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XM-116A头颅骨模型(带数字标识)
XM-116A头颅骨模型(带数字标识)   XM-116A头颅骨模型(带数字标识)由3部件组成,颅盖可以打开,模型上颌骨和下颌用弹簧连接起来,可以自由活动,颅骨3部分灵活组合,可观察颅底内外的骨缝线和侧面的结构和形态及骨性标志,每块颅骨上均有对应的数字标明,共有55个部位数字指示标志及对应文字说明。 尺寸:自然大 材质:PVC材料
上海欣曼科教设备有限公司 2021-08-23
XM-121头颅骨带颈椎模型
XM-121头颅骨带颈椎模型   XM-121头颅骨带颈椎模型由头骨和7节颈椎组成,带颈椎动脉,颅模型可以从灵活安装的颈椎上随意拆装,同时也显示了后脑,脊髓,颈神经,椎动脉,基底动脉和后脑动脉。 尺寸:自然大 材质:PVC材料
上海欣曼科教设备有限公司 2021-08-23
XM-612A带数字标识间脑直观模型
XM-612A间脑直观模型(带数字标识)   XM-612A带数字标识间脑直观模型放大3倍,可拆分为4部件,展示了间脑和部分端脑的结构,下丘脑内突显示了核团和相对关系,并且设计了背侧丘脑可拆,多个功能用不同的颜色来标示,以便使用者更好的区分和使用,共有28个部位指示数字标识标志及对应文字说明。 尺寸:放大3倍,25×18×25cm 材质:PVC材料
上海欣曼科教设备有限公司 2021-08-23
五脚升降凳(中管50带托盘)
※凳面(蓝色或白色)采用高密度ABS材质,直径不小于300mm,底部为1.2mm铁板托盘。凳脚(三足)采用1.2mm半圆形冷轧钢管,脚垫采用外包注塑成型,能做到防滑、减震、防静电。质量稳定,坚固耐用,美观大方。制作工艺:1. 采用二氧化碳保护焊2. 涂层:环氧树脂粉末喷塑,高温凝固,表面磷化处理。 备注:以上是五脚升降凳(中管50带托盘)的详细信息,如果您对五脚升降凳(中管50带托盘)的价格、型号、图片有什么疑问,请联系我们获取五脚升降凳(中管50带托盘)的最新信息。 咨询电话:0577-67473999
温州市育人教仪制造有限公司 2021-08-23
一带一路教学系统
  “一带一路”建设合作倡议对中国及“一带一路”沿线国家影响深远。为了让学生更好地认识和了解“一带一路”这一伟大战略,中教启星研发团队联合相关专家设计制作了《“一带一路”教学系统》软件。软件梳理了从古丝绸之路到“一带一路”倡议的提出和确定的历史进程,并重点从自然、社会、经济、区位等方面逐一剖析“一带一路”倡议的深刻内涵和背景知识,并设置探索分析模块,以自主原创的独家高清矢量地图为核心呈现内容,启发用户认识“一带一路”倡议的方方面面,了解“一带一路”倡议真正在实践中的案例和成果。 课程特点 软件内容
北京中教启星科技股份有限公司 2021-08-23
GJ-DCD-Ⅲ型带传动实验台
实验台用于机械设计、机械基础教学、测定平带与V带传动效率及滑动系数、观察带传动弹性滑动现象。电动机安装在滑动机座上,通过螺旋装置调整传动带的预紧力。电动机与发电机分别由一对滚动轴承座支撑,电动机与发电机外壳上装有摆臂,工作时摆臂施压力给力传感器,从而求得传动带预紧力与转动力矩。 特点一,实验台上安装两个频闪灯,可直接观察带传动时弹性打滑现象; 特点二,为实现数据精准采集与显示,单独开发了单片机系统; 主要技术参数: ①带轮直径:D1=D2=120㎜; ②平带尺寸:长度1088㎜,宽度20㎜,厚度2㎜; ③V带型号:SPZ-1077LW; ④张紧力传感器:量程30㎏,精度0.1%; ⑤压力传感器:量程10㎏,精度0.1%; ⑥驱动电机:功率700W,调速范围0-1500rpm,电压220V; ⑦负载发电机:功率700W,负载变动范围0-600W(10级变载),电压220V; ⑧频闪灯:功率1W x 2; ⑨实验台外形尺寸:760㎜x 650㎜ x 980㎜; ⑩实验台重量:200㎏;
哈尔滨工江机电科技有限公司 2023-01-16
压接型IGBT器件封装的电热力多物理量均衡调控方法
1. 高压IGBT器件封装绝缘测试系统 针对高压IGBT器件内部承受的正极性重复方波电压以及高温工况,研制了针对高压IGBT器件、芯片及封装绝缘材料绝缘特性的测试系统(如图1所示),可实现电压波形参数、温度和气压的灵活调控,用于研究电压类型(交、直流、重复方波电压)、波形参数、气体种类、气体压力等因素对绝缘特性,具备放电脉冲电流测量、局部放电测量、放电光信号测量、漏电流测量及紫外光子测量等功能(如图2所示),平台相关参数:频率:DC~20kHz,电压:0~20kV,上升沿/下降沿:150ns可调,占空比:1%~99%,温度:25℃~150℃,气压:真空~3个大气压。  2.压接型IGBT器件并联均流实验系统 针对高压大功率压接型IGBT器件内部的芯片间电流均衡问题,研制了针对压接型IGBT器件的多芯片并联均流实验系统(如图3所示),平台具有灵活调节IGBT芯片布局,栅极布线,温度和压力分布的能力,可开展芯片参数、寄生参数以及压力和温度等多物理量对压接型IGBT器件在开通/关断过程芯片-封装支路瞬态电流分布影响规律的研究,以及瞬态电流不均衡调控方法的研究;平台相关参数:电压:0~6.5kV,电流:0~3kA,温度:25℃~150℃,压力:0~50kN。   