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高纯α相
纳米
氧化铝
产品特点 高纯纳米氧化铝通过等离子体气相燃烧法制备,纯度高、粒径小、分布均匀,比表面积大、表面干净,无残余杂质,松装密度低,易于分散,晶相稳定、硬度高、尺寸稳定性好,应用于各种塑料、橡胶、陶瓷产品的补强增韧,提高陶瓷的致密性、光洁度、冷热疲劳性、断裂韧性、抗蠕变性能和高分子材料产品的耐磨性能尤为**。由于纳米三氧化二铝也是性能优异的远红外发射材料,作为远红外发射和保温材料被应用于化纤产品和高压钠灯中。此外,α相氧化铝电阻率高,具有良好的绝缘性能,可应用于YGA激光晶的主要配件和集成电路基板中。 产品参数 产品名称 型号 平均粒度(nm) 纯度(%) 比表面积(m2/g) 松装密度(g/cm3) 晶型 颜色 纳米氧化铝 ZH-Al2O330N 30 99.9 63.67 0.12 α相 白色 纳米氧化铝 ZH-Al2O350N 50 99.9 55.46 0.19 α相 白色 纳米氧化铝 ZH-Al2O3100N 100 99.99 35.19 0.33 α相 白色 纳米氧化铝 ZH-Al2O3200N 200 99.99 23.18 0.56 α相 白色 加工定制 为客户提供定制颗粒大小和表面改性处理 产品应用 1、红宝石、蓝宝石的主成份皆为氧化铝,用高纯的纳米氧化铝粉做出来的产品,杂质少,色泽更亮,更均匀; 2、铝与空气中的氧气反应,生成一层致密的氧化铝薄膜覆盖在暴露于空气中铝表面; 3、铝为电和热的良导体。氧化铝的晶体形态因为硬度高,适合用作研磨材料及切割工具; 4、高纯纳米氧化铝粉末常用作色层分析的媒介物; 5、**度氧化铝陶瓷、C基板、封装材料、高纯坩埚、绕线轴、轰击靶、炉管;抛光材料、玻璃制品、金属制品、半导体材料、塑料、磁带、打磨带;涂料、橡胶、塑料耐磨增强材料、耐水材料;气相沉积材料、荧光材料、特种玻璃、复合材料和树脂材料;催化剂、催化载体、分析试剂; 6、高纯纳米氧化铝粉应用于照明:长余辉荧光粉原料及稀土三基色荧光粉原料,高压钠灯透光管,LED灯等。 产品表征 包装储存 本品为镀铝箔袋热封包装,密封保存于干燥、阴凉的环境中,不宜暴露空气中,防受潮发生氧化团聚,影响分散性能和使用效果;包装数量可以根据客户要求提供,分装。 技术咨询与索样 联系人:王经理(Mr.Wang) 电话:18133608898 微信:18133608898 QQ:3355407318 邮箱:sales@hfzhnano.com
安徽中航纳米技术发展有限公司
2025-11-28
高纯
纳米
四氧化三钴
产品特点 高纯纳米四氧化三钴通过等离子体气相燃烧法制备,纯度高、粒径小、分布均匀,比表面积大、表面干净,无残余杂质,松装密度低,易于分散。 产品参数 产品名称 型号 平均粒度(nm) 纯度(%) 比表面积(m2/g) 松装密度(g/cm3) 形貌 颜色 纳米氧化钴 ZH-Co3O450N 50 99.9 31.43 0.36 近球形 黑色 纳米氧化钴 ZH-Co3O4100N 100 99.9 25.79 0.45 近球形 黑色 纳米氧化钴 ZH-Co3O4500N 500 99.9 11.30 0.87 近球形 黑色 加工定制 为客户提供定制颗粒大小和表面改性处理 产品应用 1、高纯纳米四氧化三钴应用于催化剂上面:利用四氧化三钴纳米棒作催化剂,可将汽车尾气中的CO在低温下转化为CO2; 