中试阶段/n国内市场高规格硅微粉用量约8万吨以上，其中大约1/3为晶体石英球，价格也5-30万元/吨不等。国内超纯石英粉需求约10万吨(其中光伏年用量约7万吨).本项目可在超纯石英和单分散高纯球两大技术方向生产高品质产品,适用对应的市场,也可以做最高端的单分散超纯石英球 。本项目产品粒径可控，成本视规格不同为1.5-5万每吨。由于不以天然石英为原料，不受天然原料限制，可以打破尤尼明公司超纯石英粉的垄断地位，根本扭转我们在石英粉技术落后的局面,在电子级晶型石英球(硅微粉)市场上亦是独创技术,比国内现有产品性价比优势明显。拟初建5000吨/年装置, 若产品以5.5万/吨（均价）售出, 年利润约为上亿元。。项目的关键技术体现在以下几个方面：。1、以二氧化硅溶胶为原料，原料成本低；。2、生产工艺简单，一步法合成；。3、石英球粒径从10nm可至微米大小粒径可调，高度单分散；。4.、产品纯度可达99.999%，球形，单晶，无放射性。。技术的创新点有以下几个方面：。1、 不依赖天然石英原料。无放射性，产品纯度高。。2、以二氧化硅溶胶为原料，产品性能稳定，石英球大小粒径可调，高度单分散；。3、工艺简单，对设备要求不高，生产成本低，安全性高；。项目的环保及节能特性。1、反应余热交换，节省能耗。2、反应母液（晶化催化剂）循环使用，基本没有污染排放。

可以量产/n通过对传统的喷雾热分解方法的改进，实现了喷雾热分解法在生产单分散超细纳米金属粉末上的应用。目前中试成功的超细纳米银粉生产工艺，生产出的银粉具有单分散、粒径小、熔点低等特点。。目前国内外工业化制备超细银粉的方法主要有机械研磨法与化学还原法，这两种方法存在一些固有的缺陷，比如采用研磨法生产出的银粉中容易混入铁，镍等元素，导致最终的银粉纯度不高，而化学还原法步骤繁多，控制复杂，同时会产生大量的废液与废气污染，。本项目主要有以下技术创新：。 1、采用改进喷雾热分解的方法制备纳米银粉，不用磨碎分级与化学还原的方法，制备过程中不混入任何杂质，得到的银粉纯度高，达到国际先进水平。。 2、采用特殊的处理技术，可以有效改善产品的单分散性，并控制产品粒径与形貌。。 3、产品做到单分散、稳定而且可以根据客户要求精确控制银粉粒径与形貌。。 4、做到清洁生产，零污染，零排放，没有废气、废液、粉尘等环境污染。。 5、全封闭生产过程，操作员没有粉尘暴露。整个工艺采用封闭式、自动化生产，使得整个生产过程得以连续进行，大大的提高了生产效率，降低了后续处理成本。

Ø 本技术是北京理工大学承担的国家“十五”科技攻关计划课题“农药水分散粒剂（WDG）的共性技术开发”的一部分，研究成果如下：（1）已完成丙烯酸系共聚物盐分散剂的合成及工艺条件的优化工作，并与北京广源益农化学责任有限公司合作完成了产品的中试生产，并将在国家“十一五”攻关计划的支持下进行产业化开发。其中丙烯酸共聚物盐分散剂在合成工艺上有创新，并填补了我国在相应的农药WDG专用高分子分散剂的空白，产品性能达到国外类似产品的水平。（2）采用合成的丙烯酸共聚物盐分散剂，并结合国产的其它一些助剂和填料

