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PVD技术制备纳米结构超硬保护性涂层
涂层技术是提高刀具性能和寿命的重要途径。随着高速切削、干式切削等先进切削技术的不断发展，对刀具涂层的性能也提出了更高的要求，不仅要具备高硬度、高弹性模量、耐磨性和韧性等机械性能，还要具备抗高温氧化性能、耐蚀性以及优异的高温力学性能(红硬性)，传统的刀具涂层，如TiN、CrN、甚至TiAlN涂层已逐渐不能满足性能的要求。因此，亟需开发高性能的新型保护性涂层材料。 材料结构涂层是利用纳米材料的特异结构产生高硬度的新型涂层材料，包括纳米多层涂层和纳米复合涂层。本项目组采用PVD(物理气相沉积)技术开发的TiAlSiN、TiSiCN、CrAlSiN等纳米复合结构涂层获得近50GPa的超高硬度，同时具有较低的摩擦系数和热稳定性，其使用温度达到1000℃；开发的CrAlN/ZrO2、TiAlN/SiO2等纳米多层涂层，不仅具有超过50GPa的超高硬度，同时由于含有氧化物阻挡层，抑制了外界氧原子向涂层内部的扩散，使涂层抗氧化性能得到大幅提升，同时还具备优异的耐蚀性能。
上海理工大学
2021-04-13
铁电纳米粒子/蓝相液晶复合显示材料
所属行业领域 平板显示及光通讯 成果简介 蓝相液晶由于具有快速的电光响应速度（亚毫秒级）、无需彩色滤光片、无需取向处理、无需视角补偿膜等优点，而被誉为最具革命性的新一代液晶显示材料。然而目前蓝相液晶材料存在蓝相温域窄（通常仅有1～3oC）、驱动电压高以及电光迟滞等问题，限制了其产业化进程。本成果通过开发纳米粒子掺杂蓝相液晶复合显示材料，具有较宽的蓝相温域（-10～10
北京科技大学
2021-04-14
一种铌酸锂纳米器件的刻蚀方法
本发明属于光电器件制备技术领域，具体为一种铌酸锂材料的刻蚀方法。本发明方法包括：在铌酸锂表面制备金属钝化层，用来提高纳米图形的保形性以及侧壁刻蚀倾斜角；沉积硬掩膜，并采用微电子光刻技术进行图形化处理；在待刻蚀的铌酸锂区域沉积活性金属薄膜，以提高刻蚀深度；将覆盖有活性金属层的铌酸锂晶体在还原气氛中进行退火；然后采用相应的酸溶液和碱溶液去掉铌酸锂表面的金属及其与铌酸锂的反应物，得到具有一定刻蚀深度的铌酸锂纳米图形。所制备的大规模铌酸锂纳米器件阵列尺寸可控，保形性和重复性好，侧壁倾斜角大于80°，图形凸块表面光滑。铌酸锂纳米器件制备步骤简单，难度低，可降低大规模生产成本。
复旦大学
2021-01-12
纳米粉体表面修饰改性、分散及应用研究
随着纳米颗粒制备技术的日渐成熟，其应用技术也日益受到人们的广泛重视。但由于纳米颗粒粒径小、比表面积和表面能大、颗粒不稳定极易团聚，导致其优异的性能不能充分发挥，因此纳米技术研究中最艰巨的任务之一是使纳米颗粒能够稳定存在且不发生团聚。最常使用的方法是把纳米颗粒分散于介质中，通过静电稳定机理、位阻稳定机理和静电位阻稳定机理等来制备稳定分散的浆料。其中涉及到的核心科学问题为纳米颗粒的表面改性及其浆料稳定性。
项目组根据不同纳米材料表面特性以及应用场合不同，攻克了纳米粉体表面化学改性技术、纳米粉体在溶液中稳定分散技术等关键技术，制得了纳米四氧化三铁、二氧化钛、氧化铟锡、氧化锌、氧化镁、氮化硅、碳化硅等多种分散稳定性优异的水基、乙醇基浆料，其颗粒平均粒径≤100nm，比表面积≥30m2/g，固含量从0.5～20％不等。不同纳米粉体含量浆料静置稳定性从1～30d至1年不等，研究成果为纳米材料的应用奠定了坚实的基础。
应用前景：
纳米四氧化三铁浆料是采用胶溶化法和添加改性剂及分散剂方法，通过在颗粒表面形成吸附双电层结构阻止纳米粒子团聚来制得。平均粒径在20nm左右，具有超顺磁性，浆料Fe3O4固含量在0.5～20％，浆料静置稳定性在1年左右。可应用在磁性密封、生物医药载体、磁保健、磁记录材料、高梯度磁分离器、微波吸收材料以及静电复印显影剂。
纳米二氧化钛浆料作为产品或产品添加剂应用范围很广，主要可应用于抗紫外剂，纳米环保、抗菌、自清洁剂，随角异色效应型纳米涂料，静电屏蔽剂等。
纳米ITO水基浆料加入水性涂料中，经涂敷制得ITO薄膜。由于ITO薄膜具有优良的光电性能，对可见光的透过率达70％以上，对红外光的反射率≥70％，对紫外线的吸收率≥70％，对微波的衰减率≥85％，导电性和加工性能极好，硬度高且耐磨耐蚀，可用作防隔热涂料等。
南京工业大学
2021-01-12
一种钙钛矿太阳能电池与超级电容器集成件及其制备方法
