本发明属于柔性膜收卷工艺相关领域，并公开了一种柔性膜收 卷质量视觉检测方法，包括:针对收卷装置来布置相应的视觉检测装 置及检测驱动装置;在收卷过程中对料卷端面执行成像检测，并获取 不同焦距下的端面图像，直至收卷完毕;在收卷完成时构建适当算法 求得料卷端面的特征点深度方差，并利用该深度方差来作为量化指标 评价成卷质量。本发明还公开了相应的实时纠偏处理方式。通过本发 明，不仅实现了柔性膜收卷的高精度质量检测，还提出了一种柔性膜 成卷效果量化评价指标，并适用于各类成卷设备的应用场合。

项目背景：1.在我国食品行业中塑料膜作为包装材料的主要 形态之一被广泛应用。对于食品包装防止食品变质，提出了更高 的要求“如何减少防腐剂和脱氧剂的加入并有效增加食品的架货 期、保持食品的新鲜度，在不脱膜的情况下耐高温蒸煮”成为当 下包装行业研究的热点。2.传统的聚丙烯 PP 类材料虽然耐蒸煮， 但强度不高，柔韧性不足，传统的 PE 类材料在耐蒸煮性、透氧 阻隔性又处劣势；通过工艺技术的研发，寻找合适的配方生产膜 材料，尤其在高阻隔防腐方面改进复合膜结构，解决高端市场对 食品、药品等包装材料的需求。 所需技术需求简要描述：1.实现产品经 121℃和 135℃高温 蒸煮，蒸煮过后阻氧系数可达到 1 以下；2.包装材料耐压、耐拉 伸和耐褶皱，内容物两年内不变色。  对技术提供方的要求:具有相关研究成果，国内领先的院校 或科研单位。 

成果与项目的背景及主要用途： 近年来海水淡化技术的快速发展及其成本的大幅降低，使越来越多的国家和地区开始考虑利用淡化水作为第二水源，以缓解日益严峻的淡水危机。目前可用于工业规模的海水淡化方法反渗透技术的发展速度最快，成本的降幅也最大。其原因主要在于膜性能的不断提高和高效能量回收装置的广泛使用。能量回收装置作为反渗透海水淡化系统的必备设备之一，对大幅降低淡化系统的运行能耗，进而降低产水成本至关重要。正位移式能量回收装置近年来备受市场青睐，其产品市场占有率也呈逐年快速增长的发展趋势，淡化系统本体吨水电耗也由 80 年代的 8.0 kWh 降低到约 2.0kWh。 技术原理与工艺流程简介： 按照工作原理的不同，能量回收装置可分为水力透平式（或离心式）和正位移式两种类型。水力透平式运行时通常需要经过“压力能-轴功-压力能”两步转化过程，能量回收效率相对较低，为 50-75%。而正位移式则利用浓盐水直接增压进料海水的方式回收压力能，效率高达 90%-96%。此外，正位移式能量回收装置使用过程中还具有根据运行需要灵活调节淡化系统的产水回收率的特点。“阀控余压能量回收装置”采用正位移式工作原理，集成式水压缸和阀组相结合来实现反渗透海水淡化系统排放浓盐水余压能的回收利用。能量回收装置采用 PLC控制，易于与上位系统相耦合，控制精度和可调性都很好。 技术水平及专利与获奖情况： 该项目经国家海洋局鉴定验收（国海鉴字[2004]003 号），认为该成果达到国际先进水平。该技术已于 2004 年 7 月 7 日获准国家发明专利（授权公告号 CN1156334C）。 应用前景分析及效益预测： 能量回收装置由于具有较高的能量回收效率，已经逐渐成为海水淡化行业中研究和开发的热点，其产品市场占有率也呈逐年快速增长的发展趋势，近年来国内海水淡化工程大多采用美国 ERI 公司的 PX 能量回收装置。我国在 SWRO 能量回收技术方面的研发起步较晚，发展比较迟缓，装置形式较单一，大都局限于双液压缸功交换式，整体水平同国际先进技术还有很大的差距，但工业化发展及应用前景较好。随着我国淡水资源的日益缺乏，反渗透海水淡化工程必将大力发展，因而研究开发具有自主知识产权的能量回收装置具有深远的意义。阀控余压能量回收装置具有与国外同类产品相当的性能指标，其生产成本可比国外产品降低 1/3~1/2，是反渗透海水（或苦咸水）淡化系统必备的关键设备之一，市场前景广阔，经济效益巨大。 应用领域： 该装置可广泛应用于反渗透海水（或苦咸水）淡化系统和工业反渗透系统等水处理领域和有关化工工业（如合成氨工业）中需要回收液体压力能的场合。 合作方式及条件： 以技术合作的方式开发新型反渗透海水淡化能量回收装置系列产品。

