高等教育领域数字化综合服务平台
云上高博会服务平台 高校科技成果转化对接服务平台 大学生创新创业服务平台 登录 | 注册
|
搜索
搜 索
  • 综合
  • 项目
  • 产品
日期筛选: 一周内 一月内 一年内 不限
酞菁/氧化石墨烯纳米复合材料合成用于具有高循环稳定性的超级电容器电极
酞菁是一种具有优异光电特性的廉价小分子半导体材料,但是其在常规有机溶剂中溶解性较差,且性能不佳,限制了其在有机忆阻器中的进一步应用。许宗祥课题组从分子设计层面出发,开发了在常规有机溶剂中具有高效分散特性的金属酞菁纳米线,通过溶液法制备出具有优良红外响应特性的薄膜,并以此构建有机忆阻器,该器件是首次报道具有高稳定性和较强红外响应的有机忆阻器器件。
南方科技大学 2021-04-13
振动样品磁强计 VSM磁性材料磁学参数测试 磁滞曲线测量系统
        VSM(也叫做M-H磁滞曲线测量系统)测量磁性材料的基本磁性能(如磁化曲线,磁滞回线,退磁曲线,升温曲线、升/降温曲线、降温曲线、温度随时间的变化等),得到相应的各种磁学参数(如饱和磁化强度,剩余磁化强度,矫顽力,最大磁能积,居里温度,磁导率(包括初始磁导率)等),可测量粉末、颗粒、片状、块状等磁性材料,VSM可以测量从-196℃到900℃的温度变化的磁性变化。   主要参数: 测量磁矩范围:10-3emu-300emu(灵敏度:5*10-5emu) 相对精度(30emu):优于±1% 重复性(30emu):优于±1% 稳定性(30emu):预热24小时,24小时连续工作优于±1% 温度范围:从-196℃到900℃ 固定磁极间距35mm,极面直径60mm 磁场:由电磁铁提供,从0-3.5T   主要参数: 抗磁,顺磁,铁磁,亚铁磁,反铁磁材料和各向异性材料 颗粒状和连续磁记录材料以及GMR,CMR,交换偏置和旋转阀材料 磁光材料 容易容纳散装材料,粉末,薄膜,单晶和液体     VSM的组成:   型号 DXV-550 电磁铁 √ 稳流电源 √ 振动头,振动架 √ 振动杆,样品室 √ 振动源 √ 锁定放大器 √ 高斯计 √ 探测线圈 √ 电脑 √ 打印机 √ VSM可以单独准备高温和低温设备。     主要设备:   电磁铁 电磁铁应为可调式双共轭或固定间隙的。 45°放置 型号 高低温磁场,磁极间距:35mm(T) 冷水方式 DXV-550 3.4 水冷 DXV-400 3.0 水冷 DXV-380 2.7 水冷 DXV-300 2.4 水冷 DXV-250 2.2 水冷 DXV-220 2.0 水冷 DXV-175 1.6 水冷 DXV-130 1.2 自然冷却 DXV-100 0.8 自然冷却 DXV-60 0.5 自然冷却   稳流源 电源为可调式高稳定度稳压稳流自动转换直流电源,功率为2~30KW 。在稳流状态时,稳流输出电流能在额定范围内连续可调 (一)主要功能   (1)输出功率:额定功率从1-12kw。   (2)保护:缺相保护、过流保护、短路自动保护。   (二)技术指标   (1)电源为稳流输出:电流值可从0-额定值连续可调。   (2)显示方式: 电流表4位半LCD数字显示。   (3)显示精度:±(1%+2个字)   (4)当负载为电磁铁,且输出电流大于最大电流一半时,电源输出的电流稳定度优于5*10-4   (5)工作时间:连续8小时工作(环境温度20±5℃)   (6)输入电压:单相220V/三相380V±10%        (7)输入频率:50Hz   振动系统 包括振动杆、机械振动头支架、样品室及探测线圈   磁测单元 (1)量程分300emu、150emu、80emu、40emu、30emu、15emu、8emu、4emu、3emu、1.5emu、800memu、400memu、300memu、150memu、80memu、40memu、30memu和15memu (2)磁场量程:0.5kOe”、“1kOe”、“2kOe”、“4kOe”、“8kOe”、“16kOe” 和 “32 kOe” 显示在4位半LCD数字表头。.