本发明公开了一种通过混合相分离制备聚合物多孔纳米纤维的方法，得到的聚合物多孔纳米纤维直径在300～900nm之间，孔径为1～120nm，其制备方法为：将聚合物、添加剂和溶剂按一定比例混合，加热搅拌至完全溶解形成透明溶液，将溶液进行静电纺丝，初生纤维沉积于冰水浴或温度为0～20℃的水浴中，发生热致相分离和非溶剂致相分离，经过后处理萃取剩余的溶剂和添加剂，得到聚合物多孔纳米纤维。本发明制备方法简单、方便、高效，可通过调节静电纺丝条件制备直径不同、孔隙率不同的聚合物多孔纳米纤维。本发明在高技术复合材料、水处理、催化剂载体和电极材料等方面存在巨大的应用前景。

本发明公开了一种磁纺制备导电聚合物微纳米纤维的方法，包括以下步骤：(1)搭建磁纺装置：所述磁纺装置包括带有永磁铁的旋转收集圆盘；(2)配制纺丝前躯体溶液：磁性纳米颗粒、高分子聚合物和导电聚合物混合溶于有机溶剂配溶液；(3)利用磁纺装置制备导电聚合物微纳米复合纤维：将纺丝前躯体溶液注入给料装置中，开启给料装置，纺丝喷头喷射口处的液滴在磁场力的作用下形成射流与永磁铁搭连成桥，打开直流无刷电机带动收集圆盘旋转，在磁场力作用下铁磁流体射流不断被拉出，在收集圆盘的竖直支柱间缠绕形成合导电聚合物微纳米纤维。该方法无需高压电作用，降低了生产成本和安全隐患，纤维排布有序，适合大规模生产，具有很好的应用前景。

本发明公开了一种利用锡须生长制备一维纳米线的方法，在基片上沉积金属层，利用光刻工艺形成条纹状的纳米级金属细线；将金属细线的两端接电极，通电，促使金属层加速生长晶须得到一维纳米线。本发明能够有效控制纳米级细线的直径大小和长度，生长出来的一维纳米线直径均匀，并直接在基底上生成，有利于三维封装的连接。

本项目以电石渣、石灰、烟道气、芒硝、氯化钙、废硫酸等“三废”资源作为原料,通过独创的工艺及高效节能新装备开发了系列可大规模、低成本生产的粒径均匀,平均粒径达到50纳米(nm)以下系列超微细钙类新产品。特别值一提的是在烟道气净化和超低排放的的同时,可充分利用其中的二氧化硫和二氧化碳和电石渣,实现＂以废治废＂,低成本、高品质生产纳米碳酸钙和硫酸钙。系列新产品具有很好的熔融加工和显著的增强及增韧性能，在塑料、橡胶、沥青、涂料、粘结剂等产品中大比例添加性价比优势突出,开发潜力巨大。

本发明提供了一种新方法，通过超分子交联聚合物网络在油‑水界面上促进金纳米颗粒（Au NPs）的自组装。这种技术有效地生产出大面积的金纳米颗粒聚合物膜，适用于表面增强拉曼散射（SERS）传感应用。与传统方法制备的金纳米颗粒膜相比，这些聚合物网络交联的金纳米颗粒膜表现出显著提高的机械强度，不易破裂，可以附着在水产品表面进行活体检测。优异的SERS性能、低成本以及高灵活性和稳定性使其成为实时检测溶液或食品中有毒残留物的有前途的候选材料。

成果描述：本实用新型公开了基于电子信息技术的标签检测设备,包括安装底板,安装底板的上方焊接有罩壳,罩壳的两端均设有物料通道,物料通道的开口处铰接有盖板,罩壳的顶部内壁安装有驱动装置,驱动装置上安装有取料机构,安装底板上方还安装有调节装置,调节装置的一侧安装有物料存放盘,调节装置包括与安装底板固定连接的矩形安装板,安装板的一侧侧边焊接有第一限位柱,安装板与第一限位柱相邻的一侧侧边焊接有第二限位柱,安装板远离第一限位柱的一侧下方安装有第一定位机构。本实用新型结构简单、操作调节简单、适用于各种型号的电子信息技术的标签的定位操作,为电子信息技术的标签自动化检测提供基础。市场前景分析：本实用新型结构简单、操作调节简单、适用于各种型号的电子信息技术的标签的定位操作,为电子信息技术的标签自动化检测提供基础。与同类成果相比的优势分析：国内领先