2、可用作颜料、釉料、氧化催化剂、分析试剂,也用于从镍中分离钴等; 3、高纯纳米四氧化三钴具有尖晶石晶体结构,是一种重要的磁性材料、P—型半导体,在异相催化、锂离子充电电池的材料、固态传感器、电致变色器件、太阳能吸收材料和颜料等方便的应用; 4、适用范围:压敏电阻、热敏电阻、氧化锌避雷器、显象管玻壳、锂离子电池等行业; 5、用作锂电子材料,用于氧化钴及钴盐的制备,用作高纯分析试剂、氧化钴及钴盐的制备,用作锂电子材料、氧化钴及钴盐的制备,用于电池材料、磁性材料、热敏电阻等; 也可用作催化剂机制作珐琅等。 包装储存 本品为充惰气塑料袋包装,密封保存于干燥、阴凉的环境中,不宜暴露空气中,防受潮发生氧化团聚,影响分散性能和使用效果;包装数量可以根据客户要求提供,分装。 技术咨询与索样 联系人:王经理(Mr.Wang) 电话:18133608898 0551-65110318 微信:18133608898 QQ:3355407318 邮箱:sales@hfzhnano.com
安徽中航纳米技术发展有限公司
2025-11-28
无振动
棒
的金属靶发生器
本发明公开了一种无振动棒的金属靶发生器,其包括:筒体,该筒体内容置有液态金属(6),用于产生金属靶靶;微孔(10),开设在筒体底部,金属液体可通过该微孔(10)流出;其特征在于,该金属靶发生器还包括电磁线圈(9,15,37,38),其通电后产生电磁力作用在液体金属(6)上,使得从所述微孔(10)流出的液体为呈均匀滴落的金属靶,进而形成金属靶靶。本发明的装置利用电磁场实现射流断裂,无需借助振动棒,从而避免液体金属产生的波动,而且金属靶体积小、下落的间隔周期稳定。
华中科技大学
2021-04-11
浓缩乳清蛋白营养
棒
生产技术
一、成果简介 本发明提供了一种高蛋白的营养棒,以浓缩乳清蛋白粉为主要蛋白源,复合以焦糖花生层,本产品含有20~35%的蛋白质,40~60%碳水化合物,10~20%脂肪及多种适量的维生素,矿物质,膳食纤维等。本发明产品具有以下优点: 1.口感松软,味感浓郁、加之涂挂巧克力的可可纯香,食之诱人,补充营养的同时,享受美味;
中国农业大学
2021-04-14
谷氨酸
棒
杆菌医药蛋白表达体系
谷氨酸棒杆菌(Corynebacterium glutamicum)被广泛用于食品工业生产,是一种安全性很高的工业菌株;具有包括 Sec 和 Tat 分泌途径在内完善的蛋白分泌系统;没有类似于大肠杆菌(E. coli)所带来的内毒素和宿主细胞蛋白污染等问题。这些显著优点使它成为一种有吸引力的外源蛋白表达生产用的底盘细胞。目前国内生物医药领域主要依赖于 E.coli 表达体系生产医药蛋白,原创性外源蛋白表达体系的缺失,在知识产权方面将制约到我国生物医药产业的发展。该项成果有望为我国生物医药产业提供一个具有自主知识 产权的谷氨酸棒杆菌安全高效外源蛋白表达体系。
江南大学
2021-04-13
钨酸锆
薄膜
的制备方法
钨酸锆薄膜的制备方法,它属于薄膜制备领域.本发明解决了现有钨酸锆薄膜制备方法存在的操作复杂,成本高的问题.本发明的方法如下:一,硝酸氧锆和溶剂混合得到A溶液;二,络合剂,溶剂和偏钨酸铵混合得到B溶液;三,将A和B混合,配制溶胶;四,通过旋涂制备湿膜,再将湿膜预烧;五,制备钨酸锆非晶薄膜;六,钨酸锆非晶薄膜晶化后即得钨酸锆薄膜.本发明的制备工艺简单,成本低,制备得到的薄膜表面平整致密,厚度均匀,晶粒大小均匀.
