高等教育领域数字化综合服务平台
云上高博会服务平台 高校科技成果转化对接服务平台 大学生创新创业服务平台 登录 | 注册
|
搜索
搜 索
  • 综合
  • 项目
  • 产品
日期筛选: 一周内 一月内 一年内 不限
一种阈值电压可调的薄膜晶体管作为非易失性存储器的用途
本发明公开了一种阈值电压可调的薄膜晶体管作为非易失性存储器的用途,薄膜晶体管的顶栅、阻挡层、存储层、隧穿层及沟道层构成了顶栅型存储器;薄膜晶体管的沟道层、底栅氧化层及底栅构成了底栅型TFT。通过对顶栅型存储器进行操作实现非易失性存储器的“编程/擦除”操作,通过对底栅型TFT进行操作实现非易失性存储器的“读”操作。“编程/擦除(Program/Erase,P/E)”和“读”操作的分离,提升了存储器的存储窗口、可靠性以及工作速度等的性能。
东南大学 2021-04-11
一种具有共振隧穿结构电子阻挡层的发光二极管
本发明公开了一种具有共振隧穿结构电子阻挡层的发光二极管,包括:由下而上依次设置的衬底、n型氮化物层、多量子阱层、电子阻挡层、p型氮化物层、p型氮化物欧姆接触层,所述n型氮化物层上设置的n型电极和所述p型氮化物层上设置的p型电极;其中电子阻挡层由由下而上依次设置的p型掺杂氮化物势垒层,非掺杂氮化物势阱层、利用共振隧穿效应增大空穴透过率的非掺杂势垒层联合
东南大学 2021-04-14
一种具有双掺杂多量子阱结构的紫外发光二极管
本发明公开了一种具有双掺杂多量子阱结构的紫外发光二极管,包括:由下至上依次设置的衬底,AlN中间层、非掺杂AlGaN缓冲层、n型AlGaN层、双掺杂的AlxGa1?xN/AlyGa1?yN多量子阱有源区、AlzGa1?zN电子阻挡层,其中z>y>x,p型AlGaN层和透明导电层,在n型AlGaN层和透明导电层上分别设置的n型欧姆电极和p型
东南大学 2021-04-14
喹噁啉类三种兽药的食品安全性评价与风险管控技术
该项目2016年获得湖北省科技进步一等奖。由于乙酰甲喹和喹烯酮尚未确定每日允许摄入量(ADI)、残留标识物(MR)和靶组织(TT),未能制订最高残留限量(MRLs)和休药期(WP),喹乙醇仅有猪肌肉暂定MR及MRL,这三种药物一直没有科学的食品安全标准和风险管控技术,消费者健康受到威胁。 该项目主要创新如下: 1、针对代谢资料缺乏、无MR等问题,在猪、鸡和鲤开展放射示踪研究,鉴定出代谢物33种,发现残留物20种,阐明了代谢机制、残留消除规律及种属差异,确定了MR及TT,为有害残留的风险评估与管控提供了翔实、科学的基础数据。 2、针对毒理资料缺乏、无MRLs等问题,开展全面、系统、深入的毒理和暴露评估研究,揭示药物的毒性和毒作用特点,阐明量-效、时-效关系,确定了ADI,制订MRLs 18个、休药期6个,为有害残留的风险管控与交流提供了理论依据。 3、针对缺乏新型、高效检测技术的问题,自主研制残留物的标准品17种,建立定量/确证分析方法9种,发明快速检测的核心试剂22种,创制基于抗体的高效检测试剂盒6个,为有害残留的风险管控提供了技术支撑。 发现的代谢物和残留物,自主研制的标准品、检测方法及其标准,发明的快速检测核心试剂及试剂盒,填补了国内外空白,提升了兽医兽药科技的自主创新能力。喹乙醇新MR的发现改正了国际食品法典委员会以往推荐的错误标准。 成果完成时间:2012年
