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不锈钢外壳开启式管式电炉
产品详细介绍开启式管式电阻炉以新型铁-铬-铝高温电阻丝或硅碳棒为发热元件，炉温有1000℃、1200℃、1400℃多种，测温元件采用K、S分度热电偶，控温方式有自动恒温型和程序控温型两种。采用新型隔热保温材料，具有测温精度高、控温准确、热导率低、高效节能、美观大方等特点，供实验室、工矿企业、科研院所等单位用于金属、非金属、合金、陶瓷等材料的高温烧结、热处理及熔融、分解等。主要技术参数1、最高温度：1200℃；2、电源及功率：AC220V/2KW； 3、炉膛尺寸：∮40×600mm；4、测温：K分度号热电偶+精密数显程序控温仪；5、控温：可控硅移相调压+智能PID调节+程序升降温；6、控温精度：±1℃；
湘潭市三星仪器有限公司
2021-08-23
五脚升降凳（中管50带托盘）
※凳面（蓝色或白色）采用高密度ABS材质，直径不小于300mm,底部为1.2mm铁板托盘。凳脚（三足）采用1.2mm半圆形冷轧钢管，脚垫采用外包注塑成型，能做到防滑、减震、防静电。质量稳定，坚固耐用，美观大方。制作工艺：1. 采用二氧化碳保护焊2. 涂层:环氧树脂粉末喷塑,高温凝固,表面磷化处理。
备注：以上是五脚升降凳（中管50带托盘）的详细信息，如果您对五脚升降凳（中管50带托盘）的价格、型号、图片有什么疑问，请联系我们获取五脚升降凳（中管50带托盘）的最新信息。
咨询电话：0577-67473999
温州市育人教仪制造有限公司
2021-08-23
国产精品玻璃管激光切割机
产品详细介绍深圳成驰机电设备有限公司 常规规格(工作台面)产品型号:CC6040/9060/1260/1380/1290/1390/1490/1590/1610/1800(其它规格可定做！)雕刻面积400x600/600x900/600*1000/600x1200/900x1200/900x1300/900x1400/900x1500/1000×1600mm/1000*1800。深圳成驰机电设备公司是一家专业开发、生产、销售激光切割雕打标设备的高新技术企业, 公司广聚光、机、电、等领域的高素质人才，禀承“以质量求生存，以创新求进步，以服务求市场，以科技求发展”的经营理念，以严格规范生产的流程和售后技术服务体系，致力于让国人都用好，用得起高科技激光加工设备。
深圳市成驰激光设备有限公司
2021-08-23
PFA管型瓶、样品瓶、试剂瓶
产品详细介绍 PFA管型瓶、样品瓶、试剂瓶 可熔性聚四氟乙烯（PFA）管形瓶、样品瓶：有非凡的化学耐受性，几乎可耐受所有的化学溶剂。可用来长期存放试剂和标准品而并不用担心有其他杂质析出。从离地1.2米高处落下，瓶体不破裂，瓶盖不脱落，不泄漏，敞口可高压灭菌，外底平面设计可用电热板加热、蒸压。
南京瑞尼克科技开发有限公司
2021-08-23
直径3640mm复合地质顶管机
产品型号：直径3640mm产品应用：非开挖施工所属分类：顶管机
山东瑞钻工程装备有限公司
2021-08-27
电沉积低温烧结制备氧化物薄膜和微叠层技术
本技术可以获取各种单一氧化物和多元氧化物纳米薄膜，以及叠层氧化物纳米薄膜。可用于提高金属的抗腐蚀性能以及获得多种特殊功能，如铁电性能、磁性能、电致变色、化学催化、超导、光电转换等。 本技术可以获得Mg、Ca、Sr、Ba、Y、La、Ce、Yb、Ti、Zr、Hf、Ta、Cr、W、Mo、Mn、Fe、Co、Ni、Ir、Pd、Cu、Zn、Cd、Al、In、Si、Sn、Pb等元素的单一氧化物或它们的多元氧化物纳米薄膜，厚度<0.2um。氧化物薄膜质量优于溶胶凝胶法，厚度均匀，根据需要可以控制厚度膜。先后沉积不同的氧化物薄膜可以获得叠层氧化物纳米薄膜。制备过程简单，重现性好是本技术的优势。
