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15032微电流放大器
宁波华茂文教股份有限公司 2021-08-23
15017演示微电流电阻表
宁波华茂文教股份有限公司 2021-08-23
多生态能源互联微电网实验平台
研旭研制的开放式多源互联网创新实验平台以研旭多端口能源路由器为系统核心,可包容多类能源输入,具备多种产出与输运形式的“区域能源互联网”系统。具备以下特点: 1、包容多种能源资源输入,具有多种产出功能; 2、构建“互联网+”智慧能源系统的重要支撑; 3、建立多能流的状态监测和安全评估机制; 4、复杂可变的多能流网络的控制方式; 基于目前高校实验室场地和安全的考虑,南京研旭推出以小型微电网的风光储等分布式能源为基础,不断扩展和融合多种分布式能源的建设方案,可承担科技型电力电子、信息通讯、电力系统、策略调度、电能质量等科研工作。 微电网系统拓扑图: 1)直流母线、交流母线 2)光伏模拟/真实系统 3)风机模拟/真实系统 4)锂/铅酸电池储能系统 5)超级电容储能系统 6)分级负载系统 7)柴油机/充电桩 8)故障模拟系统 9)电能质量检测改善系统 10)微电网控制系统 11)能量管理调度系统 12)配电保护系统
南京研旭电气科技有限公司 2022-07-22
环氧树脂纳米复合材料用多功能碳纳米管的制备方法
本发明所涉及的环氧树脂纳米复合材料用多功能碳纳米管,适用于所有高性能复合 材料领域。由于本发明所涉及的碳纳米管具有增强、分散、界面粘结、固化等多种功能, 由其制得的碳纳米管/环氧树脂复合材料具有碳纳米管本身的高强度、高模量、良好的 韧性、低密度、导电等优点,可广泛应用于各种先进材料领域,市场前景十分可观。该 多功能碳纳米管是固态材料,储存和运输十分方便;并且本身具有了良好的分散性和界 面粘结性能,操作工艺简单,相对降低了生产成本。因而,本发明为高性能纳米复合材 料的工业化生产提供了新的途径
同济大学 2021-04-11
纳米石墨烯-碳纳米管-离子液体复合膜及其制备与应用
本发明公开了一种纳米石墨烯-碳纳米管-离子液体复合膜及其制 备与应用,该纳米石墨烯-碳纳米管-离子液体复合膜的厚度为 4000nm 至 6000nm,该纳米石墨烯-碳纳米管-离子液体复合膜由多个石墨烯片 层相互叠加形成,相邻的两个所述石墨烯片层之间的间距为 20nm~ 50nm;相邻的两个所述石墨烯片层之间均分散有碳纳米管和离子液 体。本发明所述的复合膜比表面积高,并且该复合膜具有良好的电化 学活性,可广泛应用于纳米
华中科技大学 2021-01-12
有层次结构的纳米立方体和纳米铁花状结构的制备方法
一种有层次结构的纳米铁立方体和纳米铁花状结构的制备方法,具体作法是:取不锈钢片和钛片、不锈钢片和钛片的面积比为2.5∶1,依次用400,600,800目砂纸抛光,清洗3-5次;超声30分钟,取出备用;配置含450g/L的FeCl2,抗环血酸1.4g/L,氟化铵0.8g/L,复合氨基酸0.7g/L,柠檬酸0.086g/L,0.05mol/L盐酸的电镀液;以处理后的钛片做阴极,不锈钢片做阳极,进行0.1A的恒电流电镀,电镀时间为3-60s;电镀完后取出钛片,即获得纳米铁立方体或纳米铁花状结构。该方法制得的纳米铁为立方体及花状结构,比表面积大,活性好,且设备简单,能耗低,适合大规模生产。
西南交通大学 2016-10-20
均一Fe3O4微球从纳米到微米级尺寸控制合成及癌症早期诊断与预警的血液肿瘤细胞快速检测
该成果采用两亲性多元醇还原的溶剂热法可控制备具有高度单分散性的 Fe3O4 微球,实现了微球尺寸在 50~1200 nm 范围的可调,其>500 nm 的高单分散性的大尺寸磁珠未见文献报道。以 SiO2 等包覆所获得的高单分散性磁珠易于氨基和羧基化,从而在偶联剂(如碳二亚胺)等作用下,易于实现纳米磁珠与 CD45 等抗体的有效结合。目前磁珠表面包被 CD45 等抗体的试验已顺利完成。 该成果提出了纳米磁珠的全尺寸控制合成新思路,在高效包被 CD45 等抗体阴性富集实体瘤循环血液中稀有癌细胞的检
扬州大学 2021-04-14
一种喷射沉积成形制备大块非晶合金的方法
