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环境友好的宽温高稳性薄膜储能电容器的开发与研究
我们已采用磁控溅射沉积方法成功地制备和研究了环境友好的钛酸钡和铋镁锆钛氧的复合薄膜，发现其储能密度和储能效率在-100~200 °C温度区间内都表现出了良好的热稳定性，并且其宽温储能密度明显高于铅基材料在这个温度区间报道的最大值，使其成为替代铅基储能材料的最佳选择。为了降低生产成本，目前我们正在通过研究和调控薄膜的生长工艺来实现在成本低廉的Si、Ni等衬底上制备大面积、高质量、高性能的复合储能薄膜。
西安交通大学
2021-04-11
展区重磅预告① | 数字赋能教育变革，打造未来课堂！第63届高博会数字化、实训展区揭秘
在“融合·创新·引领：服务高等教育强国建设”的主题下，数字化&实训展区将聚焦教育数字化与产教融合，集结华为、海康威视、希沃、科大讯飞、宇树科技、优必选、天煌、亚龙等行业领军企业，展示智慧教育、虚拟实训、AI课堂等前沿技术，为高校教学改革与技能型人才培养提供全场景解决方案。
高等教育博览会
2025-05-15
【国际在线】以融合创新赋能教育强国建设 第63届高等教育博览会在长春启幕
5月23日，第63届高等教育博览会（以下简称“高博会”）在中铁·长春东北亚国际博览中心开幕。
国际在线
2025-05-23
超大功率硅基射频LDMOS晶体管设计技术
大功率射频LDMOS器件以其线性度好、增益高、输出功率大、热稳定性好、效率高、宽带匹配性能好、价格低廉等方面的优势已经成为基站、广播电视发射机、航空电子、雷达等领域等应用最广泛的射频功率器件。 本团队利用优化的法拉第屏蔽罩结构和版图布局技术，基于国内8英吋工艺技术平台，研制出大功率L 和S 波段RF LDMOS 器件（图1），能够提供完整的RF LDMOS器件的设计与研制方案。目前已制作出频率0.5GHz，输出功率>500W，功率增益>18dB、漏极效率>50%的单芯片RF LDMOS 器件；频率1.2GHz，输出功率>600W，功率增益>20dB、漏极效率>40%的L波段RF LDMOS 器件；频率3.1GHz，输出功率>80W，功率增益>10dB、漏极效率>35%的单芯片S波段RF LDMOS 器件（图2）。 (a) (b) 图1 RF LDMOS器件：(a)晶圆显微照片 (b)封装器件 a b c 图2 RF LDMOS器件功率测试曲线：(a)P波段 (b) L波段 (c) S波段
电子科技大学
2021-04-10
超大功率硅基射频LDMOS晶体管设计技术
本团队利用优化的法拉第屏蔽罩结构和版图布局技术，基于国内8英吋工艺技术平台，研制出大功率L 和S 波段RF LDMOS 器件，能够提供完整的RF LDMOS器件的设计与研制方案。
电子科技大学
2021-04-10
用于高效协同组播通信中继选择和功率控制法
本发明采用的模型将协同组播通信的每个组播分为两个时隙。在第一时隙，基于在第一个时隙中是否成功接收到数据，将均匀分布的N个用户划分为两个集合S和F，其中，S代表成功用户集，F代表失败用户集。在第二时隙，成功用户将数据转发给失败用户。与传统方法相比，本发明设计的最佳中继概率Pa*和最佳中继功率值p11*，能实现协同组播通信支持任意数据传输率的能效最大化。
电子科技大学
2021-04-10
大功率半导体激光器外延与芯片制备
成果简介本项目在国家973计划、863计划等研究成果基础上，跟踪国际趋势，形成9**nm 大功率单发光条半导体激光器，输出功率大于12W，寿命1万小时。主要优势：（1 ）填补国内空白。（2 ）易于光纤耦合。（3 ）多种波长可选。应用简介所处研发阶段：中试阶段适合应用领域：直接光加工、
北京工业大学
2021-04-14
低排放高性能小功率柴油机研发项目简介
小功率柴油机受结构限制，增压、电控、 EGR 等技术在单缸、两缸柴油机上不能采用，机内净化是降低排放、提高性能的主要途径，本项目主要技术创新：柴油机缸内燃烧优化，对不同工况，首次提出油气混合从“量、时、空”三方面细化和匹配，对有效燃烧空间的油气分布提出等过量空气系数分布方案和设计计算方法。设计新的喷油系统，采用大凸轮升程提高供油速率；带起动提前的柱塞新结构。在保证合适涡流比的前提下，提高气缸内的充量系数，提出进气量与供油量在柴油机工作区域每一工况点数量匹配量化理论，完成二代单缸机油量校正器的新设计，
江苏大学
2021-04-14
高效率高功率密度交流电源
先进交流电源技术是针对航空等领域所做的技术研发成果。电源输入 端为低压直流电，输出三相及单相正弦波电压源，电源功率从200W〜50KW。 电源釆用了模拟与数字双重保护技术，具有过流、过压、短路、过热等保 护功能，电路拓扑、磁性元件设计等应用了国际前沿工程技术，具有高可 靠性与高效率，能够替代国内的同类电源。性能指标： 1. 输入
西北工业大学
2021-04-14
一种高功率大带宽锗硅光电探测器
本发明公开了一种高功率大带宽锗硅光电探测器。该探测器是 模拟光子通信系统和微波光子系统中的硅基关键集成光电子器件，其 特征在于包括多个并联锗层结构和电感。多个并联的锗层结构的多个 锗层尺寸是可以不同的，以实现对寄生电阻的调控，在提高器件饱和 功率的同时保持了寄生参数不至显著增加。同时，通过引入片上和片 外电感，实现对器件寄生电感的调控，抬升器件高频处频率响应，提 升器件工作带宽。本发明提出的光电探测器采用集总电极结构
华中科技大学
2021-04-14