|
搜索
搜 索
高等教育领域数字化综合服务平台
一种低介微波铁电陶瓷及其制备方法
本发明公开了一种低介微波铁电陶瓷及其制备方法,该低介微波 铁电陶瓷的化学通式为 xBaO-yZnO-zSiO2；其中，1≤x≤2，0≤y≤2， 1≤z≤2；其制备方法，包括如下步骤：(1)对 BaO、ZnO 和 SiO2 的混 合物进行湿法球磨处理，并烘干后进行预烧，获得 xBaO-yZnO-zSiO2 基体陶瓷粉体；(2)对基体陶瓷粉体进行湿法球磨处理，烘干后加入聚 乙烯醇造粒，压片后烧结，获得低介微波铁电陶瓷；在球磨处理中采
华中科技大学
2021-04-14
人才需求：陶瓷材料、内燃机、动力学
本科及以上学历，所学专业或研究方向为陶瓷材料、内燃机、动力学
1.本科及以上学历，所学专业或研究方向为陶瓷材料、内燃机、动力学；2.熟悉流体分析、发动机及活塞相关知识；3.能带领团队开展活塞CFD两相流模拟研究。
滨州渤海活塞有限公司
2021-08-30
光纤连接器用氧化锆陶瓷套管的制备方法
本发明公开了一种光纤连接器用氧化锆陶瓷套管的制备方法:
(1)原料:采用含3mol%三氧化二钇的国产氧化锆粉料。
(2)造粒:采用喷雾造粒技术,对含有三氧化二钇的二次粒子平均粒径1.0～3.0μm的氧化锆粉体进行处理,达到比表面积12～35m2/g。
(3)成型:采用弹性模具震动装料法,装料后采用等静压成型,成型压力为60～200MPa。
(4)烧成:利用硅钼棒电炉烧成,烧成温度1380～1480℃,烧成周期48～50小时。
本发明提供一种能够保证壁厚仅为0.6mm氧化锆陶瓷套管毛坯的圆度、同心度以及粉体成型制成素坯时具有足够高的精度,采用廉价的国产氧化锆粉体为原料,制备符合光纤连接器技术要求的氧化锆陶瓷套管。
天津城建大学
2021-01-12
PZT-43 PZT-52 Φ36×Φ32×40压电陶瓷管
淄博宇海电子陶瓷有限公司
2021-08-30
一体成型碟形陶瓷台面（1.8米通风柜）
产品名称：一体成型碟形陶瓷台面（1.8米通风柜）
产品型号：TOOK D05适用范围：1.8 米通风柜釉面色泽：多色可选主要成分：由高岭土、蓝瓷土、长石等硅酸盐材料，表面釉料采用了进口原料，经1280℃长时间高温煅烧，陶克板由于材料属性不耐氢氟酸，可抵御（除氢氟酸等同类型化学试剂）任何强酸强碱及有机溶剂腐蚀，其耐高温、耐污染、抗辐射、抗细菌、抗釉裂等性能良好，是目前国内乃至全球实验室台面的最佳材质选择。
如何判断优质陶瓷台面釉面：表面平整度、抗釉裂性、耐腐蚀性能、表面耐划痕等级、有无瑕疵、色饱满度如何。烧制温度：是否达到1250℃的磁化烧制温度（低于此温度的板材无法瓷化，未瓷化的陶瓷板容易断裂 ,陶克板是1280℃烧制而成。）耐污染指标：是否符合国家检测标准。辐射限量指数：是否低于国家限量标准。
陶克基业（北京）科技有限公司
2022-04-18
一体成型碟形陶瓷台面（1.5米通风柜）
产品名称：1.5米通风柜（一体成型碟形陶瓷台面）
产品型号：TOOK D04
适用范围：1.5 米通风柜
釉面色泽：多色可选
主要成分：由高岭土、蓝瓷土、长石等硅酸盐材料，表面釉料采用了进口原料，经1280℃长时间高温煅烧，陶克板由于材料属性不耐氢氟酸，可抵御（除氢氟酸等同类型化学试剂）任何强酸强碱及有机溶剂腐蚀，其耐高温、耐污染、抗辐射、抗细菌、抗釉裂等性能良好，是目前国内乃至全球实验室台面的最佳材质选择。
如何判断优质陶瓷台面
釉面：表面平整度、抗釉裂性、耐腐蚀性能、表面耐划痕等级、有无瑕疵、色饱满度如何。
烧制温度：是否达到1250℃的磁化烧制温度（低于此温度的板材无法瓷化，未瓷化的陶瓷板容易断裂 ,陶克板是1280℃烧制而成。）
耐污染指标：是否符合国家检测标准。
辐射限量指数：是否低于国家限量标准。
陶克基业（北京）科技有限公司
2022-04-18
均一Fe3O4微球从纳米到微米级尺寸控制合成及癌症早期诊断与预警的血液肿瘤细胞快速检测
该成果采用两亲性多元醇还原的溶剂热法可控制备具有高度单分散性的 Fe3O4 微球，实现了微球尺寸在 50～1200 nm 范围的可调，其>500 nm 的高单分散性的大尺寸磁珠未见文献报道。以 SiO2 等包覆所获得的高单分散性磁珠易于氨基和羧基化，从而在偶联剂（如碳二亚胺）等作用下，易于实现纳米磁珠与 CD45 等抗体的有效结合。目前磁珠表面包被 CD45 等抗体的试验已顺利完成。 该成果提出了纳米磁珠的全尺寸控制合成新思路，在高效包被 CD45 等抗体阴性富集实体瘤循环血液中稀有癌细胞的检
