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碳纤维增强碳化硅陶瓷基复合材料
碳纤维增强碳化硅陶瓷基复合材料耐腐蚀、耐高温、耐磨损、韧性高,能够广泛用于能源、交通、化工等领域的关键部件,比如摩擦制动材料、耐化学腐蚀叶片等。
东南大学 2025-02-08
长寿命磷酸盐钠离子电池正极材料
        研发团队针对NASICON型结构钠离子电池正极材料面临的瓶颈问题,通过新颖的合成方法和材料晶体结构设计理念,成功开发了具有自主知识产权的长寿命、高功率和低成本的钠离子电池及其超稳定的正极材料。材料合成方法简单,反应条件温和,不需要特殊设备,目前已完成实验室中试,具备了公斤级的制备能力。成果具有高的振实密度,可实现高体积能量密度,具有非常优秀的实用化潜力。         意向开展成果转化的前提条件:中试放大及产业化工艺开发资金支持
东北师范大学 2025-05-16
高性能低膨胀铝基复合材料及构件
卫星在轨运行和返回过程中需经历极端高低温环境,构件尺寸的稳定是保证卫星在轨高精度、返回高安全、任务高可靠的关键。针对卫星搭载的某宽带微波载荷与卫星本体材料之间热膨胀系数不匹配极易导致的载荷在轨及返回过程中载荷接收精度不稳定、信息传输不连续等问题。我校陈骏教授团队以原创的负热膨胀技术研发了具有轻质、热膨胀系数低、力学性能优异、尺寸稳定性好的高性能低膨胀铝基复合材料,并研制了系列关键连接内置件、环件等高性能低膨胀构件,首次将负热膨胀技术应用到我国的卫星上,填补了高性能低膨胀金属构件在工程应用领域的空白。该技术使得某宽带微波载荷与卫星本体之间热膨胀匹配性增强、界面应力大幅度减小,保证了卫星在轨与返回过程中信号高精度传输与接收,助力卫星成功返回。 图1 实践十九号卫星成功返回(图片来源国家航天局) 图2 高性能低膨胀铝基复合材料及构件应用于全球首颗可重复使用返回式技术试验卫星(图片来源央视新闻频道)
北京科技大学 2025-05-21
微波毫米波新型基片集成类导波结构及器件
成果介绍基片集成类导波结构是近十几年发展起来的一类新型平面集成高性能导波结构,2011年被国际微波杂志列为“改变未来无源与控制器件的十大非凡发明”之首(Microwave Journal, Nov. 2011)。本项目组是国际上这一领域的主要贡献者之一,在国家自然科学基金委创新群体基金和国家973项目等的资助下,对基片集成类导波结构的传输特性、谐振特性、损耗机理、模式转换机理、极化转换机理等科学问题及其在多个分支的创新应用开展了系统深入的研究,建立了精确有效的设计方法,构建了基础设计公式,提出并命名了半模基片集成波导等新型导波结构,提出了一系列基片集成类无源元件新结构等。技术创新点及参数1、在国际上最早提出并发展了适合于周期性基片集成类导波结构的频域有限差分和直线法全波分析模型,揭示了其传输机理,并在此基础上构建了一组闭式设计公式。这组公式已被广泛用于基片集成类导波结构元器件的设计。相关代表作单篇正面他引均超过150次。2、提出并命名了半模基片集成波导、折叠半模基片集成波导等新型导波结构,系统研究了其导波特性、损耗机理和模式转换机理等,构建了设计公式,并在此基础上发展了一系列新型微波毫米波高性能元器件,其中代表作单篇正面他引均超过100次。3、提出了多种基片集成波导无源新结构,深入研究了其谐振特性、耦合特性和损耗机理,并在此基础上发展了一系列高性能新型元器件及单基片集成系统。相关代表作合计正面他引350余次。4、在基片集成波导天线辐射机理研究的基础上,突破了经典Elliott设计公式的局限性,建立了相应的分析模型和设计方法,发展了一系列新颖的高性能基片集成类天线及阵列,相关代表作由于其基础性和创新性被合计正面他引300余次。市场前景项目研究成果已获54项授权国家发明专利,其中部分专利已进行技术转让并应用于企业产品中。
东南大学 2021-04-11
微波毫米波新型基片集成类导波结构及器件
该项目以基片集成类导波结构的工作机理与创新应用为主线,对这类结构及器件的传输特性、损耗机理等基础科学问题进行了深入研究,提出了半模基片集成波导等多种新型平面导波结构,发展了相应的设计方法,并发明了一系列新型高性能微波毫米波器件,部分器件已得到实际应用。
东南大学 2021-04-10
微流体脉冲喷射仪及配套微流体器件制备仪
微流体数字化技术通过对裸结构的微喷嘴实施脉冲的惯性力,使微量流体在惯性力与黏性力交替作用下实现微流体的脉冲流动,从而实现数字化可控的微量流体的喷射,适用于液体微喷射、粉体微喷射等领域。 成熟度:基于非晶态玻璃材料毛细加工原理,进行了拉制、锻制、残余应力热处理等工序研究,制作了出微纳米级的微喷嘴、微管道。以玻璃微喷嘴制备仪为平台研究了不同拉制参数、锻制参数对微喷嘴几何形状的影响规律。基于微流体脉冲驱动-控制技术,分别采用拉制、锻制的微喷嘴稳定地制备了均一的微液滴。 微流体
南京理工大学 2021-04-14
硅基上III-V的直接外延及器件集成
采用光互连技术可以有效的解决集成电路进一步发展的尺寸限制同时可以极大的提高芯片间信息传输的速度和频率。Si基光子集成是实现集成电路光互联的核心技术和重要研究方向。然而,Si因为其间接带系的特性很难作为发光材料使得Si基光源的缺失成为制约Si基光子芯片的瓶颈,而传统Ⅲ-Ⅴ族材料如GaAs,InP等由于优良的光电转换效率已经在光电子器件领域得到广泛的应用。因此,Si基与Ⅲ-Ⅴ的集成是实现Si基光子芯片的一种理想途径。
南京大学 2021-04-14
基于白光LED器件的可见光无线通信系统
南京邮电大学 2021-04-14
一种基于忆阻器件的神经元电路
本发明公开了一种基于忆阻器件的神经元电路,本发明中,突 触阵列的忆阻器选用部分易失性双极性电阻转变器件,表达神经元膜 电位的忆阻器选用易失性电阻转变器件,构建神经元电路,并具有突 触基本单元。该神经元电路能够实现生物神经元中的整合放电功能, 表达出局部分级电位,突触具有部分易失性,可以表达活动时序相关 的可塑性,与生物学上神经元与突触在信息存储、传递与处理方面有 极大相似性。本发明可以为硬件模拟大脑神经网络结构提供基
华中科技大学 2021-04-14
一种磁隧道结单元及自旋电子器件
本发明公开了一种隧道结单元及磁随机存储器,包括依次连接 的第一电极、第一自由层、非磁性绝缘层、钉扎层和第二电极,还包 括连接在第一电极与第一自由层之间的第二自由层,第二自由层的横 截面积小于自由层的横截面积;第二自由层和第一自由层一起形成了 复合自由层结构;第二自由层用于聚集电流,使得第二自由层处的电 流密度大于第一自由层处的电流密度,从而使得第二自由层的磁矩先 于第一自由层发生翻转;由于第二自由层和第一自由层之间的
华中科技大学 2021-04-14
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