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一种溴铅铯粉体制备方法
本发明公开了一种溴铅铯粉体制备方法,具体包括如下步骤：(1) 获取反应物溴化铅的起始溶液：(2)获取反应物溴化铯的起始溶液：(3) 将溴化铅的起始溶液与溴化铯的起始溶液同时滴加到反应底液中，滴 加的同时搅拌；通过化学共沉淀反应获取溴铅铯沉淀物；(4)对溴铅铯 沉淀物进行洗涤和抽滤，以清除杂质和杂相；(5)将步骤(4)中得到的产 物烘干，获得溴铅铯粉体；该制备方法通过控制原料的浓度及反应原 料的化学计量比，有效提高主反
华中科技大学
2021-04-14
粉磨设备玛瑙磨样机干法细磨制样机
产品详细介绍品牌：久滨型号：JB-250A名称：陶瓷乳钵式微粉研磨机一、产品概述： JB-250A型陶瓷乳钵式微粉研磨机，主要用于替代国内生产中手工研磨或高等院校的物料研磨实验，可广泛用于化工、电子、制药、冶金等行业的超硬颗粒或微粉研磨，粉末细度可达纳米级，是一款高效节省人工的自动化研磨设备。二、技术参数：1、乳钵口径：250mm2、最大研磨量：300g/次3、研棒转速：120rpm4、研钵转速：10rpm5、研棒功率：60w6、研钵功率：40w7、研钵材质：高铝陶瓷8、研棒棒头材质：高铝陶瓷9、运行时间控制：自动设定10、长X宽X高：500*500*920mm11、重量：35kg12、电压：220V 50/60HZ三、适用条件：1、研磨颗粒要求：颗粒硬度没有限制，颗粒大小≤0.5mm；2、研磨方式：可干磨也可湿磨；
上海久滨仪器有限公司
2021-08-23
低成本非真空铜铟硒（CIGS）薄膜太阳电池制造技术
CIGS 薄膜太阳电池具有效率高，无衰退、抗幅射、寿命长等特点，采用非真空技术可以进一步降低这种电池的成本，预计可达到0.3$/W。 本项目产品结构为：衬底/Mo/CIGS/CdS/i-ZnO/ZnO:Al/Ni-Al；其中光吸收层 CIGS 薄膜为 p 型半导体，其表面贫 Cu 呈 n 型与缓冲层CdS 和 i-ZnO 共同成为 n 层，构成浅埋式 p-n 结。太阳光照射在电池上产生电子与空穴，被 p-n 结的自建电场分离，从而输出电能。工艺流程：普通钠钙玻璃清洗→Mo 的溅射沉积→非真空法分步电沉积Cu-In-Ga 金属预置层→快速加热硒硫化处理（RTP）→化学水浴法沉积 CdS 或 ZnS→本征 ZnO 溅射沉积→ZnO:Al 透明导电膜的溅射沉积→Ni/Al 电极沉积，等。
南开大学
2021-02-01
低温柔性大面积 CIGS（铜铟镓硒）太阳电池
以轻质高分子聚合物聚酰亚胺（简称 PI）为柔性衬底的 CIGS 电池不但保持着玻璃衬底太阳电池的一些优良性能，同时还具备不怕摔碰、可卷曲折叠、在制作中可按要求剪裁等特点，具有更广阔的应用前景。PI 薄膜不吸水、绝缘性能好、重量轻（70g/m2）、厚度薄（仅为 0.05mm）、表面光滑及可弯曲等特点，是高功率重量比太阳电池的首选衬底材料，其功率重量比可高达 2000W/Kg（未封装），并且由于 PI 衬底 CIGS 电池可实现大面积卷－卷（Roll-to-Roll）连续化生产，为进一步降低光伏电池成本开辟了有效途径。通过研究低温生长CIGS 薄膜中 Na 掺杂对材料生长及器件复合机制的影响，改善了器件光电性能。柔性聚酰亚胺（PI）CIGS 太阳电池大面积单体电池 2cm×2cm 与 4cm 4cm×4cm 柔性大面积 PI 衬底 CIGS 太阳电池效率分别达 8%与 7%（由中科院太阳光伏发电系统和风力发电系统质量检测中心鉴定）。
南开大学
2021-02-01
低成本非真空铜铟硒（CIGS）薄膜太阳电池制造技术