本发明涉及一种中空纤维膜组件结构以及制造方法，属于膜分离设备技术领域。本发明所要解决的技术问题是现有的中空纤维膜组件在进行封装工作时，存在的膜丝分布、强度可靠性等问题。本发明开发一种能有效降低密封硬胶凝固过程中最高温度的柱式中空纤维膜组件的封装方法，对提高柱式中空纤维膜组件的良品率、延长膜组件使用寿命具有重要意义。

XM-855A螺旋器及膜性蜗管模型（带数字标识）   XM-855A带数字标识螺旋器及膜性蜗管模型放大350倍，可拆分为5部件，显示螺旋器及膜性蜗管三壁的立体微细结构，模型的内侧端为骨性螺旋板，相当于螺旋缘处的断面，可见其中的骨质，表面肥厚的骨膜及穿通骨质的听神经纤维束，模型的另一端为螺旋韧带，内含多数血管，由侧面看可见前庭膜起于螺旋缘上面的骨膜，止于螺旋韧带的上方。将前庭膜取下观察，可见它由上面的间皮，中间的结缔组织及下面的上皮所成，膜性蜗管的外壁为螺旋韧带，内面附有单层立方上皮。 尺寸：放大350倍，47.5×18×32.5cm 材质：PVC材料

XM-855螺旋器及膜性蜗管模型   功能特点： ■ XM-855螺旋器及膜性蜗管模型放大350倍，由3部件组成，显示螺旋器及膜性蜗管三壁的立体微细结构。 ■ 模型内侧端为骨性螺旋板，相当于螺旋缘外的断面，可见其中的骨质、表面肥厚的骨膜及穿通骨质的听神经纤维束。 ■ 另一端为螺旋韧带，内含多数血管。 ■ 前庭膜起于骨膜，止于螺旋韧带上方，由间皮、结缔组织和上皮组成。 ■ 膜性蜗管外壁为螺旋韧带，韧带下部向内凸起为螺旋凸，向内侧的尖锐突起为螺旋嵴，与膜性螺旋板相连，凸与嵴间的沟为外螺旋沟。 ■ 膜性蜗管下壁示骨性螺旋板骨膜肥厚形成螺旋缘，它突入膜性蜗管中，分别形成前庭唇和鼓室唇，二唇间有内螺旋沟。 ■ 鼓室唇的外方为膜性螺旋板的固有膜，它止于螺旋韧带嵴，此处有听弦（深红色）呈放射状进入螺旋韧带中，在近骨性螺旋板处示多处穿孔带，内有听神经穿过。 ■ 螺旋器位于外内螺旋沟之间，固有膜之上，由各种细胞构成，示螺旋器的内隧道由内外柱细胞围成。 ■ 内柱细胞（浅兰色）上端长方形头板与外柱细胞（深绿色）的凸形头端相嵌合，内柱细胞内侧有内指细胞（浅绿色）。 ■ 内指细胞内侧有边缘细胞（黄色），它内方变低为内螺旋沟上皮细胞，在内柱及边缘细胞之间内指细胞之上，有呈长颈瓶形的内毛细胞（白色），上端表面有纤毛。 ■ 外柱细胞（白色）外侧有外指细胞，外毛细胞位于其上，再向外为外螺旋沟上皮细胞。 ■ 盖膜（黄褐色）由细纤维和胶样基质所成。 ■ 前庭唇上有多数齿间细胞（兰色），它下部埋于螺旋缘结缔组织中，细胞上面合在一起形成盖膜。 ■ 耳蜗神经的树突和轴突穿过骨性螺旋板，再经穿孔带进入边缘和内指细胞间，一部终于内毛细胞上，大部纤维横越内隧道分布于外毛细胞上。 ■ 尺寸：放大350倍，47.5×18×32.5cm ■ 材质：玻璃钢材料

碳纳米管作为一种一维有序的纳米碳质结构和功能材料，具有比强度高、导热系数高、电导率高、表面活性高和耐化学腐蚀等特点，可在吸附、储能、储气、纳米器件、催化剂载体、高性能结构和功能复合材料等方面具有潜在的和广泛的应用前景。多壁碳纳米管作为复合材料添加剂，可以有效改善复合材料的强度等性能，其制备成本又远低于单壁碳纳米管，可望得到更为广泛的应用，这种广泛程度取决于对其在规模化、低成本、高纯度制备技术上的进一步突破。 本技术是一种以聚丙烯腈微纳米球制备高纯度多壁碳纳米管的方法，其目的在于克服现有技术如电弧放电法和激光蒸发法的下列弊端；制备过程所需能量高，成本居高不下；化学气相沉积法需要添加金属催化剂，制备的碳纳米管纯度不高，含有无定型碳和催化剂颗粒；聚合物纺丝法得到的碳纳米管纯度和收率低。采用本技术制备碳纳米管，具有不需金属催化剂、纯度高、无需纯化、分散性好和可大规模生产的特点，显著优于从核壳结构高分子微纳米球胶囊出发纺丝制备碳纳米管的方法。 技术指标：多壁碳纳米管直径为15～100纳米且可控，管壁20～40层且可控，长径比大于100且可控，纯度大于 99％。

