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负载ZIF-8颗粒的碳纳米管及其制备方法
本发明公开了一种负载ZIF-8颗粒的碳纳米管及其制备方法。管中负载有ZIF-8颗粒的碳纳米管的比表面积≥209m2/g，其中，碳纳米管长1～25μm、管内直径2～25nm，ZIF-8颗粒径2～25nm；方法先将碳纳米管加入硝酸溶液中超声后回流，再对回流液进行固液分离和洗涤，干燥后得到端面开口、附有功能基团的碳纳米管，接着，先将其加入锌盐溶液中超声得混合液，再对混合液进行固液分离、洗涤和干燥处理，得到端面开口、固定有锌源的碳纳米管，之后，先将其加入2-甲基咪唑溶液中超声后静置得反应液，再对反应液进行固
安徽建筑大学
2021-01-12
一种聚吡咯/海泡石水性纳米复合防腐材料的制备方法
（专利号：ZL 201410577144.3） 简介：本发明公开了一种聚吡咯/海泡石水性纳米复合防腐材料的制备方法，属于金属防腐技术领域。该方法具体步骤如下：(1)将磷酸、吡咯加入到海泡石水分散液中搅拌，将溶有氧化剂的磷酸水溶液逐滴加入，滴加完毕后搅拌，获得纤维状聚吡咯/海泡石分散液；(2)将丙烯酸乳液加入到上述聚吡咯/海泡石分散液中，再加入硅烷水解液，搅拌，获得聚吡咯/海泡石水性纳米复合防腐材料。本发明采用原位化学氧化聚合方法将聚吡咯与
安徽工业大学
2021-01-12
采用改进三级同轴电纺工艺制备药物的纳米储库。
上海理工大学
2021-01-12
一种混合相分离制备聚合物多孔纳米纤维的方法
本发明公开了一种通过混合相分离制备聚合物多孔纳米纤维的方法，得到的聚合物多孔纳米纤维直径在300～900nm之间，孔径为1～120nm，其制备方法为：将聚合物、添加剂和溶剂按一定比例混合，加热搅拌至完全溶解形成透明溶液，将溶液进行静电纺丝，初生纤维沉积于冰水浴或温度为0～20℃的水浴中，发生热致相分离和非溶剂致相分离，经过后处理萃取剩余的溶剂和添加剂，得到聚合物多孔纳米纤维。本发明制备方法简单、方便、高效，可通过调节静电纺丝条件制备直径不同、孔隙率不同的聚合物多孔纳米纤维。本发明在高技术复合材料、水处理、催化剂载体和电极材料等方面存在巨大的应用前景。
浙江大学
2021-04-13
一种磁纺制备导电聚合物微纳米纤维的方法
本发明公开了一种磁纺制备导电聚合物微纳米纤维的方法，包括以下步骤：(1)搭建磁纺装置：所述磁纺装置包括带有永磁铁的旋转收集圆盘；(2)配制纺丝前躯体溶液：磁性纳米颗粒、高分子聚合物和导电聚合物混合溶于有机溶剂配溶液；(3)利用磁纺装置制备导电聚合物微纳米复合纤维：将纺丝前躯体溶液注入给料装置中，开启给料装置，纺丝喷头喷射口处的液滴在磁场力的作用下形成射流与永磁铁搭连成桥，打开直流无刷电机带动收集圆盘旋转，在磁场力作用下铁磁流体射流不断被拉出，在收集圆盘的竖直支柱间缠绕形成合导电聚合物微纳米纤维。该方法无需高压电作用，降低了生产成本和安全隐患，纤维排布有序，适合大规模生产，具有很好的应用前景。
青岛大学
2021-04-13
一种利用锡须生长制备一维纳米线的方法
本发明公开了一种利用锡须生长制备一维纳米线的方法，在基片上沉积金属层，利用光刻工艺形成条纹状的纳米级金属细线；将金属细线的两端接电极，通电，促使金属层加速生长晶须得到一维纳米线。本发明能够有效控制纳米级细线的直径大小和长度，生长出来的一维纳米线直径均匀，并直接在基底上生成，有利于三维封装的连接。
华中科技大学
2021-04-11