CIGS 薄膜太阳电池具有效率高，无衰退、抗幅射、寿命长等特 点，采用非真空技术可以进一步降低这种电池的成本，预计可达到 0.3$/W。 本项目产品结构为：衬底/Mo/CIGS/CdS/i-ZnO/ZnO:Al/Ni-Al；其 中光吸收层 CIGS 薄膜为 p 型半导体，其表面贫 Cu 呈 n 型与缓冲层 CdS 和 i-ZnO 共同成为 n 层，构成浅埋式 p-n 结。太阳光照射在电池 上产生电子与空穴，被 p-n 结的自建电场分离，从而输出电能。工艺 流程：普通钠钙玻璃清洗→Mo的溅射沉积→非真空法分步电沉积CuIn-Ga 金属预置层→快速加热硒硫化处理（RTP）→化学水浴法沉积 CdS 或 ZnS→本征 ZnO 溅射沉积→ZnO:Al 透明导电膜的溅射沉积→ Ni/Al 电极沉积，等。
南开大学
2021-04-11
基于铜耗最小的轴向磁场磁通切换容错电机容错控制方法
本发明公开了一种基于铜耗最小的轴向磁场磁通切换容错电机容错控制方法，使轴向磁场磁通切换容错电机发生单相断路故障时能够运行在容错状态，并使电机的铜耗最小化。逆变器采用三相四桥臂容错拓扑，根据相电流判断故障状态。当正常运行时，逆变器工作在三相三桥臂模式下，轴向磁场磁通切换容错电机控制系统采用ｉｄ＝０的ＳＶＰＷＭ控制策略，分配ｄ轴、ｑ轴电流；当发生单相故障时，进行容错控制，逆变器工作在两相三桥臂模式下，并通过控制容错绕组电流给电机增磁，使电机整体的铜耗最小化。本发明在单相断路情况下，以铜耗最小为优化目标，
东南大学
2021-04-14
低温柔性大面积 CIGS（铜铟镓硒）太阳电池
以轻质高分子聚合物聚酰亚胺（简称 PI）为柔性衬底的 CIGS 电 池不但保持着玻璃衬底太阳电池的一些优良性能，同时还具备不怕摔 碰、可卷曲折叠、在制作中可按要求剪裁等特点，具有更广阔的应用 前景。PI 薄膜不吸水、绝缘性能好、重量轻（70g/m2）、厚度薄（仅 为 0.05mm）、表面光滑及可弯曲等特点，是高功率重量比太阳电池的 首选衬底材料，其功率重量比可高达 2000W/Kg（未封装），并且由于 PI 衬底 CIGS 电池可实现大面积卷－卷（Roll-to-Roll）连续化生产， 为进一步降低光伏电池成本开辟了有效途径。通过研究低温生长 CIGS 薄膜中 Na 掺杂对材料生长及器件复合机制的影响，改善了器 件光电性能。柔性聚酰亚胺（PI）CIGS 太阳电池大面积单体电池 2cm ×2cm 与 4cm 4cm×4cm 柔性大面积 PI 衬底 CIGS 太阳电池效率分 别达 8%与 7%（由中科院太阳光伏发电系统和风力发电系统质量检 测中心鉴定）。
南开大学
2021-04-13
一种高强高导电铜 -稀土合金材料及其制备工艺
本发明公开了一种高强度导电铜 -稀土合金材料及其制备工艺， 合金各 成分的按质量比为：铜：铬：钕为 97.6-98.8：0.4-1.1：0.02-0.08.本发明制 备工艺包括合金的熔铸工艺、合金熔铸后的处理工艺，合金熔铸后的处理 工艺中直接对合金铸锭冷轧，再进行时效处理。本发明所述制备工艺在合 金熔铸时，直接添加纯金属 Cr 颗粒，浇铸温度为 1100℃-1250℃。 本发明合金材料具有
南昌大学
2021-04-14
低成本非真空铜铟硒（CIGS）薄膜太阳电池制造技术
CIGS薄膜太阳电池具有效率高，无衰退、抗幅射、寿命长等特点，采用非真空技术可以进一步降低这种电池的成本，预计可达到0.6$/W。 本项目产品结构为：衬底/Mo/CIGS/CdS/i-ZnO/ZnO:Al/Ni-Al；其中光吸收层CIGS薄膜为p型半导体，其表面贫Cu呈n型与缓冲层CdS和i-ZnO共同成为n层，构成浅埋式p-n结。太阳光照射在电池上产生电子与空穴，被p-n结的自建电场分离，从而输出电能。工艺流程：普通钠钙玻璃清洗→Mo的溅射沉积→非真空法沉积CIGS薄膜预置层→快速
南开大学
2021-04-14
四色磷铜低温导线Kapton绝缘层四色双绞线
北京锦正茂科技有限公司
2022-02-19