华中农业大学 2021-01-12
可实现纯紫外发光的ZnO基异质结发光二极管的制备方法
本发明公开了一种可实现纯紫外发光的ZnO基异质结发光二极管的制备方法,包括如下步骤:在蓝宝石衬底上生长n?ZnO纳米线;采用磁控溅射法在p?GaN上溅射一层AlN薄膜;采用溅射法或者电子束蒸镀分别在n?ZnO和p型GaN一端制备具有欧姆接触的金属电极;将AlN薄膜/p?GaN紧扣在n?ZnO纳米棒阵列上面形成异质结,构成完整的器件。本发明在蓝宝石上直接生长ZnO纳米棒阵列,提高ZnO结晶度,提高电学性能,有效消除晶体质量差的问题;引入AlN隔离层,有效较少了结区的剩余电子,增加ZnO区载流子复合效率,实现纯ZnO紫外发光;n?ZnO纳米棒阵列/AlN/p?GaN异质结发光二极管,发光位置在385nm左右,半峰宽为14.5nm。
东南大学 2021-04-11
一种操控低折射率介质纳米粒子的装置和方法
本发明公开了一种操控低折射率介质纳米粒子的装置和方法,属于光学捕获和光学微操控技术领域。该装置由激光器、扩束镜组、偏振转换器、反射镜、分束器、空间光调制器、光阑、油浸物镜和位移台组成。该方法通过偏振转换器和空间光调制器生成空间位相复杂分布的径向偏振涡旋光场,在油浸透镜的聚焦下利用两列相向传输的光场干涉生成中空的球形焦斑,能够将处于焦场范围内的低折射率介质粒子稳定地三维捕获在焦场的中心。通过改变聚焦条件和空间光调制器的加载位相,能够实现多粒子操控和粒子运动轨迹的灵活调控。该方法克服了传统光镊技术中无法三维捕获低折射率介质粒子的难题,在一系列涉及光学操控的领域都有着重大的应用前景。
东南大学 2021-04-11
纳米钛酸钡基电子陶瓷粉体的溶胶-凝胶自燃合成产业化
铁电陶瓷粉体及其集成器件的研究与开发是目前最为活跃的领域。大部分铁电陶瓷是钙钛矿型复氧化物,其中最为重要的是BaTiO3基氧化物陶瓷。BaTiO3是在第二次世界大战的1942年到1945年间,由美国、苏联、日本各自发现的高介电常数、强介电体的材料。由于其具有优越的介电、压电、铁电性能,被广泛应用于制备各种陶瓷电容器、微波器件、铁电存储器、温度传感器、非线性变阻器、热敏电阻、超声波振子、蜂窝状发热体等电子器件。随着现代科学技术的飞速发展和电子元件的小型化、高度集成化,需要制备与合成符合发展要求的高质量的钛酸钡基陶瓷粉体。纳米BaTiO3基电子陶瓷具有独特的绝缘性、压电性、介电性、热释电性和半导体性为元器件的小型化、集成化带来可能,大大提高了产品的附加值和市场竞争力。如采用纳米BaTiO3粉末制多层电容器,可以显著减薄每层厚度增加层数,从而大大提高电容量和减小体积。因此,低成本合成钛酸钡基纳米陶瓷粉体对我国信息产业、电子工业等的发展具有重要的意义。 溶胶-凝胶自燃合成(Sol-gel Autoignition Synthesis,SAS)是九十年代伴随着高温燃烧合成的深入研究和超纯、超细氧化物陶瓷的制备而出现的一种低成本制备与合成单一氧化物和复杂氧化物的技术。它是指有机盐凝胶或有机盐与金属硝酸盐在加热过程中发生氧化还原反应,燃烧产生大量气体,可自我维持并合成所需燃烧产物的材料合成工艺。它的主要的特点有以下几点:(1):燃烧体系的点火温度低(150℃-200℃),一般为有机物的分解温度;(2):燃烧火焰温度较低(1000℃-1400℃),燃烧时产生大量气体,可获得具有高比表面积的陶瓷粉体。