分辩率0.1mT,相对精度优于±1%。 (3)振动源输出频率180Hz,频率稳定度优于10-5,输出功率大于50W。   联想电脑 打印机:hp-1018 高温炉和温度控制设备: 加热功率是100W. 炉子的温度范围是室温到900℃ 通过4位半LED数字控制。分辨率:0.1℃ 低温杜瓦和温度控制装置 样品室的温度与控制范围是 77K-273K 通过4位半LED数字控制,分辨率:0.1K  
厦门盈德兴磁电科技有限公司 2026-04-07
适用于陶瓷PTC装配技术的拉膜与切膜装置
本发明公开了一种适用于陶瓷PTC装配技术的拉膜与切膜装置。包括送膜机构、拉膜机构和切膜机构,机架上沿薄膜传送方向依次设有送膜机构、切膜机构和拉膜机构,切膜机构包括固定在机架上的压板组件和刀片组件,压板组件安装在刀片组件上方;压板组件包括前撑板气缸、前撑板气缸顶杆、前撑板、压板、后撑板、压板气缸和压板气缸顶块,拉膜机构包括拉膜电机、拉膜丝杆、拉膜滑轨和用于夹膜的拉膜夹板组件。本发明采用自动拉膜、切膜技术,相比手工拉膜、切膜技术,极大提高了生产效率。
浙江大学 2021-04-11
铌酸钾钠-锆钛酸铋钠系无铅压电陶瓷
本发明属于钙钛矿结构环境协调性压电陶瓷领域,特别涉及一种铌酸钾钠-锆钛酸铋钠系无铅压电陶瓷,该无铅压电陶瓷由通式(1-x)(KuNav)NbO3-xBi0.5Na0.5Zr1-yTiyO3表示,式中,0<x≤0.05, ?0≤y≤0.3,0.40≤u≤0.55,0.45≤v≤0.60,且u+?v=1。本发明提供的无铅压电陶瓷具有较高的压电性能,所用原料价格低廉,节约成本,有利于促进实用化进程,在工业生产中应用。
四川大学 2021-04-11
一种陶瓷素坯管的双工位自动磨切机
一种陶瓷素坯管的双工位自动磨切机,包括机架、储料仓、上料机构、传送机构,陶瓷素坯管的磨削工位、切割工位,陶瓷素坯管的磨削工位在切割工位的左侧;上料机构左侧为储料仓,上料气缸位于储料仓末端,储料仓支撑梁末端固定有陶瓷素坯管下落的引导板;传送机构包括运送托架驱动气缸和双V型槽运送托架,双V型槽运送托架和运送托架驱动气缸固定在一起,双V型槽运送托架侧面固定导向滑块;磨削工位,具有无心支撑轮、磁力驱动装置以及砂带磨削装置;切割工位,具有无心支撑轮、磁力驱动装置、切割装置,切割工位也具有工件的下料机构;本实用新型具有只需一台机器即可实现陶瓷素坯管表面磨削和陶瓷素坯管两端余料切割的优点。
浙江大学 2021-04-13
一种低温快速烧成高强氧化铝陶瓷及其制备方法
本发明公开了一种低温快速烧成高强氧化铝陶瓷及其制备方法,其中低温快速烧成 高强氧化铝陶瓷的原料由粗晶 Al2O3 粉,纳米 Al2O3 粉和烧结助剂构成,烧结助剂为 SiO2 粉、滑石粉和石灰石粉;其制备方法是将纳米氧化铝粉部分取代粗晶氧化铝,进行混合分散 先预压成型,再采用 200-300MPa 冷等静压成型,然后将成型后试样在马弗炉中于 400-600 ℃排胶 30-60min,最后采用微波烧结法低温快速烧结得到高强度氧化铝陶瓷。本发明通过 部分纳米氧化铝粉代替粗晶氧化铝粉,并结合微波烧结工艺,可以在较低温度和短时间内实 现氧化铝陶瓷的快速烧结,能耗小,节约成本。 
安徽理工大学 2021-04-13
