。
东南大学 2021-04-10
高氧化度的天然高分子多糖的氧化方法
本发明公开了一种高氧化度的天然高分子多糖的氧化方法,以还原性多糖为原料在氧化剂的作用下制取水凝胶,采用如下的工艺条件:以高碘酸钠作为氧化剂,以至少一种以下物质:盐酸、硫酸、磷酸、醋酸、甲酸、柠檬酸、具有Lewis酸性质的绿色溶剂离子液为催化剂;调节体系的pH在酸性范围在室温下避光反应4小时,经后处理得到不同氧化度的天然高分子多糖高强度水凝胶。本发明方法获得的产品具有氧化度高,与其它反应物之间的交联更加容易,形成的化学键更加牢固的优点,能形成高强度水凝胶,并且凝胶的降解速率可以得到控制,适合用于制备骨组织功能材料。
西南交通大学 2016-07-05
溶胶-凝胶法合成高纯超细金红石型钛白粉
超细高纯金红石型钛白粉是利用其随角异色性,在轿车闪光面漆中应用获得色彩丰富的涂层,并使漆面经久耐用,长期保持鲜艳如新。随着高速公路和轿车工业的快速发展,高档面漆市场供不应求,主要原因是金红石型钛白粉生产厂家太少,主要是依赖进口,使成本大幅增加。在国外发达国家中,研究和生产这类产品的厂家较多,并研究开发成功了较多的生产方法,如液相中和法,四氯化钛气相水解法,烷氧基钛气相水解法,胶体化学法等。它们各有优缺点,其中,第一、四种方法原料来源较为方便,且价格较低,因而采用更普遍一些。 以钛铁矿和浓硫酸为原料先制得硫酸氧钛,加入纯碱溶液,生成氢氧化钛沉淀,再加入盐以生成水合二氧化钛凝胶,用阴离子表面活性剂使之成为凝胶,再采用有机溶剂进行挤水处理,得到有机凝胶,再除去有机溶剂,在低于阴离子表面活性剂的分解温度下进行热处理,即可得到超细高纯金红石型钛白粉产品。
武汉工程大学 2021-04-11
城市气溶胶相态垂直分布的激光雷达遥感技术
大气气溶胶,即大气中的悬浮颗粒物。通常所说的PM10(粒径小于10微米,可吸入颗粒物)或者PM2.5(粒径小于2.5微米,可入肺细粒子)是大气气溶胶的重要组成部分。从生成来源上看,大气气溶胶分为一次气溶胶(Primary Aerosols)和二次气溶胶(Secondary Aerosols)。一次气溶胶指自然界或人类活动直接排放的气溶胶粒子;二次气溶胶指通过大气中的物理、化学过程新生成的气溶胶粒子。在大气污染过程中,汽车尾气以及人类其他燃烧过程中产生的氮氧化物、煤炭等含硫燃料燃烧产生的二氧化硫等气体通过参与这些复杂的过程产生二次气溶胶,即“气-粒”转化过程。二次气溶胶是重度霾过程的气溶胶污染物的重要来源。 大气气溶胶以固态、半固态或者液态几种形式的相态而存在,其相态与上述大气中的化学过程有着紧密的联系。气溶胶粒子可以作为大气化学反应的“容器”,在气溶胶表面或内部进行与二次气溶胶生成有关的化学反应。气相分子在不同相态的颗粒物中的传输速率差别很大,固态气溶胶几乎只有表面能发生气相化学反应,而液态气溶胶在颗粒内部也能发生化学反应。因此化学反应加速与液态气溶胶表面积和体积的增大会形成正反馈过程,在液态气溶胶上发生的异相化学反应生成二次气溶胶,对雾霾过程中颗粒物爆发性增长有重要的贡献。因此,对城市气溶胶在边界层内以什么相态存在的空间分布的探测,是研究二次气溶胶生成、演化和扩散所迫切需要的一项技术,对于理解雾霾形成的机理有着重要的意义。 气溶胶的相态与颗粒物的化学组分和环境的相对湿度有关。目前对于颗粒物相态的测量,通常仅限于地面采样观测,缺少垂直空间方向上颗粒物相态的探测手段。在颗粒物浓度相对较高的大气边界层内,垂直方向上相对湿度往往有很大的变化,气溶胶的相态也一定存在很大差异。 北京大学物理学院大气与海洋科学系李成才副教授研究组与北京大学环境科学与工程学院朱彤教授研究组、吴志军研究员研究组共同合作,提出了一种新的利用偏振激光雷达获得气溶胶粒子相态垂直廓线的方法。气溶胶粒子对入射电磁波的散射过程,会造成散射光偏振特性的改变,如果利用线偏振光照射,散射光的偏振度相对于入射光会减小,这种改变称为气溶胶的退偏振能力。利用激光雷达观测的大气退偏振比可以对气溶胶粒子进行分类,例如非球形的冰晶和沙尘具有较大的退偏振比,而近于球形的城市气溶胶细粒子具有较小的退偏振比,区分沙尘与城市细粒子气溶胶的观测技术在国内外已经比较成熟,通常也是激光雷达业务观测的一项主要内容。但是把类似的观测进一步应用于区分城市气溶胶细粒子的特性,国际上尚没有相应的研究结果。通常来说,固态颗粒物形状不规则,而液态颗粒物更趋近于球型,不同相态的粒子退偏振能力存在差异。结合激光雷达垂直观测以及地面颗粒物相态仪的测量,研究组发现,激光雷达观测的城市气溶胶细粒子后向散射退偏振比与气溶胶粒子的弹跳率(与相态相关)具有很好的关系,从而建立了利用气溶胶粒子后向散射退偏振比反演气溶胶相态的参数化方案,并在国际上首次实现了长时间实时连续的气溶胶相态垂直廓线的探测。