高温燃烧合成燃烧温度一般高于1800℃,合成的粉体粒度较粗,而SLCS则可制得纳米粉末;(3)各组分达到分子或原子水平的复合;(4):反应迅速:燃烧合成一般在几分钟内完成;(5)所合成的粉体疏松多孔,分散性良好;(6):耗能低;(7):所用设备和工艺简单、投资小;(8):自净化:由于原料中的有害杂质在燃烧合成过程中能挥发逸出,所以产品纯度易于提高。 本项目申请者采用SAS技术已经成功地合成了粒度达70nm左右的BaTiO3陶瓷粉体。 广泛应用于制备各种陶瓷电容器、微波器件、铁电存储器、温度传感器、非线性变阻器、热敏电阻、超声波振子、蜂窝状发热体等电子器件。
北京科技大学 2021-04-11
由纳米聚合物中空粒子组成的多孔防反射薄膜的制备方法
本发明公开了一种由纳米聚合物中空粒子组成的多孔防反射薄膜的制备方法。它的步骤如下:1)将纳米聚合物胶囊配制成质量百分比浓度为3~7%的水分散液,通过匀胶机在基材表面进行单面或双面旋涂,形成含纳米聚合物胶囊的薄膜;2)将上述含纳米聚合物胶囊的薄膜经真空高温干燥,待薄膜中纳米聚合物胶囊的核心材料完全挥发后,纳米聚合物胶囊变成了纳米聚合物中空粒子,得到由纳米聚合物中空粒子组成的多孔防反射薄膜。本发明的制备工艺简单,通过改变纳米聚合物胶囊水分散液的浓度和纳米聚合物中空粒子的空腔体积分率可方便有效的调节多孔防反射薄膜的厚度和折光指数,且所制备的多孔防反射薄膜具有较高的机械强度和耐摩擦性能。
浙江大学 2021-04-11
多枝树形等离激元波导复合纳米结构合成及光学操控方法
本发明包括一种多枝树形等离激元波导复合纳米结构的合成及其光学操控方法,该合成方法包括多个步骤,每个步骤均可精确控制。树形纳米结构的主干和在其上生长的枝状纳米结构的粗细均可精确控制,在树形纳米结构表面叠加有壳或无壳的量子点形成量子点复合树形纳米结构,无壳量子点可用于化学催化、环境监测、生物传感等应用。光从纳米线一端入射,经纳米线及枝状结构,激励有壳量子点发光,可用于遥感拉曼、新型激光器等应用。通过光学操控可改变入射光的强度和偏振态,控制特定区域的量子点发光,可消除散射中心之间干涉衍射效应产生的串扰效应,从而可用于亚波长的高分辨率探测。
东南大学 2021-04-11
一种三氧化二铁/碳蛋黄-蛋壳纳米复合结构的制备方法
本发明公开了一种三氧化二铁/碳蛋黄-蛋壳纳米复合结构的制备方法,以三氧化二铁纳米颗粒为核心,通过控制正硅酸乙酯的量来控制包覆的二氧化硅的厚度,再通过热分解的方法在二氧化硅外面包覆一层碳,通过去除中间层的二氧化硅得到了三氧化二铁/碳蛋黄-蛋壳纳米复合结构。本发明通过简单的包覆过程合成了三氧化二铁/碳的蛋黄-蛋壳复合纳米结构,降低了成本,可大批量生产。另外,这种中空的三氧化二铁/碳蛋黄-蛋壳复合纳米结构有利于提高锂离子电池负极材料的性能。
浙江大学 2021-04-11
首页 上一页 1 2
  • ...
  • 187 188 189
  • ...
  • 305 306 下一页 尾页
    热搜推荐:
    1
    云上高博会企业会员招募
    2
    64届高博会于2026年5月在南昌举办
    3
    征集科技创新成果
    中国高等教育学会版权所有
    北京市海淀区学院路35号世宁大厦二层 京ICP备20026207号-1