图3 压接型IGBT多芯片并联均流实验 3.高压大功率IGBT器件可靠性实验系统 随着高压大功率 IGBT 器件容量的进一步提升,对其可靠性考核装备在测量精度、测试效率等方面提出了挑战。针对柔性直流输电用高压大功率 IGBT 器件的测试需求,自主研制了 90 kW /3 000 A 功率循环测试装备和100V/200°C高温栅偏测试装备(如图4所示)。功率循环测试装备可针对柔性直流输电中压接型和焊接式两种不同封装形式的IGBT开展功率循环测试,最多可实现12个IGBT器件的同时测试。电流等级、波形参数、压力均独立可调,功率循环周期为秒级,极限测试能力可达 300 ms,最高压力达220 kN,虚拟结温测量精度达±1°C,导通压降测量精度达±2mV。高温栅偏测试装备可实现漏电流和阈值电压的实时在线监测,最多可实现32个IGBT器件的同时测试。 4. 压接器件内部并联多芯片电流及结温测量方法及实现 高压大功率压接型IGBT器件内部芯片瞬态电流及结温测量是器件多物理量均衡调控及状态监测的基本手段,针对器件内部密闭封装以及密集分布邻近支路引起的干扰问题,提出了PCB罗氏线圈互电感的等效计算方法,实现了任意形状PCB罗氏线圈绕线结构设计,设计了针对器件电流测量的方形PCB罗氏线圈(如图5所示),实现临近芯片电流造成的测量误差小于1%;针对器件内部多芯片并联芯片结温测量,提出了压接型IGBT器件结温分布测量的时序温敏电参数法,通过各芯片栅极的时序单独控制(如图6所示),在各周期分别进行单颗IGBT芯片结温的测量,进而等效获得一个周期内各IGBT芯片的结温分布。在此基础上,完成了集成于高压大功率器件内部的多芯片并联电流测试PCB罗氏线圈以及时序温敏电参数测量驱动板的设计(如图7所示)。 5. 自主研制高压大功率电力电子器件 面向电力系统用高压大功率电力电子器件自主研制的需求,开展了芯片建模与筛选、芯片并联电流均衡调控、封装绝缘特性及电场建模以及器件多物理场调控等方面工作,相关成果支撑了国家电网公司全球能源互联网研究院有限公司3.3kV/1500A、3.3kV/3000A以及4.5kV/3000A硅基IGBT器件的自主研制,并通过柔直换流阀用器件的应用验证实验,同时也支撑了世界首个18kV 压接型SiC IGBT器件的自主研制。
华北电力大学 2021-05-10
一种基于SOI封装的六轴微惯性器件及其加工方法
本发明公开了一种基于SOI封装的六轴微惯性器件,包括单片集成的六轴微惯性器件、玻璃衬底、金属电极、金属引线、SOI盖帽和SOI密封墙;六轴微惯性器件通过阳极键合工艺键合在玻璃衬底上;金属电极为一个以上,均匀设置在玻璃衬底一侧,金属电极通过金属引线与六轴微惯性器件相接,SOI盖帽设在玻璃衬底正上方,SOI密封腔设在SOI盖帽和SOI密封墙之间,形成空腔结构;每个金属电极正上方的SOI盖帽上设有梯形电极孔,梯形电极孔正下方的SOI密封墙上设有垂直贯通;梯形电极孔、垂直贯通与金属电极一一对应。本发明具有全解耦、质量小、结构精巧、成本低和便于批量生产等优点,在单个器件内同时实现了对三轴的加速度和角速度的检测,应用范围广,有着良好的市场前景。
东南大学 2021-04-11
基于同时封装靶物质并合成具有氧化还原活性的MOFs的制法
本发明公开了基于同时封装靶物质并合成具有氧化还原活性MOFs的制法,选用亚甲基蓝作为有机靶分子,通过一锅法在合成MOFs的同时将亚甲基蓝封装在内,得到亚甲基蓝修饰的ZIF-8,克服上述MOFs材料不具有电传导能力的缺陷,本发明方法简单,快速、成本低,制备产物可对多巴胺进行准确、灵敏、简便、快捷的探测,为生物检测、化学分析等领域的研究提供了一种新的发展方向。金属有机框架材料(MOFs)是一类由金属离子(簇)与有机桥联配体连接而成的具有纳米孔穴的超分子晶体材料。有着很多优异特点:比表面积超大,孔径和拓扑结构可以调控,热稳定性、化学稳定性很好,因此,金属有机框架材料比其他材料有着广阔的发展前景。可以调控的孔径以及拓扑结构使得金属有机框架材料在生物、化学传感方面有着广阔的应用前景,此外,人们已经研究了金属有机框架材料在催化剂、气体储存、吸附与分离、药物缓释等诸多方面的应用。
青岛大学 2021-04-13
一种适用于 IC 封装设备变形物体的匹配方法
本发明属于图像处理相关技术领域,其公开了一种适用于 IC 封装设备变形物体的匹配方法,其包括以下步骤:(1)提取模板图像中物 体的轮廓及目标图像中物体的轮廓;(2)获得目标拟合多边形及模板拟 合多边形;(3)建立目标图像哈希表及模板图像哈希表;(4)对目标图像 及模板图像进行粗匹配;(5)计算目标拟合多边形及模板拟合多边形的 各边中点在对应参考质心极坐标系中的位置坐标;(6)计算模板拟合多 边形及目标拟合多边形各边的梯度方向、线性变换矩阵及相似度分数; (7)所述目标图
华中科技大学 2021-04-14
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