本发明公开了一种钙钛矿太阳能电池与超级电容器集成件及制 备方法，其包括超级电容器和两块钙钛矿太阳能电池组，超级电容器 包括表面印刷有碳电极的导电基底，导电基底夹在两块太阳能电池组 中间，并由固态电解质层隔离;钙钛矿太阳能电池组包括多个串联的太阳能电池单元，太阳能电池单元包括导电基底、光阳极、钙钛矿层 和碳电极，其中，位于左端的太阳能电池单元的碳电极既作为钙钛矿 太阳能电池组的正极，又作为超级电容器的正极，位于右端的太阳能 电池单元的导电基底与超级电容器的导电基底相连，使光照产生的电 子传输于超级电容
华中科技大学
2021-04-14
一种半导体激光器泵浦的克尔透镜锁模钛宝石激光器
本发明公开了一种半导体激光器泵浦的克尔透镜锁模钛宝石激 光器，包括：第一半导体激光器，用于发射蓝绿波段的连续激光来泵 浦谐振腔内的钛宝石晶体；谐振腔用于使近红外波段的激光发生振荡 和锁模输出飞秒脉冲激光；干涉仪使飞秒脉冲激光产生拍频信号得到 载波包络偏移频率；反馈调节单元用于调节谐振腔端镜的前后位置和 倾斜度以及半导体激光器输出激光的功率，从而保持重复频率和载波 包络偏移频率的稳定。本发明可以输出重复频率和载波包络偏
华中科技大学
2021-04-14
腈水解酶催化制备亚氨基二乙酸项目
亚氨基二乙酸(IDA)是生产除草剂草甘膦的重要中间体。它也被用于生产新型两性铬络合 品红染料、漂白活化剂、顺铂类抗癌药物等。目前生产亚氨基二乙酸主要有化学合成法和生物 合成法。利用高效、高酶活、稳定的产腈水解酶生产亚氨基二乙酸，符合绿色化学的发展方 向，有着化学方法无可比拟的优越性。本项目筛选到一株高效、高酶活、稳定的产腈水解酶的 菌株，一步水解得到所需的亚氨基二乙酸。 本项目通过筛选适合的菌株、对菌株发酵优化以及整个催化过程的优化，最后分离纯化得 到亚氨基二乙酸。整个反应过程条件温和、操作简单、无副产物产生。
华东理工大学
2021-04-11
一种β,β-二芳基烯的合成方法
本发明公开了一种β,β-二芳基烯的合成方法,在有机酸溶剂中,在钯催化剂和银盐的存在下,卤代芳烃与末端烯基化合物经偶联反应得到β,β-二芳基烯;其中,有机酸溶剂为醋酸,钯催化剂为醋酸钯,银盐为醋酸银、碳酸银或氧化银,卤代芳烃为碘代芳烃,偶联反应的反应温度为80～130℃,反应时间为0.25～24小时。采用本方法,以对环境友好的有机酸作为溶剂,并以银盐为添加剂,具有催化剂用量少,无需添加其他配体,反应条件简单温和,后处理简单,产物收率高等优点。
浙江大学
2021-04-11
超高迁移率二维半导体BOX
首次发现一类同时具有超高电子迁移率、合适带隙、环境稳定和可批量制备特点的全新二维半导体(硒氧化铋，Bi2O2Se)，在场效应晶体管器件和量子输运方面展现出优异性能。彭海琳课题组基于前期对拓扑绝缘体（Bi2Se3，Bi2Te3）等二维量子材料的系统研究，提出用轻元素部分取代拓扑绝缘体中的重元素，以降低重元素的自旋-轨道耦合等相对论效应，进而调控其能带结构，消除金属性拓扑表面态，获得高迁移率二维半导体。经过材料的理性设计和数年的实验探索，发现了一类全新的超高迁移率半导体型层状氧化物材料Bi2O2Se，并利用化学气相沉积(CVD)法制备了高稳定性的二维Bi2O2Se晶体。基于理论计算和电学输运实验测量，证明Bi2O2Se材料具有合适带隙（~0.8 eV）、极小的电子有效质量(~0.14 m0)和超高的电子迁移率。系统的输运测量表明：CVD制备的Bi2O2Se二维晶体在未封装时的低温霍尔迁移率可高于20000 cm2/V·s，展示了显著的SdH量子振荡行为；标准的Bi2O2Se顶栅场效应晶体管展现了很高的室温表观场效应迁移率（~2000 cm2/V·s）和霍尔迁移率（~450 cm2/V·s）、很大的电流开关比（>106）以及理想的器件亚阈值摆幅（~65 mV/dec）。二维Bi2O2Se这些优异性能和综合指标已经超过了已有的一维和二维材料体系。Bi2O2Se这种高迁移率半导体特性还可能拓展到其他铋氧硫族材料（BOX：Bi2O2S、Bi2O2Se、Bi2O2Te）。
北京大学
2021-04-11
一种高楼二次供水系统
一种高楼二次供水系统，其包括水位传感器、A/D转换器、主机控制芯片、从机控制芯片、继电器控制电路、电机、LED驱动电路、LED显示器；所述水位传感器采集含有水位数据的电信号并发送至所述A/D转换器，所述A/D转换器将所述电信号转换为水位数字信号发送至所述主机控制芯片；所述主机控制芯片将所述水位数字信号通过RS485传输至所述从机控制芯片，所述从机控制芯片接收所述水位数字信号并控制所述继电器控制电路接通或断开所述电机；所述主机控制芯片将所述水位数字信号发送至所述LED驱动电路，所述LED驱动电路接受所
安徽建筑大学
2021-01-12