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纳米铝塑板
产品名称：纳米氟碳涂层铝塑板
表面涂层：
铝合金：AA1100series，AA3003series
铝厚：0.3mm,0.40mm,0.45mm,0.50mm
铝厚度：4mm,5mm,6mm
宽度：1220mm,1250mm,1500mm
长度：最长至6000mm,特殊宽度可定制
背涂：
品牌：ALUSHINE
产地：山东临沂
临沂金湖彩涂铝业有限公司
2021-09-02
高白度抗静电纳米粉体
研发团队针对高性能、抗静电热控涂层材料开展自主科研攻关，研发出具有自主知识产权的白色氧化锌导电粉体，与相关企业合作建立了100Kg级导电粉体中试生产线，完成了粉体批次稳定性验证，突破了批量制备导电粉体稳定性差的瓶颈，形成了一套高性能白色氧化物导电粉体的标准生产工艺。产品技术指标经权威检测机构检验达到或超过进口产品水平，并已通过国家航天领域应用验证。同时，产品原料及生产成本远低于进口产品，有望在我国民用市场普及。产品可应用于汽车、电子、纺织、橡胶和化工等领域的防静电、节能、电磁屏蔽等，如轮胎橡胶添加剂、红外反射涂层、防静电涂层等，市场前景广阔。
意向开展成果转化的前提条件：中试放大及产业化工艺开发资金支持
东北师范大学
2025-05-16
一种复合结构体相到表面含聚阴离子的富锂锰基正极材料
本申请涉及全固态电池领域，具体涉及一种复合结构体相到表面含聚阴离子的富锂锰基正极材料。本申请将含聚阴离子的锂盐与层状富锂锰基正极材料通过热处理和高能球磨反应，形成含聚阴离子的层状/岩盐富锂锰基正极材料。本申请所述正极材料一方面可以利用聚阴离子基团以及岩盐相的同时存在提升结构稳定性，提高阴离子反应可逆性；另外一方面，残余的聚阴离子锂盐改善电极与固态电解质界面间的离子传输，实现了电化学性能的提高，最终提升全固态电池的比容量和循环性能。本发明公开方法易于规模化生产，容易与现有制造设备的基础上进行匹配，为未来全固态电池实现高能量密度创造了可能性。
南京工业大学
2021-01-12
相舆科技（上海）有限公司
相舆科技（上海）有限公司
2022-05-24
三相电机原理演示器
宁波浪力仪器有限公司（余姚市朗海科教仪器厂）
2021-08-23
除虫菊素与苦参碱复配剂及其应用
其他成果/n一种除虫菊素与苦参碱复配剂，该复配剂由除虫菊素与苦参碱按质量比为3:1～1:25复配而成。本发明还公开了上述除虫菊素与苦参碱复配剂在防治粮食仓储害虫的应用。本发明的除虫菊素与苦参碱复配剂具有明显的增效作用，杀虫毒力明显高于任何一个单剂；拌粮试验中，21d后该复配剂对重要储粮害虫赤拟谷盗、玉米象和谷蠹防效达到100％。
武汉轻工大学
2021-04-11
十万次级自复保险丝及半自复电路
本保险丝可用于替代普通可熔保险丝，与半自复电路配合使用，可避免电 路自复，使用寿命长达十万次以上。
山东大学
2021-04-13
一种含铬皮革复鞣填充剂及其制备方法
本发明提供的含铬皮革复鞣填充剂的制备方法为：(1)计量含铬革屑水解物100份、复鞣剂20～100份、蒙囿剂1～5份、加脂剂3～5份，然后分别将蒙囿剂、固态复鞣剂水溶解，将加脂剂用水稀释乳化，将酸碱调节剂用水配制成酸碱调节剂溶液；(2)将含铬革屑水解物在搅拌下加热至45～50℃，然后将步骤(1)所得的同温含铬革屑水解物、蒙囿剂、加脂剂、固态复鞣剂或/和液态复鞣剂加入其中并混合均匀，继后加入酸碱调节剂溶液调节混合液的pH值至1.5～4.5，过滤除去不溶物即得固含量为40～45％，三氧化二铬含量为1.5～5％，pH值为1.5～4.5的含铬皮革复鞣填充剂。该方法不仅可同时利用含铬革屑中的铬和皮胶原蛋白，且使制得的复鞣填充剂性能更加全面，还可避免现有化学改性方式所带来的问题。
四川大学
2016-10-12
具高d33无铅压电陶瓷-聚合物压电复合材料的制备方法
本发明涉及一种具有高d33的无铅压电陶瓷-聚合物压电复合材料的制备方法。该方法按式(1-x)(LiaNabK1-a-b)(Nb1-cSbc)O3-xABO3-yM组分配料，采用传统陶瓷制备方法制备铌酸钠钾基无铅压电陶瓷粉料；再将陶瓷粉料与聚合物聚偏氟乙烯按比例混合球磨；烘干后超声震荡，将混合粉料经冷压成型后加温处理，再在其表面溅射金电极，硅油浴中极化后测试其压电复合材料样品的压电性能d33；最后将样品置入去离子水或盐溶液中浸泡，再测试其样品的压电性能d33。结果表明，经浸泡处理的铌酸钠钾基无铅压电陶瓷-聚合物压电复合材料的d33比未经浸泡过的有大幅度提高，提高比例甚至可达300％。
四川大学
2021-04-11
关于高密度高纯半导体阵列碳纳米管材料的研究
北大科研团队在《科学》杂志发表的成果，标志着碳管电子学领域、以及碳基半导体工业化的共同难题被攻克。科研团队表示，如果碳基信息器件技术，可以充分利用碳管在物理、电子、化学和机械方面的特殊优势，就有希望生产出性能优、功耗低的芯片。课题组采用多次聚合物分散和提纯技术得到超高纯度碳管溶液，并结合维度限制自排列法，在4英寸基底上制备出密度为120 /μm、半导体纯度高达99.9999%、直径分布在1.45±0.23 nm的碳管阵列，从而达到超大规模碳管集成电路的需求。基于这种材料，批量制备出场效应晶体管和环形振荡器电路，100nm栅长碳管晶体管的峰值跨导和饱和电流分别达到0.9mS/μm和1.3mA/μm（VDD=1 V），室温下亚阈值摆幅为90mV/DEC。
北京大学
2021-04-11