雾化喷射沉积成形技术近年来被广泛用于研究和发展高性能的快速凝固材料。该技术最突出的创新点在于,将液态金属的雾化和雾化熔滴的沉积自然地结合在一起,是一种短流程快速凝固体材料制备新技术。喷射沉积成形块体致密件的形成,是在特定条件下的凝固过程。其基本特点是在沉积表面形成一层极薄的液膜,块体致密件的形成则是这一液膜不断凝固、推进的过程。在多年研究喷射成形技术的基础上,杨滨教授及其课题组成员近年利用喷射沉积成形技术成功地制备出了最大直径为380mm、最大厚度12~13mm的La62Al15.7(Cu, Ni)22.3大块非晶合金,这是国际上迄今报导的最大尺寸的镧基非晶合金样品。DSC测试结果表明,沉积态La62Al15.7(Cu, Ni)22.3非晶合金的过冷液相区宽度DTx和约化玻璃转变温度Trg均高于单辊旋转熔体快淬或铜模铸造法制备的同成分非晶合金。 已获得中国发明专利,杨滨,刘宗峰,张勇,张济山,陈国良,一种喷射沉积成形制备镧基大块非晶合金的方法,专利号:ZL200510086239.6。“高熔点高合金化材料快速凝固气雾化制备技术”,获中国有色金属工业科学技术奖一等奖(2003.12)。
北京科技大学 2021-04-11
晶圆级二维半导体单晶薄膜外延生长的研究
主流硅基芯片CMOS(互补金属氧化物半导体)技术正面临短沟道效应等物理规律和制造成本的限制,需要开发基于新材料和新原理的晶体管技术来延续摩尔定律。高迁移率二维半导体因其超薄的平面结构和独特的电子学性质,有望成为“后摩尔时代”高性能电子器件和数字集成电路的理想沟道材料,进一步缩小晶体管的尺寸和提高其性能。为满足集成电路加工工艺和器件成品率对沟道材料的苛刻要求,二维半导体单晶薄膜的大面积制备尤为关键与重要。然而,现有二维半导体材料体系(过渡金属硫族化合物、黑磷等)薄膜制备仍未满足现实要求,因此亟需实现晶圆级二维半导体单晶薄膜制备技术的突破。 该研究瞄准二维半导体材料的晶圆级单晶制备,率先实现了同时具有高电子迁移率、合适带隙、环境稳定的二维半导体(硒氧化铋,Bi2O2Se)单晶晶圆的外延生长。他们基于自主设计搭建的双温区化学气相沉积系统,在商用的钙钛矿单晶基底【SrTiO3,LaAlO3,或(La, Sr)(Al,Ta)O3】上,利用Bi2O2Se与钙钛矿完美的晶格匹配性及较强的界面相互作用,促使Bi2O2Se晶核同一取向外延并融合生成晶圆级单晶薄膜。Bi2O2Se单晶薄膜在晶圆尺寸上表现出优异的材料和电学均匀性,可被用于批量构筑高性能场效应晶体管。基于晶圆级二维Bi2O2Se单晶薄膜的标准顶栅型场效应晶体管展现了高的室温表观迁移率(>150 cm2/V s)、大的电流开关比(>105)和较高的开态电流(45μA/μm)。相关成果发表在Nano Letters (Wafer-Scale Growth of Single-Crystal 2D Semiconductor on Perovskite Oxides for High-Performance Transistors. Nano Lett. 2019, 19, 2148)。
北京大学 2021-04-11
一种超硬非晶碳薄膜的制备装置和工艺
项目为一种超硬的非晶四面体碳(ta-c)薄膜的制备装置和工艺,该薄膜具有极好的物理化学特性,在碳基薄膜中,是目前国际上公认的SP3键含量最高,超过85%,特性最接近天然金刚石的薄膜,硬度达到HV≥85Gpa,可见光和红外光透明,透光率达97%,吸收紫外光,达98%,薄膜均匀性好,薄膜平整度达0.2nm,摩擦系数≤0.08,电阻率达(1012Ω·cm),击穿电压3.5×106,(),热导率18(),密度3.5(g/cm3),薄膜致密耐腐蚀作用极好。 该项目可用于高精度专有刀具、模具和摩擦滑动部件,提高使用寿命,减小摩擦,如手术和美容刀具、丝锥、PCB钻、拉丝模、冲压模具、压缩机滑块,滑动环等;用于视窗、镜片和传感器表面,可防止划伤,增强散热,利于红外光传递,等;用于激光透镜,可提高损伤阈值;用于射线辐射测量传感器,可抗射线辐射损伤,提高测量的灵敏度。
西安交通大学 2021-04-11
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