扬州大学
2021-04-14
一种喷射沉积成形制备大块非晶合金的方法
雾化喷射沉积成形技术近年来被广泛用于研究和发展高性能的快速凝固材料。该技术最突出的创新点在于，将液态金属的雾化和雾化熔滴的沉积自然地结合在一起，是一种短流程快速凝固体材料制备新技术。喷射沉积成形块体致密件的形成，是在特定条件下的凝固过程。其基本特点是在沉积表面形成一层极薄的液膜，块体致密件的形成则是这一液膜不断凝固、推进的过程。在多年研究喷射成形技术的基础上，杨滨教授及其课题组成员近年利用喷射沉积成形技术成功地制备出了最大直径为380mm、最大厚度12～13mm的La62Al15.7(Cu, Ni)22.3大块非晶合金，这是国际上迄今报导的最大尺寸的镧基非晶合金样品。DSC测试结果表明，沉积态La62Al15.7(Cu, Ni)22.3非晶合金的过冷液相区宽度DTx和约化玻璃转变温度Trg均高于单辊旋转熔体快淬或铜模铸造法制备的同成分非晶合金。 已获得中国发明专利，杨滨，刘宗峰，张勇，张济山，陈国良，一种喷射沉积成形制备镧基大块非晶合金的方法，专利号：ZL200510086239.6。“高熔点高合金化材料快速凝固气雾化制备技术”，获中国有色金属工业科学技术奖一等奖（2003.12）。
北京科技大学
2021-04-11
晶圆级二维半导体单晶薄膜外延生长的研究
主流硅基芯片CMOS（互补金属氧化物半导体）技术正面临短沟道效应等物理规律和制造成本的限制，需要开发基于新材料和新原理的晶体管技术来延续摩尔定律。高迁移率二维半导体因其超薄的平面结构和独特的电子学性质，有望成为“后摩尔时代”高性能电子器件和数字集成电路的理想沟道材料，进一步缩小晶体管的尺寸和提高其性能。为满足集成电路加工工艺和器件成品率对沟道材料的苛刻要求，二维半导体单晶薄膜的大面积制备尤为关键与重要。然而，现有二维半导体材料体系（过渡金属硫族化合物、黑磷等）薄膜制备仍未满足现实要求，因此亟需实现晶圆级二维半导体单晶薄膜制备技术的突破。 该研究瞄准二维半导体材料的晶圆级单晶制备，率先实现了同时具有高电子迁移率、合适带隙、环境稳定的二维半导体（硒氧化铋，Bi2O2Se)单晶晶圆的外延生长。他们基于自主设计搭建的双温区化学气相沉积系统，在商用的钙钛矿单晶基底【SrTiO3，LaAlO3，或(La, Sr)(Al,Ta)O3】上，利用Bi2O2Se与钙钛矿完美的晶格匹配性及较强的界面相互作用，促使Bi2O2Se晶核同一取向外延并融合生成晶圆级单晶薄膜。Bi2O2Se单晶薄膜在晶圆尺寸上表现出优异的材料和电学均匀性，可被用于批量构筑高性能场效应晶体管。基于晶圆级二维Bi2O2Se单晶薄膜的标准顶栅型场效应晶体管展现了高的室温表观迁移率（>150 cm2/V s）、大的电流开关比（>105）和较高的开态电流（45μA/μm）。相关成果发表在Nano Letters (Wafer-Scale Growth of Single-Crystal 2D Semiconductor on Perovskite Oxides for High-Performance Transistors. Nano Lett. 2019, 19, 2148)。
北京大学
2021-04-11
一种超硬非晶碳薄膜的制备装置和工艺
项目为一种超硬的非晶四面体碳（ta-c）薄膜的制备装置和工艺，该薄膜具有极好的物理化学特性，在碳基薄膜中，是目前国际上公认的SP3键含量最高，超过85%，特性最接近天然金刚石的薄膜，硬度达到HV≥85Gpa，可见光和红外光透明，透光率达97%，吸收紫外光，达98%，薄膜均匀性好，薄膜平整度达0.2nm，摩擦系数≤0.08，电阻率达（1012Ω·cm），击穿电压3.5×106，（），热导率18（）,密度3.5（g/cm3），薄膜致密耐腐蚀作用极好。 该项目可用于高精度专有刀具、模具和摩擦滑动部件，提高使用寿命，减小摩擦，如手术和美容刀具、丝锥、PCB钻、拉丝模、冲压模具、压缩机滑块，滑动环等；用于视窗、镜片和传感器表面，可防止划伤，增强散热，利于红外光传递，等；用于激光透镜，可提高损伤阈值；用于射线辐射测量传感器，可抗射线辐射损伤，提高测量的灵敏度。
西安交通大学
2021-04-11