纳米碳酸钙、硫酸钙及其原位改性产品生产及应用推广
本项目以电石渣、石灰、烟道气、芒硝、氯化钙、废硫酸等“三废”资源作为原料,通过独创的工艺及高效节能新装备开发了系列可大规模、低成本生产的粒径均匀,平均粒径达到50纳米(nm)以下系列超微细钙类新产品。特别值一提的是在烟道气净化和超低排放的的同时,可充分利用其中的二氧化硫和二氧化碳和电石渣,实现＂以废治废＂,低成本、高品质生产纳米碳酸钙和硫酸钙。系列新产品具有很好的熔融加工和显著的增强及增韧性能，在塑料、橡胶、沥青、涂料、粘结剂等产品中大比例添加性价比优势突出,开发潜力巨大。
厦门大学
2021-01-12
一种金纳米颗粒聚合物薄膜的制备方法及其应用
本发明提供了一种新方法，通过超分子交联聚合物网络在油‑水界面上促进金纳米颗粒（Au NPs）的自组装。这种技术有效地生产出大面积的金纳米颗粒聚合物膜，适用于表面增强拉曼散射（SERS）传感应用。与传统方法制备的金纳米颗粒膜相比，这些聚合物网络交联的金纳米颗粒膜表现出显著提高的机械强度，不易破裂，可以附着在水产品表面进行活体检测。优异的SERS性能、低成本以及高灵活性和稳定性使其成为实时检测溶液或食品中有毒残留物的有前途的候选材料。
南京工业大学
2021-01-12
大规模集成电路用引线框架Cu-Ni-Si系、Cu-Fe-P系合金
集成电路是微电子技术的核心，与国防和国民经济现代化, 乃至人们的文化生活都息息相关。集成电路由芯片和框架经封装而成, 其中框架既是骨架又是半导体芯片与外界的联接电路, 是芯片的散热通道, 又是连结电路板的桥梁, 因此框架在集成电路器件和各组装程序中占有极其重要的地位，目前，由于集成电路向高密度, 高集成化方向发展, 芯片的散热问题已成为突出矛盾。集成电路大规模和超大规模的迅速推进，对集成电路框架及材料提出了高、精、尖、短、小、轻、薄的要求，过去广泛使用的铁镍42合金已不能满足要求。而铜合金框架材料, 利用铜合金优良的传热性能, 加入少量强化元素, 通过固溶强化和弥散强化提高其强度, 同时仅稍微损失导热性能。目前，铜合金框架已成为主体，形成了中强中导、高强中导、高强高导合金系列。以前，由于在合金的熔炼工艺、轧制和热处理工艺以及板型控制等关键技术与国外先进水平有较大差距，我国所使用的大规模集成电路引线框架材料长期以来都是依靠进口。目前，本课题组通过一系列研究，开发了具有自主知识产权的Cu-Ni-Si系合金，并实现了Cu-Fe-P 系合金铜带和异型带的国产化大规模生产。 一、Cu-Ni-Si系铜合金主要性能指标 1.抗拉强度σb：650～750MPa； 2.延伸率>8%； 3.导电率：45～60%IACS。 二、Cu-Fe-P系铜合金主要性能指标 1.抗拉强度σb：450～600MPa； 2.延伸率>7%； 3.导电率：60～80%IACS。
上海理工大学
2021-04-11
用于铸件表面的优良绿色锌合金电镀的强渗透性与高分散性的电镀液
本专利公开了一种无氰离子的电镀工艺，属于材料表面处理领域。该工艺本专利是采取新的电镀液，具有渗透性强、分散性好的特性。 铸件在整个电镀过程中，可以克服现有铸钢件电镀工艺的所有缺陷，实现铸件快速高效优质电镀，该工艺具有镀层厚度均匀、镀层光泽度好、镀层与铸件结合力牢固、镀层致密、镀层抗氧化能力好的特点，镀层的中性盐雾化试验、酸雾化试验达到国家规定的标准（96小时无腐蚀点）。目前该项技术已经发展成熟，有很大的推广应用价值。通过X射线能谱仪分析镀层的成分，具体分析谱图见附件。
南京工程学院
2021-04-13