哈尔滨师范大学
2021-05-04
制备结晶氮化碳
薄膜
的装置
1.项目简介:本设计了一种制备结晶氮化碳薄膜的装置,设有脉冲电弧放电的机构及电路,该电路由高压和电弧产生电路组成;该机构包括基板和与之相连的电加热器,设有半密封箱体,基板、电加热器和电极位于半密封箱体腔内,基板位于电极的下方或四周,设有2条带有控制阀的管道,分别通氮气和溶液,其下端深入半密封箱体腔内,通溶液的管道下端出口处于电极的上方。该装置能高效率、高质量地制备出结晶氮化碳薄膜,能方便地将结晶氮化碳薄膜涂层制备到管径较小的管道内壁,从而有利于结晶氮化碳薄膜的推广应用。项目已获实用国家新型专利权。2.技术特点:该发明解决了氮化碳薄膜低温常压沉积的困难,而且提供了能高效率、高质量地制备结晶氮化碳薄膜的方法及装置。与其它方法相比,该发明的显著特点是:在常压下合成的产品主要为结晶氮化碳薄膜;沉积速率快,在大气环境下产生稠密的含碳、氮等离子体,从而提高了生产效率,利于推广结晶氮化碳薄膜的应用。
武汉工程大学
2021-04-11
钼酸盐功能
薄膜
及其制备方法
一种钼酸盐功能薄膜,以导电或不导电的、晶态或非晶态的材料为衬底,晶粒度范围10~500NM,厚度100~3000NM。制备钼酸盐功能薄膜的工艺步骤为:(1)配制含MO离子络合物的溶液,以钼酸铵或/和钼酸为溶质,以丙二醇或丙三醇或丙二醇、丙三醇与丙二醇甲醚、冰乙酸的混合液为溶剂;(2)配制含金属离子络合物的溶液,以碱金属及碱土金属的碳酸盐或/和过渡金属及稀有金属的硝酸盐为溶质,以丙二醇或丙三醇或丙二醇、丙三醇与丙二醇甲醚、冰乙酸的混合液为溶剂;(3)制备钼酸盐前驱物溶液,将上述含MO离子络合物溶液和含金属离子络合物溶液充分搅拌混合,然后至少静置40分钟;(4)采用旋涂技术成膜和干燥。
四川大学
2021-04-11
长循环硅基复合
薄膜
负极
随着微电子行业等微型化科技的快速发展,薄膜材料得到广泛应用。薄膜电池作为微型电源器件具有广阔发展空间。薄膜材料对于硅基负极而言,其短程储锂深度和单向膨胀的优势能够有效克服硅基材料的本征导电率低和体积膨胀大的问题。开发无需粘结剂的硅基负极薄膜材料对于薄膜负极发展意义深远。项目通过物理沉积方法,实现电极结构设计与导电型材料复合,改善硅基材料低导电率问题,优化硅基材料体积膨胀缓冲空间,从而完成无粘结剂硅基材料制备和倍率、循环等性能的提高。
厦门大学
2021-01-12
少层石墨双炔
薄膜
制备
以石墨烯为模板的少层石墨双炔薄膜的液相范德华外延生长法。以原子级平整的二维石墨烯为基底,采用极低的单体浓度(0.04 mM),在室温下进行偶联反应,通过溶液相范德华外延的方法,成功制备得到了大面积均匀连续的高质量、少层石墨双炔薄膜,高分辨透射电镜和光谱表征证实了其高质量单晶结构。该石墨双炔薄膜为ABC堆垛的三层结构,电子衍射显示石墨双炔/石墨烯薄膜具有两套单晶衍射点,分别对应于石墨双炔和石墨烯的单晶衍射图案,结果表明生长在石墨烯上的石墨双炔与下层石墨烯的晶格取向夹角为14°。
北京大学
2021-04-11
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