成果描述：本实用新型公开了一种基于电子信息技术的自动冲模装置,包括机架和开关控制装置,所述机架的顶部中央位置焊接有下模座,且下模座的顶部匹配有上模座,所述上模座的两侧分别竖直设有导杆,且两个导杆的底端分别焊接在机架的顶部两侧,每个导杆上开设有矩型放置腔,且矩型放置腔的两侧内壁上均开设有矩型开口,所述矩型放置腔的内部竖直设有金属杆,且金属杆焊接上模座的一侧水平焊接有与矩型开口内壁滑动连接的连接杆,所述连接杆靠近上模座的一端焊接在上模座的中央位置。本实用新型经济实用,冲模装置通过对推杆电机的正反转进行智能控制,以此来带动上模座对下模座上的物料进行冲模操作,使得冲模装置的工作效率高。市场前景分析：本实用新型经济实用,冲模装置通过对推杆电机的正反转进行智能控制,以此来带动上模座对下模座上的物料进行冲模操作,使得冲模装置的工作效率高。与同类成果相比的优势分析：国内领先

近几年，硅基集成电路的速度遭遇瓶颈、停滞不前，解决的办法之一是引入光子学器件，部分取代电子学集成电路中的信号处理和互联器件，这就要求光子学器件具有像电子学集成那样的小尺度和三维集成能力，同时具有和电子学集成兼容的制备工艺。这些要求使得光电混合集成面临巨大的挑战，是一个世界性的难题。 光学所张家森教授团队与信息科学学院彭练矛教授团队合作，提出了基于表面等离激元和碳纳米管的三维光电混合集成系统，该系统与现有的COMS制备工艺兼容，可以实现光子学和电子学的三维集成和互联，为解决集成电路的速度瓶颈提供了一种方法。他们演示了几种集成回路，包括在片光操控回路、波长和偏振复用回路和具有COMS信号处理电路的集成模块。Fig. 1. Integration of plasmonic-enhanced detector with carbon nanotube (CNT) complementary metal oxide semiconductor (CMOS) signal processing circuits. a, Schematic of the 3D integrated circuits, consisting of bottom-layer passive WFSAs and metal connection lines, in-between HfO2 dielectrics and Au cross-layer connection lines, and top-layer plasmonic receiver and CNT CMOS signal processing circuits. b, Output characteristics of the plasmonic-enhanced barrier-free-bipolar diode (BFBD) and the normal BFBD under the illumination at "λ" =1200 nm. c, Electric field pattern of the La=320-nm SA. d-e, Transfer (d) and output (e) characteristics of the CMOS. f, VTC curves of the CMOS (blue line) and the 3D integrated circuits (red line). Inset is the corresponding equivalent circuit diagram of the 3D integrated circuits. g-i, Statistical figures of merit of the deep-subwavelength modules, including photocurrent (g) and photovoltage (h) of the BFBD as well as on-state current of the CMOS (i). 这种三维集成系统的优点包括：1. 使用低温COMS兼容制备工艺，可以在单片集成回路中集成光子学模块、电子学信号处理系统和存储系统；2. 利用具有原子厚度的碳纳米管材料以及金属工艺，使得光子学集成和电子学集成在材料上兼容；3. 基于表面等离激元使得光子学器件尺度可以和电子学器件尺度相近，便于集成；4. 碳纳米管的工作波段可以覆盖整个通讯波段，这是硅材料无法做到的；5. 光电探测器工作于光伏模式，可以减小能耗。该工作是首次利用原子厚度材料实现三维光电混合集成，可以实现更小的尺寸、更快的速度和更多的功能，同时，有可能解决电子学集成回路在速度上的瓶颈。 上述实验结果近期发表于最新一期《自然 电子学》杂志。 相关文献：Yang Liu, Jiasen Zhang, and Lian-Mao Peng, Three-dimensional integration of plasmonics and electronics. Nature Electronics 1, 644-651 (2018).Yang Liu, Jiasen Zhang, Huaping Liu, Sheng Wang, and Lian-Mao Peng, Electrically-driven monolithic subwavelength plasmonic interconnect circuits. Science Advances 3, e1701456 (2017).