产品介绍：      S18 型实验室高剪切均质乳化分散机，刀头内切式设计，由高速旋转的转子与精密的定子工作腔配合，依靠高线速度，产生强劲的液力剪切，离心挤压、高速切割及碰撞，使物料充分分散、乳化、均质、粉碎、混合，得到稳定的高品质产品。 高速马达，长寿命设计,运转稳定●整机结构设计合理，选材精良，使用轻便，可手持操作，●无级调速，转速可达25000rpm，为您提供25m/s的剪切线速度●可选配10多种不同的分散头，满足您不同的工作环境（密闭、敞开、常压、真空）●可长时间连续工作运行可达2小时●过载保护、双重防护绝缘、给您安全保障●工作头采用不锈钢材质，可重复使用，符合GMP卫生标准●设备模块化设计,可灵活组合。快速拆装工作头，清洗灭菌方便，刀头可重复使用。 型号：JS18 功率：500W 电源：220V50HZ 电机：国产 转速范围：5000-25000rpm 线速度：25m/s 转速显示方式：刻度显示 调速方式：无级调速 刀头灭菌方式：任何方式 处理量：50-5000ml 标配工作刀头：18G（处理量：50-2000ml） 可选配工作刀头：6G,8G,10G,25G 适用粘度：＜7000 cp 接触物料材质：SUS316L不锈钢 浸入物料部分轴套材质：PTFE 工作架、底座：标配 工作架、底座材质：Q235封塑（可选不锈钢材质） 包装：纸箱 工具：配套拆卸工具一套 备件：备件包 整机重量：10KG

【申 请 号】CN200920043447.1 【发 明 人】郭立玮；李博；付廷明；樊文玲；曹桂萍 【摘要】 本实用新型涉及一种用于油水分离的离心膜分离耦合装置，包括离心收集室和渗漏液室，离心收集室和渗漏液室之间以膜支撑层分隔，膜支撑层为均匀分布着10至36个孔径为2至3毫米滤孔的薄板，膜支撑层上放置膜样本，可根据应用目的不同自行更换膜样本，将上述离心膜分离耦合装置放入实验室常用的离心机内使用，通过将离心和膜分离两种高效分离手段结合，利用离心力和膜分离的复合力进行油水分离，达到较好的分离效果。

项目简介 本成果属于高浓度废水处理设备,具体地说,是一种以分段进水操作为主要特征的废 水厌氧生物处理设备。由挡板将厌氧反应室分为若干厌氧反应隔室，每个隔室又分为上 下两个区，将污水分段处理，；厌氧反应室围绕在反应器主体周围,反应器主体中部设有 脱氮除磷区，底部设有污泥沉淀区，集脱氮除磷、沉淀一体的一种能耗极低、耐负荷高、 剩余污泥量少、生物固体截留能力强、水利混合条件好、设备简易的厌氧污水处理装置。 性能指标

