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差示扫描量热仪
差示扫描量热仪是一种测量参比端与样品端的热流差与温度参数关系的热分析仪器，主要应用于测量物质加热或冷却过程中的各种特征参数：玻璃化转变温度Tg、氧化诱导期OIT、熔融温度、结晶温度、比热容及热焓等。
上海和晟仪器科技有限公司
2025-05-06
一种四氧化三钴纳米线阵列、其制备方法以及作为锂离子电池负极的用途
本发明涉及一种四氧化三钴纳米线阵列、其制备方法以及作为锂离子电池负极的用途。该四氧化三钴纳米线阵列，其形貌为菱形结构，菱形的边长为100nm~500nm，菱形内角的锐角为30°~60°，阵列长度为5μm~20μm。本发明还提供了制备该四氧化三钴纳米线阵列的方法，以一定摩尔比的钴盐、化学结合剂、碱性反应物和水在常温下进行混合搅拌，将混合均匀的溶液移入反应釜中，并将干净的衬底置于溶液中进行水热反应后取出冲洗，再在惰性气氛中热处理，得到四氧化三钴纳米线阵列。本发明的四氧化三钴纳米线阵列可直接作为锂离子电池负极，能明显提高电池的比容量和循环性能，放电容量高达1000mAh/g以上，是一种理想的锂离子电池电极材料。
浙江大学
2021-04-11
芯片热设计自动化系统
TDA（芯片热设计自动化）软件是清华航院曹炳阳教授团队全自主研发的国际首个芯片跨尺度热仿真与设计系统。TDA软件可实现芯片从纳米至宏观尺寸的热设计与仿真，支持芯片微纳结构内部热输运过程的模拟研究，直接提高芯片热仿真精度与结温预测准确度，进而提高芯片性能、寿命和可靠性。
清华大学
2025-05-16
一种组合导水暗柱
主导水暗柱之间靠两端直角 L 形搭接面紧密搭接，侧向导水暗柱、竖向导水暗柱与主导水暗柱之间靠弧形面搭接并由连接杆连接。主导水暗柱、侧向导水暗柱和竖向导水暗柱结构为碎石混凝土筒并由亲水型泡沫混凝土填充而成。
扬州大学
2021-04-14
清华大学化学系王训团队利用无机亚纳米线有机凝胶锁定易挥发有机分子
近日，清华大学化学系王训教授课题组在无机亚纳米线研究方面取得了新突破，发现碱土金属-多酸团簇亚纳米线能够有效锁定包括正辛烷、汽油等在内的易挥发有机液体，形成自支撑的弹性凝胶。
清华大学
2022-10-12
功能性米线加工及保鲜关键技术
"米线又称米粉、米面条或米粉丝，已成为全球第二大米制品消费产品。随着生活水平的提高和生活节奏的加快，人们对主食的消费需求更加趋向于追求方便、营养和健康，同时适用于糖尿病人、肾病患者以及肥胖人群食用的功能性（中低 GI、低蛋白、高纤维等）米线具有广阔的市场前景。针对传统米线行业原料标准缺乏、加工技术落后（粉碎不均一、糊化不充分、老化难控制）、产品品质低（断条率、糊汤率高，质量不稳定等）、保质期短、系列产品匮乏等突出问题，通过原料标准化、精准配米、回生调控、栅栏保鲜等关键技术突破，成功开发了品质优良、方便营养的速食米线、适用于糖尿病人、肾病患者以及肥胖人群食用的系列功能性（中低 GI、低蛋白、高纤维等）米线产品。该项目对于推进我国米线行业的转型升级具有重要意义。
技术/产品创新性：
（1） 基于米线原料指标体系的构建，通过精准配米技术，实现米线原料的标准化。
（2）革新了传统米线生产加工关键技术，开发的半干法柔性粉碎-回流增压自熟-回生精准调控技术，显著提升了米线产品的品质；
（3开发了物理-化学栅栏保鲜关键技术可有效抑制鲜湿米粉的微生物增殖、水分流失，具有良好的保鲜效果，货架期在 6 个月内以上，成本低，绿色安全。
（4） 通过植源性活性成分适度调控内源性消化酶，控制淀粉的消化速率，结合功能性多糖，调控葡萄糖释放速率，使得米线可以在肠道内缓慢消化，保证血糖平稳，避免血糖骤升，适合糖尿病及控制体重人群食用。
江南大学
2021-04-13
通过酞菁纳米线掺杂来提升P3HT 在钙钛矿太阳能电池上的表现
对于空穴传输材料而言，最常见的小分子掺杂是双三氟甲烷磺酰亚胺锂和4-叔丁基吡啶。这两种掺杂的引入虽然可以提升性能，但是双三氟甲烷磺酰亚胺锂对于水较好的亲和力会使得器件的稳定性大幅下降。Solar RRL发表的成果中，许宗祥课题组找到了一种新型p型掺杂有机小分子Zn(C6F5)2来提高P3HT的载流子提取与传输性能，并进一步提升了其器件稳定性。
南方科技大学
2021-04-14
红外热像（热波）无损检测技术
本项目研发的红外无损检测设备通过超声波、脉冲光源、连续光源等方式对被检测物体进行热激励，以红外热成像方式检测物体的内部缺陷，具有单次检测面积大、速度快、可单面检测、无需拆卸被检测部件、可在外场使用等优点，适合于多种形状固体材料结构内部裂纹、分层或脱粘缺陷检测。其主要检测对象有：材料内部微裂纹，复合材料的分层、脱粘和撞击损伤，热障涂层和陶瓷部件上的微裂纹，管道内壁的裂纹和腐蚀坑，C/C复合材料上的裂纹，固体发动机绝热层脱粘，航天胶接结构脱粘，焊缝内部裂纹等多种材料内部缺陷。
北京航空航天大学
2021-04-10
云镜博物馆 AR 导览系统
东南大学
2021-04-13
低导通电阻 VDMOS 器件及制备方法
本发明公开了一种低导通电阻 VDMOS 器件及制备方法，在传统的 VDMOS 器件结构中引入一块与 源区掺杂杂质相同的掺杂区。该掺杂区位于栅氧层正下方且与基区和栅氧层紧密接触。相应地，新掺杂 区上方的栅极采用中空结构。本发明 VDMOS 器件可有效降低沟道导通电阻和颈区电阻，从而降低 VDMOS 器件的导通电阻；同时，采用中空结构的栅极既可避免新掺杂区对击穿电压的影响，也可降低 栅极与漏极间结电容，提高 VDMOS 的开关速度。本发明方法工艺简
武汉大学
2021-04-14