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关于组织申报国家重点研发计划“重大自然灾害防控与公共安全”重点专项2023年度定向项目的通知
近日，科技部印发了《关于发布国家重点研发计划“数学和应用研究”等重点专项2023年度定向项目申报指南的通知》（国科发资〔2023〕112号）（请至“国家科技管理信息系统公共服务平台”网站https://service.most.gov.cn/下载）。根据通知要求，现将我省组织申报与推荐“重大自然灾害防控与公共安全”重点专项“环鄱阳湖区域尾矿库溃坝风险精准防控关键技术研究与应用示范”部省联动项目有关事项通知如下
江西省科技厅
2023-07-11
清华大学等40所高校联合组织互联网创新 国家未来互联网试验设施FITI项目推进工作会举行
5月12日，未来网络试验设施国家重大科技基础设施：未来互联网试验设施FITI项目推进工作会议在清华大学举行。清华大学等40所项目承建高校负责人员100多人参会。
中国教育和科研计算机网
2023-05-16
组织高水平高校培养高素质中小学教师人才——教育部印发《关于实施国家优秀中小学教师培养计划的意见》
首批试点支持30所“双一流”建设高校承担培养任务，每年每校通过推免遴选不少于30名优秀理工科应届本科毕业生攻读理学、工学门类研究生或教育硕士，同时面向在读理学、工学门类的研究生进行二次遴选，重点为中小学培养一批研究生层次高素质科学类课程教师。
教育部
2023-07-27
m6A修饰通过调控信使核糖核酸（mRNA）在神经元轴突中的局部翻译进而影响轴突生长的新机制
发现在轴突中特异性抑制FTO或敲低FTO均显著地降低了GAP-43 mRNA 的局部翻译。进一步的抗m 6 A免疫沉淀实验证实FTO通过调节GAP-43 mRNA的m 6 A水平从而影响GAP-43的局部翻译。在过表达野生型GAP-43的神经元中，抑制FTO可以显著地降低GAP-43的局部翻译水平，同时显著地抑制了轴突的生长。而在过表达m 6 A 位点突变的GAP-43的神经元中，抑制FTO对GAP-43的蛋白水平及轴突的生长均没有影响。因此，该研究证实FTO可以通过调控轴突中GAP-43 mRNA的m 6 A水平从而影响其局部翻译，进而调节轴突的生长。
南方科技大学
2021-04-13
硅烷偶联剂修饰二氧化钛纳米管阵列材料及其制备方法和应用
本发明公开了一种硅烷偶联剂修饰二氧化钛纳米管阵列材料及其制备方法和应用。该硅烷偶联剂修饰二氧化钛纳米管阵列材料主要由二氧化钛纳米管阵列、硅烷偶联剂、有机溶剂和冰醋酸混合后反应得到，可应用于处理含有机污染物和/或重金属污染物的废水中。本发明的硅烷偶联剂修饰二氧化钛纳米管阵列材料氧化还原能力强，可同时去除有机污染物和重金属污染物，且去除效果好，可反复使用。
湖南大学
2021-04-10
一种负载型Ag-Pd/C3N4纳米催化剂催化甲酸脱氢的方法
（专利号：ZL 201510680510.2） 简介：本发明公开了一种负载型Ag‑Pd/C3N4纳米催化剂催化甲酸脱氢的方法，属于化学化工技术领域。本发明将制备好的负载型Ag‑Pd/C3N4纳米催化剂置于反应器中，将反应器置于油浴中升至一定温度，接着将甲酸和甲酸钠混合液加入反应器中进行反应，生成的氢气采用排水法收集。所述负载型Ag‑Pd/C3N4纳米催化剂采用Ag、Pd按照一定摩尔比配成溶液，将载体C3N4加入上述溶液中，向混合液中添加还原剂，经过滤、干燥后制得。与传统的负载型催化剂不同的是：根据本发明，调节催化剂中金属银、钯的含量及C3N4含量就可以制得用于甲酸脱氢制氢气的高活性、高选择性负载型Ag‑Pd/C3N4纳米催化剂。
安徽工业大学
2021-04-11
一种四氧化三钴纳米线阵列、其制备方法以及作为锂离子电池负极的用途
本发明涉及一种四氧化三钴纳米线阵列、其制备方法以及作为锂离子电池负极的用途。该四氧化三钴纳米线阵列，其形貌为菱形结构，菱形的边长为100nm~500nm，菱形内角的锐角为30°~60°，阵列长度为5μm~20μm。本发明还提供了制备该四氧化三钴纳米线阵列的方法，以一定摩尔比的钴盐、化学结合剂、碱性反应物和水在常温下进行混合搅拌，将混合均匀的溶液移入反应釜中，并将干净的衬底置于溶液中进行水热反应后取出冲洗，再在惰性气氛中热处理，得到四氧化三钴纳米线阵列。本发明的四氧化三钴纳米线阵列可直接作为锂离子电池负极，能明显提高电池的比容量和循环性能，放电容量高达1000mAh/g以上，是一种理想的锂离子电池电极材料。
浙江大学
2021-04-11
一种高灵敏的ZnO/AlN核鞘纳米棒阵列紫外光探测器的制备方法
本发明公开了一种高灵敏的ZnO/AlN核鞘纳米棒阵列紫外光探测器的制备方法，包括如下步骤：在蓝宝石衬底上生长ZnO纳米棒阵列；采用磁控溅射法在ZnO纳米棒上溅射不同厚度的AlN鞘层薄膜；采用溅射法或者电子束蒸镀分别在ZnO/AlN核鞘纳米棒阵列两端制备具有欧姆接触的金属电极，构成完整的器件。本发明通过简单的磁控溅射方法，控制溅射时间，在ZnO纳米棒上生长不同厚度、表面光滑均一的AlN鞘层薄膜，制备的ZnO/AlN核鞘光探测器件不仅具有更好的紫外光响应，在360nm紫外光照射下，电压为5V时，明暗电流比为5.5×103，提高了一个数量级，同时具有更快速的响应和恢复时间，分别是0.883和0.956s。
东南大学
2021-04-11
硅烷偶联剂修饰二氧化钛纳米管阵列材料及其制备方法和应用
本发明公开了一种硅烷偶联剂修饰二氧化钛纳米管阵列材料及其制备方法和应用。该硅烷偶联剂修饰二氧化钛纳米管阵列材料主要由二氧化钛纳米管阵列、硅烷偶联剂、有机溶剂和冰醋酸混合后反应得到，可应用于处理含有机污染物和/或重金属污染物的废水中。本发明的硅烷偶联剂修饰二氧化钛纳米管阵列材料氧化还原能力强，可同时去除有机污染物和重金属污染物，且去除效果好，可反复使用。
湖南大学
2021-02-01
一种厚度可控的纳米二氧化硅修饰毛细管柱的制备方法
本发明公开一种用于毛细管色谱内壁修饰固定相及其制备方法，其采用纳米SiO2颗粒作为修饰试剂，采用多层组装法在毛细管内壁修饰纳米SiO2修饰层，修饰好的纳米SiO2修饰层的厚度可控、修饰层厚度可在160～600nm间调节，有效地解决了毛细管电色谱的固定相柱容过低的问题。本方法一次修饰可获得6～7层纳米颗粒修饰层，三次修饰即可达到22～23层，修饰效率高，修饰时间短，毛细管内径选择范围广，是一种制备毛细管开柱的理想方法。
安徽建筑大学
2021-01-12