一种有层次结构的纳米铁立方体和纳米铁花状结构的制备方法，具体作法是：取不锈钢片和钛片、不锈钢片和钛片的面积比为2.5∶1，依次用400，600，800目砂纸抛光，清洗3-5次；超声30分钟，取出备用；配置含450g/L的FeCl2，抗环血酸1.4g/L，氟化铵0.8g/L，复合氨基酸0.7g/L，柠檬酸0.086g/L，0.05mol/L盐酸的电镀液；以处理后的钛片做阴极，不锈钢片做阳极，进行0.1A的恒电流电镀，电镀时间为3-60s；电镀完后取出钛片，即获得纳米铁立方体或纳米铁花状结构。该方法制得的纳米铁为立方体及花状结构，比表面积大，活性好，且设备简单，能耗低，适合大规模生产。

雾化喷射沉积成形技术近年来被广泛用于研究和发展高性能的快速凝固材料。该技术最突出的创新点在于，将液态金属的雾化和雾化熔滴的沉积自然地结合在一起，是一种短流程快速凝固体材料制备新技术。喷射沉积成形块体致密件的形成，是在特定条件下的凝固过程。其基本特点是在沉积表面形成一层极薄的液膜，块体致密件的形成则是这一液膜不断凝固、推进的过程。在多年研究喷射成形技术的基础上，杨滨教授及其课题组成员近年利用喷射沉积成形技术成功地制备出了最大直径为380mm、最大厚度12～13mm的La62Al15.7(Cu, Ni)22.3大块非晶合金，这是国际上迄今报导的最大尺寸的镧基非晶合金样品。DSC测试结果表明，沉积态La62Al15.7(Cu, Ni)22.3非晶合金的过冷液相区宽度DTx和约化玻璃转变温度Trg均高于单辊旋转熔体快淬或铜模铸造法制备的同成分非晶合金。 已获得中国发明专利，杨滨，刘宗峰，张勇，张济山，陈国良，一种喷射沉积成形制备镧基大块非晶合金的方法，专利号：ZL200510086239.6。“高熔点高合金化材料快速凝固气雾化制备技术”，获中国有色金属工业科学技术奖一等奖（2003.12）。

主流硅基芯片CMOS（互补金属氧化物半导体）技术正面临短沟道效应等物理规律和制造成本的限制，需要开发基于新材料和新原理的晶体管技术来延续摩尔定律。高迁移率二维半导体因其超薄的平面结构和独特的电子学性质，有望成为“后摩尔时代”高性能电子器件和数字集成电路的理想沟道材料，进一步缩小晶体管的尺寸和提高其性能。为满足集成电路加工工艺和器件成品率对沟道材料的苛刻要求，二维半导体单晶薄膜的大面积制备尤为关键与重要。然而，现有二维半导体材料体系（过渡金属硫族化合物、黑磷等）薄膜制备仍未满足现实要求，因此亟需实现晶圆级二维半导体单晶薄膜制备技术的突破。 该研究瞄准二维半导体材料的晶圆级单晶制备，率先实现了同时具有高电子迁移率、合适带隙、环境稳定的二维半导体（硒氧化铋，Bi2O2Se)单晶晶圆的外延生长。他们基于自主设计搭建的双温区化学气相沉积系统，在商用的钙钛矿单晶基底【SrTiO3，LaAlO3，或(La, Sr)(Al,Ta)O3】上，利用Bi2O2Se与钙钛矿完美的晶格匹配性及较强的界面相互作用，促使Bi2O2Se晶核同一取向外延并融合生成晶圆级单晶薄膜。Bi2O2Se单晶薄膜在晶圆尺寸上表现出优异的材料和电学均匀性，可被用于批量构筑高性能场效应晶体管。基于晶圆级二维Bi2O2Se单晶薄膜的标准顶栅型场效应晶体管展现了高的室温表观迁移率（>150 cm2/V s）、大的电流开关比（>105）和较高的开态电流（45μA/μm）。相关成果发表在Nano Letters (Wafer-Scale Growth of Single-Crystal 2D Semiconductor on Perovskite Oxides for High-Performance Transistors. Nano Lett. 2019, 19, 2148)。