偏振激光雷达反演气溶胶粒子相态概念图 该研究成果已在线发表在美国化学学会(ACS)主办的环境与生态领域国际顶级期刊Environmental Science & Technology Letters(2018 IF=6.934)上。大气与海洋科学系博士研究生檀望舒为论文第一作者,通讯作者为李成才副教授。北京大学为唯一通讯作者单位。论文评审人之一对论文成果基于高度评价:“......to my knowledge, it is the first time in field studies. Particle phase states have been a hot topic because they can potentially influence the rates of gas-particle partitioning and multiphase reactions. I think this is a timely paper on this topic. The use of lidar depolarization to detect the particle phase states is novel”。
北京大学 2021-04-11
一种钛合金表面溶胶凝胶透辉石涂层的方法
(专利号:ZL 201310128992.1) 简介:本发明涉及一种钛合金表面溶胶凝胶透辉石涂层的方法,属于金属材料涂层制备技术领域。该方法包括:a、称取硝酸钙、硝酸镁、正硅酸乙酯,将上述组分溶入无水乙醇中;b、将上述混合溶液在室温下搅拌,然后陈化;c、依次用酒精、丙酮将钛合金片超声清洗;d、将清洗后的钛合金片浸入步骤b陈化后的溶液中,提拉得到涂层;e、将带有涂层的钛合金片干燥;f、对干燥之后的钛合金片重复步骤d-e的处理5次;g、将步骤
安徽工业大学 2021-01-12
安徽中航纳米技术发展有限公司
安徽中航纳米技术发展有限公司 2025-06-20
宽禁带半导体碳化硅电力电子器件技术
宽禁带半导体碳化硅(SiC)材料是第三代半导体的典型代表之一,具有宽带隙、高饱和电子漂移速度、高临界击穿电场、高热导率等突出优点,能满足下一代电力电子装备对功率器件更大功率、更小体积和更恶劣条件下工作的要求,正逐步应用于混合动力车辆、电动汽车、太阳能发电、列车牵引设备、高压直流输电设备以及舰艇、飞机等军事设备的功率电子系统领域。与传统硅功率器件相比,目前已实用化的SiC功率模块可降低功耗50%以上,从而减少甚至取消冷却系统,大幅度降低系统体积和重量,因此SiC功率器件也被誉为带动“新能源革命”的“绿色能源”器件。 本团队在SiC功率器件击穿机理、SiC功率器件结终端技术、SiC新型器件结构、器件理论研究和器件研制等方面具有丰富经验,能够提供完整的大功率SiC电力电子器件的设计与研制方案。目前基于国内工艺平台制作出1600V/2A-2500V/1A的SiC DMOS晶体管(图1,有源区面积0.9mm2);4000V/30A的SiC PiN二极管(图2);击穿电压>5000V的SiC JBS二极管(图3)。 a b c 图1 1.6-2.5kV SiC DMOS器件:(a)晶圆照片(b)正向IV测试曲线(c)反向击穿电压测试曲线 a b c 图2 4kV/30A SiC PiN器件:(a)晶圆照片(b)正向导通测试曲线(c)反向击穿电压测试曲线 a b c 图3 5kV SiC JBS器件:(a)显微照片(b)正向导通测试曲线(c)反向击穿电压测试曲线
电子科技大学 2021-04-10
宽禁带半导体碳化硅电力电子器件技术
本团队在SiC功率器件击穿机理、SiC功率器件结终端技术、SiC新型器件结构、器件理论研究和器件研制等方面具有丰富经验,能够提供完整的大功率SiC电力电子器件的设计与研制方案。
电子科技大学 2021-04-10
采用激光选区烧结工艺制备碳化硅陶瓷件的方法
本发明公开了一种采用激光选区烧结工艺制备碳化硅陶瓷件的 方法,包括以下步骤:按照预定质量比称取碳粉、碳化硅粉末、粘结 剂及固化剂倒入球磨罐内,并进行球磨以得到粘接剂-碳化硅混合粉 末;采用计算机对待制备的零件进行三维数字建模,并将三维数字模 型信息输入到激光选区烧结成型机,以所述粘接剂-碳化硅混合粉末为 原料,采用激光选区烧结快速成形工艺进行粉末烧结成型,以得到所 述零件的碳化硅素坯;对所述碳化硅素坯进行加热固化;将
华中科技大学 2021-04-14
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