一种超宽温低损耗无铅多层陶瓷电容器
北京工业大学 2021-04-14
一种高压陶瓷电容器的充放电寿命检测装置
本发明公开了一种高压陶瓷电容器的充放电寿命检测装置,包 括可调高压直流电路、脉冲形成电路、放电电路和检测电路;可调高 压直流电路是用于将交流电压转换成直流电压,提供可调的高压直流 电压;脉冲形成电路用于在试品电容器两端产生脉冲高压;放电电路 用于试品电容器的放电;所述检测电路用于判断试品电容器是否失效, 当放电电路中的陡化开关连续导通失败,试品电容器放电电路无电流, 且通过检测试品电容器的充电电压和放电电流显著减小时,判断试品 电容器失效。本发明可以检测高压陶瓷电容器在高电压、大电流、陡 脉冲的条件
华中科技大学 2021-04-14
镧掺杂铌镁算铅-钛酸铅透明陶瓷的制备方法
本发明属于物理化学材料制备技术领域,具体涉及一种镧掺杂铌镁酸铅-钛酸铅透明陶瓷的制备方法,先以MgO、Nb2O5、PbO、TiO2和La2O3为原料,用高能球磨法制备PMN-PT粉体,再用干压成型或冷等静压工艺压制陶瓷坯体,烧结后在氧气氛条件下间歇抽真空保温得到PMN-PT透明陶瓷。本发明的优点在于:(1)采用上述方法制备的PMN-PT陶瓷,具有不含焦绿石相的纯钙钛矿相,致密度高,红外波段透光率最高可达67%,接近其理论透光率。(2)本制备方法中采用高能球磨,而不是传统工艺中的行星球磨,转速快,得到的粉体粒径小、成分均匀,而且耗时短。(3)使用廉价的普通烧结炉,采用一步烧结,降低粉体制备工艺耗时,可以制备复杂形状透明陶瓷,适合工业化批量生产、成本低。新一代信息技术是当前国家十三五战略规划新兴产业,也是山东省新旧动能转化十大重点产业之一。在信息通信领域,电光开关、电光调制器是光通信领域的核心器件,而铌镁酸铅-钛酸铅基透明电光陶瓷则是开发上述器件的核心材料。铌镁酸铅-钛酸铅基透明电光陶瓷的专利技术与相关企业,如青岛海泰光电技术有限公司、青岛浦芮斯光电科技有限公司等单位,合作研发生产基于PMN-PT透明陶瓷的高性能电光器件,扩展其在光通信领域的应用,推进我国光通信网络建设。也可和相关企业转让,实现产业化。
青岛大学 2021-04-13
一种Al2O3-SiC泡沫陶瓷及其制备方法
一种Al2O3-SiC泡沫陶瓷及其制备方法。其技术方案是:将60——85wt%的α-Al2O3、5——15wt%的碳源和10——30wt%的单质硅混合,制得混合料。将100份质量的所述混合料、0.5——2份质量的木质素磺酸铵和0.1——0.6份质量的聚羧酸盐混合,再与20——30份或30——40份质量的水一起搅拌,制得浆体Ⅰ或浆体Ⅱ。将聚氨酯海绵浸入到浆体Ⅰ中,浸渍后挤压或甩浆,干燥,得到预处理的泡沫陶瓷坯体;再用浆体Ⅱ进行喷涂,干燥,得到泡沫陶瓷坯体。将所述泡沫陶瓷坯体置入高温炉内,于埋炭气氛下,依次以1.5——2.5℃/min、0.5——1℃/min和2.5——3.5℃/min的速率升温至1300——1500℃,保温2.5——3.5h,即得Al2O3-SiC泡沫陶瓷。本发明制备的制品强度高、抗氧化性能好和抗热震性能优良。 (注:本项目发布于2015年)
武汉科技大学 2021-01-12
首页 上一页 1 2
  • ...
  • 64 65 66
  • ...
  • 299 300 下一页 尾页
    热搜推荐:
    1
    云上高博会企业会员招募
    2
    64届高博会于2026年5月在南昌举办
    3
    征集科技创新成果
    中国高等教育学会版权所有
    北京市海淀区学院路35号世宁大厦二层 京ICP备20026207号-1