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均匀硫化亚铜（Cu2S）纳米球及其可放大生产技术
均匀硫化亚铜（Cu2S）纳米球及其可放大生产技术 项目简介 硫化亚铜（Cu2S）是一种直接窄带隙半导体（Eg = 1.21 eV）材料。由于这一合适的 带隙宽度以及其元素构成无毒无污染、地球含量丰富，Cu2S 广泛应用于光伏太阳能电池、 光电转化领域。已报道的研究证明，Cu2S 与 CdS 组建的复合纳米材料展现出高达 5.4%的 太阳能转化效率，可望运用于太阳能光伏行业，与多晶硅太阳能电池材料相媲美。本
江苏大学
2021-04-14
基于电纺芯鞘纳米纤维的药物两级控释给药系统
同轴静电纺丝通过采用一个具有套筒结构的纺丝头为模板，控制两股工作流体以内外关系在高压电场下拉伸，通过溶剂的快速挥发，在纤维接收板可以获得具有芯鞘结构特征的纳米纤维膜。 选用合适的药用聚合物辅料为芯鞘结构纳米纤维的基材，通过同轴高压静电纺丝可以有效调节药物在纳米纤维芯部或鞘部的分布与含量，进而调控药物的两级缓控释给药特征，并通过同轴电纺过程中芯鞘流量的调控，调节药物在两级的相对释放量。 可以根据用户需要进行多种药物的两级控释给药系统的研制和开发。
上海理工大学
2021-04-13
多功能核壳结构的抗肿瘤青蒿素类药物纳米制剂
成果创新点 本项目实现了非水溶性青蒿素类药物的高效装载和响 应型释放，提升了该类药物的生物利用度；通过磁靶向和 高渗透长滞留效应（EPR）实现载体在肿瘤的富集，实现青 蒿素类药物和铁离子的同步递送，可有效抑制肿瘤细胞增 殖；载体可作为磁共振成像对比剂（T2），弛豫率高；载体 的合成过程简便高效，可重复性好；载体本身具有较好的 生物相容性。 技术成熟度 目前已实现该纳米药物制剂
中国科学技术大学
2021-04-14
一种基于双频磁场磁纳米磁化强度的温度测量方法
本发明公开了一种基于双频磁场磁纳米磁化强度的温度测量方法，属于磁纳米测试技术领域。本发明将磁纳米样品放置在待测对象处，对放置磁纳米样品的区域施加双频激励磁场，采集双频磁场激励下磁纳米样品的磁化强度信号，然后从中提取出各次谐波幅值，最后根据谐波与温度的关系构建方程组求解温度。本发明可以快速准确的测量物体温度，特别适用于非接触式温度测量。
华中科技大学
2021-04-14
一种改进的基于支持向量机的纳米结构特征尺寸提取方法
本发明公开了一种改进的基于支持向量机的半导体纳米结构特征尺寸提取方法，步骤为：确定每一个待提取参数的取值范围，生成子光谱数据库；利用训练光谱和支持向量机训练网络进行支持向量机训练；对每一个待提取参数利用训练光谱重复训练多个支持向量机，每一个支持向量机的训练终止条件均不相同；利用多个支持向量机，对测量光谱进行映射；找出所有支持向量机映射结果中出现次数最高的一个，视为最有可能出现的取值区间；建立子光谱数据库，找出其中与测量光谱最为相似的仿真光谱，即认为是待测结构的参数值。本发明可以实现特征线宽、高度、侧
华中科技大学
2021-04-14
超低温冷冻异体骨与生长因子纳米微球复合物
独自拥有。
四川大学
2016-04-29
纳米尺度下大面积散射场的快速测量方法及装置
本发明公开了一种纳米尺度下快速大面积海量散射场测量的装 置，包括:起偏端，用于将光束进行调制得到一定偏振态的光束;检 偏端，用于将偏振态光束进行解调以获得样品信息;还包括物镜和第 一透镜，待测样品位于物镜的前焦面上，偏振态光束经过该第一透镜 聚焦在物镜的后焦面，待测样品散射光被物镜收集并成像于其后焦面， 进而成像于图像采集装置上;以及扫描振镜，用于使得所述物镜出射 到样品上的光束角度改变，获得待测样品不同入射角下的散射场分布 图像，实现对待测样品纳米尺度下的快速精确的形貌测量。本发明还 公开了相应的
华中科技大学
2021-04-14
燃料电池技术突破——天津大学教授单相法合成COF纳米片
近日，天津大学姜忠义教授、Michael Guiver教授、尹燕教授合作报道了单相法合成共价有机框架（COF）纳米片的研究工作。单相法摆脱了目前常用的“两相法”或“多相法”对表面/界面的依赖，利用电荷排斥效应，实现了COF纳米片的超高体积收率。
天津大学
2023-01-03
一种基于磁纳米磁化强度-温度曲线的快速测温方法
本发明公开了一种基于磁纳米磁化强度-温度曲线的快速测温方法，其包括以下步骤：(1)将磁纳米粒子样品置于待测对象的表面；(2)在所述磁纳米粒子样品所在区域施加直流激励磁场；(3)获取所述待测对象的初始温度 T(0)，并根据该初始温度 T(0)计算出初始磁化强度M(0)；(4)采用探测线圈检测由温度变化而引起磁化强度变化的响应信号 u(t)；(5)根据所述初始磁化强度 M(0)和响应信号 u(t)实时计算出磁纳米粒子的磁
华中科技大学
2021-04-14
一种探测单根弯曲半导体纳米线中晶格畸变的方法
本发明公开了一种基于二次谐波显微术探测单根弯曲半导体纳米线中晶格畸变的高灵敏度方法。在显微系统下，利用探针推动单根纳米线一端使之弯曲，从而产生不同程度的晶格畸变。同时，将一束激光聚焦至单根纳米线上一点 A，并连续改变泵浦光偏振方向和纳米线长轴之间的夹角(偏振角θ)，测定二次谐波强度随偏振角θ的变化关系。在保持泵浦光聚焦位置在 A 点不变的情况下，随弯曲曲率逐渐增大，偏振角θ＝90°和θ＝0°时的二次谐波强度之比显著减小。本发明提供了一种新型测定半导体纳米线晶格畸变的全光方法，相对于传统透射电镜法，其
华中科技大学
2021-04-14