目前半导体光刻加工用的深紫外光刻胶都采用化学增幅体系，这种体系主要由含酸敏基团的成膜材料和光产酸剂组成，这种体系最大的问题是光产酸在后烘阶段会发生酸迁移，导致光刻分辨率难以提高。能够有效改善酸迁移问题的一种方法是采用高分子光产酸剂，且其光产酸是高分子强酸。 课题组研制了一系列新颖的含多种鎓盐光产酸基团的苯乙烯衍生物及其与甲基丙烯酸酯的共聚物。它们在曝光过程中产生大分子的磺酸，因此可作为大分子光产酸剂与其它成膜材料一起组成化学增幅型光致抗蚀剂。 以之为产酸剂与其它部分保护的对羟基苯乙烯聚合物一起组成二组分的化学增幅型248-nm光刻胶， 制备了苯乙烯磺酸鎓盐和甲基丙烯酸酯、对羟基苯乙烯的三元共聚物，再用可酸分解的叔丁基碳酸酯保护部分酚羟基，由其组成了单组分的化学增幅型248-nm光刻胶，这些正型248-nm光刻胶获得了高感度（20-50mJ/cm2）、高分辨率(0.15-0.20微米)和留膜率（＞99%）及图形线条平滑陡直等的出色表现。  利用高分子产酸剂透明性好的特点，还制备了厚膜248-nm光刻胶，可获得线宽0.34微米、高-宽比可达5：1的光刻图形：  在此基础上，还制备了负型248-nm光刻胶，这些光刻胶也都获得了很好的光刻成像性能表现。这些高分子光产酸剂也可用于制备新型的高性能193-nm光刻胶。 这些248-nm光刻胶的主要组分除了溶剂外都是自行制备，原料易得，反应条件温和可控，去金属杂质的方法也是简便易行，成本相对低廉，在经过多年的深入研究之后，完全具备了产业化的条件。 半导体加工的关键设备、材料主要掌握在美、日手中，对我国电子工业的平稳发展带来困难和潜在的巨大威胁。其中光刻胶作为芯片光刻加工的关键材料，日本公司的产品占据全球市场的70%以上，而我国在中高端产品上（248-nm光刻胶、193-nm光刻胶）完全依赖进口，即便是低端的i-线光刻胶国产化率也只有20%左右。因此，我们必须尽快扭转这种不利的局面，这需要科研工作者和产业界共同努力以及政府的大力支持。     近年来光刻胶引起了社会的广泛关注，已有多家企业开始投身于248-nm光刻胶与193-nm光刻胶的研发与产业化，但绝大部分仍处于研发阶段。我们研制的光刻胶具备了产业化的技术条件并具有与国外先进光刻胶产品竞争的产品性能。    半导体加工用光刻胶种类较多，本课题组从2002年参与国家十五“863”光刻胶重大专项开始，至今近二十年来聚焦于光刻胶研究，在i-线胶、248-nm光刻胶、聚酰亚胺光刻胶、厚膜光刻胶及抗反射涂层材料等方面都取得了很好的结果，也在致力于这些光刻胶产品的产业化。 相关项目、专利及文章： 1.国家重大科技专项（02专项）子课题,课题编号:2010ZX02303（深紫外光刻胶专用光致产酸剂及新型成膜树脂的扩试技术研究） 2.国家自然科学基金应急管理项目，51641301, 含光产酸基团的苯乙烯衍生物-甲基丙烯酸酯共聚物及其组成的化学增幅光致抗蚀剂研究,2016/01-2016/12 3.One-component chemically amplified resist composed of polymeric sulfonium salt PAGs for high resolution patterning，European Polymer Journal，114（2019），11-18 4.A new type of sulfonium salt copolymers generating polymeric photoacid: Preparation, properties and application，Reactive and Functional Polymers，130（2018），118-125 5.含光产酸基团的苯乙烯衍生物-甲基丙烯酸酯共聚物、其制备及其应用，中国发明专利，专利号：9。