北京科技大学
2021-04-11
低成本制备高效硅薄膜太阳电池关键技术研发
南开大学 1978 年在国内率先开展非晶硅材料及其电池的研究，该技术获得天津市技术发明二等奖。自“六五”至“九五”期间，连续 4个五年国家科技攻关计划，获科技部重点攻关和天津市科委的支持，经过 20 余年潜心研发，硅基薄膜太阳电池性能跻身世界先进行列。于 2003 实现非晶硅电池产业化。 2000 年始，在国内率先开展新一代硅薄膜电池的研究。2007 年，该成果实现技术转移生产。 2009 年，研制成功我国首套基于自主专利技术的、衬底面积0.79m2、线列式 5 室连续 VHF-PECVD 系统及相应中试生产线及其组件制造技术。成为国际上为数不多可开展大面积新一代硅基薄膜太阳 电池研究的单位。 2011 年，开发出年产能 2 兆瓦、具有自主知识产权的、我国首条年产能 2 兆瓦的非晶硅/非晶硅锗/微晶硅叠层电池生产线及其组件生产技术。生产出的太阳电池组件效率达 9.59%，将新一代硅薄膜电池技术推向产业化。
南开大学
2021-02-01
低成本制备高效硅薄膜太阳电池关键技术研发
南开大学 1978 年在国内率先开展非晶硅材料及其电池的研究，该技术获得天津市技术发明二等奖。自“六五”至“九五”期间，连续 4 个五年国家科技攻关计划，获科技部重点攻关和天津市科委的支持， 经过 20 余年潜心研发，硅基薄膜太阳电池性能跻身世界先进行列。 于 2003 实现非晶硅电池产业化。 2000 年始，在国内率先开展新一代硅薄膜电池的研究。2007 年， 该成果实现技术转移生产。 2009 年，研制成功我国首套基于自主专利技术的、衬底面积 0.79m2、线列式 5 室连续 VHF-PECVD 系统及相应中试生产线及其 组件制造技术。成为国际上为数不多可开展大面积新一代硅基薄膜太 阳电池研究的单位。 2011 年，开发出年产能 2 兆瓦、具有自主知识产权的、我国首条 年产能 2 兆瓦的非晶硅/非晶硅锗/微晶硅叠层电池生产线及其组件生 产技术。生产出的太阳电池组件效率达 9.59%，将新一代硅薄膜电池 技术推向产业化。
南开大学
2021-04-11
一种激光溅射法制备CsPbBr3薄膜的方法
本发明阐述了一种激光溅射法制备CsPbBr3薄膜的方法。具体步骤为：先通过DMF、DMSO、环己醇、PbBr2、CsBr材料以溶液加热方法制备出足量的CsPbBr3单晶并压成靶材，再采用脉冲激光沉积薄膜制备技术：调整激光能量和基底温度，通过激光脉冲数控制薄膜厚度，真空沉积制备CsPbBr3薄膜。本发明利用脉冲激光沉积技术制备CsPbBr3薄膜，可实现均匀大面积薄膜的便捷制备，易于有效控制薄膜厚度并且节约材料，有利于该材料在太阳能电池的工业化生产与应用。
东南大学
2021-04-11
碲化镉薄膜太阳电池的产业化制造技术
本成果包含如下内容：高转换效率的小面积碲化镉太阳电池制造技术，面积为1200mm×600mm 的碲化镉太阳电池组件规模化生产技术，年产30-50MW碲化镉太阳电池生产线及关键设备的设计。 主要技术指标： 组件效率超过12%。 应用范围： 用于太阳能直接发电，建立大规模光伏电站或小型户用光伏发电系统。国家扶持光伏发电系统的建设，每年新建在10GW以上。由于是薄膜太阳电池，出口不会受到限制。 项目目前已进入产业化阶段，成果权属为我校独自拥有。
四川大学
2021-04-11