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过度氧化诱发的非晶合金
纳米
管
超弹性研究获进展
为剖析非晶合金纳米管超弹性的结构起源,该团队综合利用三维原子探针技术(3D-APT)、电子能量损失谱(EELS)、X射线光电子能谱(XPS)、导电原子力显微分析技术,解析了Zr基非晶合金纳米管及纳米片中氧的形态和分布。
中国科学院物理研究所
2024-01-08
一种阈值电压可调的
薄膜
晶体
管
作为非易失性存储器的用途
本发明公开了一种阈值电压可调的薄膜晶体管作为非易失性存储器的用途,薄膜晶体管的顶栅、阻挡层、存储层、隧穿层及沟道层构成了顶栅型存储器;薄膜晶体管的沟道层、底栅氧化层及底栅构成了底栅型TFT。通过对顶栅型存储器进行操作实现非易失性存储器的“编程/擦除”操作,通过对底栅型TFT进行操作实现非易失性存储器的“读”操作。“编程/擦除(Program/Erase,P/E)”和“读”操作的分离,提升了存储器的存储窗口、可靠性以及工作速度等的性能。
东南大学
2021-04-11
薄膜
材料生长系统
集成电路产业需要大量高端薄膜生长设备,上个世纪80年代,MBE作为一种尖端技术,国外就对中国进行了技术封锁,禁运中国。甚至在今天,MBE仍然属于美国对中国出口的管制类产品,每一台都要经过复杂的审批过程。
南京大学
2021-04-10
柔性透明导电
薄膜
中试阶段/n透明导电薄膜是平台式材料,是光电产业上游重要产品。柔性透明导电薄膜可以用于大尺寸柔性触控,柔性显示与照明、薄膜太阳能电池,可穿戴设备等战略性新兴柔性光电子产业,解决陶瓷基透明电极面临主要成分的资源短缺和固有的脆性等不利因素,在相关领域取代ITO薄膜及金属网格。本项目开发从材料到薄膜加工工艺的全链条技术,开发一系列面向不同光电器件需求的产品。目前,团队通过第三方机构认证的样品透过率导电性耐弯折特性处于国际先进水平。目前,正在进行小试阶段的研发工作,高纯原料和部分装备可国产化。
华中科技大学
2021-01-12
薄膜
加工技术
研究团队在薄膜研究方面,前期工作主要集中在:1)高性能透明导电薄膜 研发。所制备的液晶光学窗口元件实现可见区平均透过率大于 90%,明视觉反射 率分别为:8 度 0.24%,15 度 0.21%,30 度 0.27%;方块电阻低于 13 欧姆,理论 电磁屏蔽能力优于 24dB,经用户确认,性能指标处于国内领先,达到国际先进 水平。填补了高性能透明导电薄膜研发的空白,打破了西方国家在该领域的技术 垄断。该研究工作为透明导电薄膜关键元件在国防军工产品的装备应用提供理论 依据和技术支撑。2)1064 带通
上海理工大学
2021-01-12
聚合物-钾盐-碳
纳米
管
复合膜材料及其制备方法
本发明涉及一种具有高介电常数的聚合物-钾盐-碳纳米管复合膜材料及其制备方法。该方法是将聚合物聚偏氟乙烯、钾盐和碳纳米管原料按设计质量比称量混合;在混合料中加入有机溶剂得混合液,将所得混合液均匀地倾倒在干净的平整玻璃片上,置于恒温箱中蒸发其中有机溶剂而成厚度为50~150μm的聚合物-钾盐-碳纳米管复合膜材料;该复合膜材料其相对介电常数在1kHz下高达103~106。本发明所制备的聚合物-钾盐-碳纳米管复合膜材料具有广泛的应用前景,可应用于聚合物电解质膜等。
四川大学
2021-04-11
季铵化碳
纳米
管
附聚阴离子色谱填料的制备方法
本发明涉及一种阴离子色谱柱及其制备方法,特别是涉及季铵化碳纳米管附聚阴离子色谱填料的制备方法。本发明提供季铵化碳纳米管附聚阴离子色谱填料制备的方法,包括聚苯乙烯-二乙烯基苯微球的制备、季铵化碳纳米管的修饰及季铵化碳纳米管附聚阴离子色谱填料的制备,本发明成本低,工艺简单,制备的填料使用寿命长,粒度均匀无需筛分,粒径分布窄,化学稳定性更好,能够耐受较宽的pH值范围;由于碳纳米管在耐压、耐高温、及导电性等方面具有独特的性质,本发明提供的季铵化碳纳米管附聚阴离子色谱填料,其硬度较传统的聚合物色谱填料有了较大增强,能够承受更大压力,且具有较快的色谱平衡速度,较高的色谱柱效。
浙江大学
2021-04-11
一种六方亚稳相MoO3
纳米
管
槽及其制备方法
本发明公开了一种六方亚稳相MoO3纳米管槽及其制备方法。称取1mmoL钼酸胺(NH4)6Mo7O24·4H2O和1mmoL柠檬酸C6H8O7·H2O到50毫升的烧杯中;加入适量碳酸钠Na2CO3和10毫升蒸馏水,磁力搅拌5-10分钟;再加入20毫升浓度5%的稀盐酸,继续搅拌40-60分钟;将反应混合液转移至40毫升带有聚四氟乙烯内衬的不锈钢反应釜中,设置一定的温度,反应14-20小时;自然冷却至室温,即得本发明的六方亚稳相MoO3纳米管槽。六方亚稳相MoO3纳米管槽产量高,管径为20~50nm,长度
安徽建筑大学
2021-01-12
一种超高纯度碳
纳米
管
导电浆料及其制备方法
本发明属于纳米材料的制备与改性领域,具体公开了一种超高 纯度碳纳米管导电浆料,其制备方法包括以下步骤,首先在硅片表面 沉积一层氧化铝薄膜,接着在氧化铝薄膜上溅射铁薄膜,然后将附有 铁薄膜的硅片退火,使用水辅助超级生长法获得阵列碳纳米管,最后 将碳纳米管剥离,使用超声与球磨混合分散法分散于溶剂 N-甲基吡咯 烷酮中,即获得所述超高纯度碳纳米管导电浆料。本发明还公开了该超 高纯度碳纳米管导电浆料在锂电池中的应用。本发明优
华中科技大学
2021-04-14
一种简便的制备碳
纳米
管
化学修饰电极的方法
一种简便的制备碳纳米管化学修饰电极的方法,其步骤是:A、先用电化学沉积法在电极面上沉积用于生长碳纳米管的催化剂颗粒;再将电极面放入到燃烧火焰的内焰中,在火焰的内焰中生长;然后将电极从火焰中拿出;最后封装即得。该方法操作简单、方便、成本低廉,且制得的修饰电极性能好,用作电化学检测电极,其检测灵敏度高。
西南交通大学
2016-07-05
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