目前半导体光刻加工用的深紫外光刻胶都采用化学增幅体系，这种体系主要由含酸敏基团的成膜材料和光产酸剂组成，这种体系最大的问题是光产酸在后烘阶段会发生酸迁移，导致光刻分辨率难以提高。能够有效改善酸迁移问题的一种方法是采用高分子光产酸剂，且其光产酸是高分子强酸。 课题组研制了一系列新颖的含多种鎓盐光产酸基团的苯乙烯衍生物及其与甲基丙烯酸酯的共聚物。它们在曝光过程中产生大分子的磺酸，因此可作为大分子光产酸剂与其它成膜材料一起组成化学增幅型光致抗蚀剂。 以之为产酸剂与其它部分保护的对羟基苯乙烯聚合物一起组成二组分的化学增幅型248-nm光刻胶， 制备了苯乙烯磺酸鎓盐和甲基丙烯酸酯、对羟基苯乙烯的三元共聚物，再用可酸分解的叔丁基碳酸酯保护部分酚羟基，由其组成了单组分的化学增幅型248-nm光刻胶，这些正型248-nm光刻胶获得了高感度（20-50mJ/cm2）、高分辨率(0.15-0.20微米)和留膜率（＞99%）及图形线条平滑陡直等的出色表现。   利用高分子产酸剂透明性好的特点，还制备了厚膜248-nm光刻胶，可获得线宽0.34微米、高-宽比可达5：1的光刻图形：   在此基础上，还制备了负型248-nm光刻胶，这些光刻胶也都获得了很好的光刻成像性能表现。这些高分子光产酸剂也可用于制备新型的高性能193-nm光刻胶。 这些248-nm光刻胶的主要组分除了溶剂外都是自行制备，原料易得，反应条件温和可控，去金属杂质的方法也是简便易行，成本相对低廉，在经过多年的深入研究之后，完全具备了产业化的条件。 半导体加工的关键设备、材料主要掌握在美、日手中，对我国电子工业的平稳发展带来困难和潜在的巨大威胁。其中光刻胶作为芯片光刻加工的关键材料，日本公司的产品占据全球市场的70%以上，而我国在中高端产品上（248-nm光刻胶、193-nm光刻胶）完全依赖进口，即便是低端的i-线光刻胶国产化率也只有20%左右。因此，我们必须尽快扭转这种不利的局面，这需要科研工作者和产业界共同努力以及政府的大力支持。     近年来光刻胶引起了社会的广泛关注，已有多家企业开始投身于248-nm光刻胶与193-nm光刻胶的研发与产业化，但绝大部分仍处于研发阶段。我们研制的光刻胶具备了产业化的技术条件并具有与国外先进光刻胶产品竞争的产品性能。    半导体加工用光刻胶种类较多，本课题组从2002年参与国家十五“863”光刻胶重大专项开始，至今近二十年来聚焦于光刻胶研究，在i-线胶、248-nm光刻胶、聚酰亚胺光刻胶、厚膜光刻胶及抗反射涂层材料等方面都取得了很好的结果，也在致力于这些光刻胶产品的产业化。 相关项目、专利及文章： 1.国家重大科技专项（02专项）子课题,课题编号:2010ZX02303（深紫外光刻胶专用光致产酸剂及新型成膜树脂的扩试技术研究） 2.国家自然科学基金应急管理项目，51641301, 含光产酸基团的苯乙烯衍生物-甲基丙烯酸酯共聚物及其组成的化学增幅光致抗蚀剂研究,2016/01-2016/12 3.One-component chemically amplified resist composed of polymeric sulfonium salt PAGs for high resolution patterning，European Polymer Journal，114（2019），11-18 4.A new type of sulfonium salt copolymers generating polymeric photoacid: Preparation, properties and application，Reactive and Functional Polymers，130（2018），118-125 5.含光产酸基团的苯乙烯衍生物-甲基丙烯酸酯共聚物、其制备及其应用，中国发明专利，专利号：9。

（专利号：ZL 201410111072.3） 简介：本发明公开了一种银基导电胶的制备方法，属于复合材料制备技术领域。该制备方法具体步骤是：将γ-环糊精、硝酸银、聚丙烯酸钠、浓硝酸、蒸馏水混合，搅拌加热至50～80℃，缓慢滴加抗坏血酸、3,4-乙烯二氧噻吩、吡咯赖氨酸、蒸馏水的混合溶液，反应1小时，过滤，经大量蒸馏水、乙醇洗涤，干燥后得到银含量为88～96%的银基复合导电粒子；将环氧树脂、固化剂以及银基复合导电粒子充分混合,100℃下固化

已有样品/n以辐射加工技术为代表的非动力核技术应用对传统的加工方式产生了颠覆性创新，比如航天航空特种电线、污水处理、材料改性等，产生了很好的经济效益和社会效益。汽车雨刮胶条主要成分是天然橡胶或合成橡胶，实验研究表明电子束辐射能改变橡胶传统的硫化方式，有效提升交联度，通过辐射处理的胶条具有更好的耐候性、耐磨性、拔水性。比如，经过辐照处理后，胶条刮擦循环稳定性可达50 万次，抗拉强度（100%）从4.92MPa 增加到8