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一种提高脉冲涡流检测信号信噪比的方法
本发明提出一种用于提高脉冲涡流检测信号信噪比的方法，通过首先从原始信号中截取某一时间区间段的一段波形，并且判断这段信号是否为不携带试件信息的纯噪声信号，如果是，则对该准周期信号进行周期延拓得到和原始信号长度相同的信号，并将原始信号与该周期延拓得到的信号相减，最后对相减后得到的信号进行中值滤波。通过采用该方法，可有效滤除脉冲涡流检测信号中各种空间电磁场干扰信号和白噪声，同时抑制信号漂移，提高仪器系统的抗干扰能力。
华中科技大学
2021-04-14
一种磁约束脉冲涡流传感器
本实用新型公开了一种磁约束脉冲涡流传感器，包括底座、永磁体、激励线圈、接收线圈、航空插座和端盖，其中底座呈上端开口下端封闭的筒体，且其开口端由端盖予以封闭；永磁体呈圆环状结构，其上下端面为磁极且极性相反，同轴设置在底座的底部；接收线圈同轴设置在永磁体的内部，它的内部继续同轴设置激励线圈；航空插座设置在端盖上部，并分别用于实现激励线圈和接收线圈与外部之间的电连接。通过本实用新型，能够有效克服现有技术检测灵敏度不高的缺点，同时具备结构紧凑、便于操控和发热量低等特点。
华中科技大学
2021-04-14
电磁脉冲助推式渐进拉深成形方法及装置
本发明提供了一种电磁脉冲助推式渐进拉深成形方法，包括将 待成形板料置于凹模与凸模之间；实施预成形，使位于凸模底部的待 成形板料被压入凹模内；在待成形板料位于凸模底部的部分施加电磁 力，向下推送待成形板料；同时在待成形板料的周边均施加电磁力， 向凹模的中心推送待成形板料，使待成形板料流入凹模内；在凸模上 施加下压力，使凸模下行，使待成形板料位于凸模下部的部分被向下 拉深；反复执行冲压拉深与电磁脉冲拉深，直至完成待成形板
华中科技大学
2021-04-14
纳秒脉冲电场调控干细胞和促进分化技术
随着社会老龄化以及人民生活水平的提高，以干细胞为核心的再生医学发挥着越来越重要的作用。关节软骨损伤及其退行性病变-骨关节炎给社会带来越来越大的劳动力损失以及患者生活质量的下降。本项目利用纳秒脉冲电场选择性降低DNA甲基化，提升干细胞干性，促进干细胞多向分化。应用范围 本项目可用于诱导多能干细胞（iPS）制备；干细胞分化前准备和成骨、成脂以及成软骨分化；体内骨、软骨再生；骨关节炎的早期干预和对症治疗；细胞治疗；细胞分泌因子调控等领域。 项目阶段 1.纳秒脉冲电场是新兴的、能够精确控制场强和脉宽的电场技术，可以比传统电场更加精准地控制参数，以及提升场强到KV/cm。它有效地穿透细胞膜、作用到细胞器和染色质，发挥广泛的生物学效应。 2.我们发现纳秒脉冲电场的不同参数组合（场强、脉宽、频率、刺激个数、应用时间点等）会引起不同的生物学作用。基于该理念，实验室前期工作发展了使用纳秒脉冲电场：a.选择性DNA去甲基化；b.提升干细胞干性；c.促进干细胞分化（成骨、成脂和成软骨）；d.促进处理后的干细胞体内软骨再生的能力；e.提升细胞分泌因子能力；f. 改良传统的“电击杯”(BTX electroporationcuvette #45-0125)，开发出能够连续为细胞施加刺激的导电薄膜。
北京大学
2021-04-13
纳秒脉冲电场调控干细胞和促进分化技术
随着社会老龄化以及人民生活水平的提高，以干细胞为核心的再生医学发挥着越来越重要的作用。关节软骨损伤及其退行性病变-骨关节炎给社会带来越来越大的劳动力损失以及患者生活质量的下降。本项目利用纳秒脉冲电场选择性降低DNA甲基化，提升干细胞干性，促进干细胞多向分化。
北京大学
2021-01-12
DGC-2010A多脉冲电缆故障测试仪
产品详细介绍【仪器功能与特点】 ·适用于测量各种不同截面、不同介质的各种电力电缆、高频同轴电缆，市话电缆及两根以上均匀铺设的地埋电线电缆的高低阻、短路、开路、断路以及高阻泄漏和高阻闪络性故障。 ·在低压脉冲状态下，可自动完成故障距离的计算。 ·可测35KV以下等级所有电缆的高、低阻故障，适应面很广。 ·采用了国际先进的“多脉冲法”测试技术，同时还具有传统的冲击高压闪络法和低压脉冲法。 ·多次脉冲模式时，任何高阻故障均呈现最简单的类似于低压脉冲短路故障特征的波形，极易判读。 ·具有方便的全中文菜单以及清晰屏幕触摸键操作。 ·检测故障成功率、测试精度及测试方便程度优于国内其他检测设备。 ·超大液晶屏作为显示终端，仪器具有强大的数据处理能力和友好的显示界面。 ·具有极安全的采样高压保护措施。测试仪器在冲击高压环境中不会死机和损坏。 ·具有屏幕拷贝功能，用于波形打印。 ·按键定义简单明了，操作简单，可靠性高，测量方法简单快速。 ·内置电源，可在无电源环境测试电缆的开路及低阻短路故障。 ·具有USB接口，可用移动硬盘进行数据拷贝。 ·具有通用的网络接口，可直接通过网络进行数据远程传输。 【主要性能指标】 ·测试方法：多脉冲法；冲击高压电流取样法；低压脉冲法. ·冲击高压：低于35KV ·数据采样速率: 120MHz、90MHz、60MHz、30MHz ·测试距离：＞15Km ·读数分辨率：＜0.5m ·系统测试精度小于50cm ·测试脉冲幅度：约380VP-P ·多脉冲发送及故障反射信号的自动显示，使得故障特征波形的表示极为简单。所有的高阻故障波形仅有一种，即类似低压脉冲法的短路故障波形。 ·具有测试波形储存功能：能将现场测试到的波形按规定顺序方便地储存于仪器内，供随时调用观察。可以储存大量的现场测试波形。 ·能将仪器在不同的工作状态下测得的故障电缆波形同时显示在屏幕 上进行同屏对比和叠加对比。使得故障距离的判断更加准确。 ·内置电源：充满电后可连续工作6小时，亦可外接交流电源工作。 ·工作条件: 温度-10℃～+45℃，相对湿度 90%，大气压力750±30mmHg。
西安广昕丰泽电子科技有限公司
2021-08-23
XGL-1 脉冲Nd YAG激光器实验装置
XGL-1 脉冲Nd：YAG激光器实验装置主要用于了解激光器的基本原理、基本结构、主要参数以及输出特性，掌握激光器的调整方法，并且通过观察调Q、选模、倍频等现象，了解激光的基本原理、基本结构以及输出特性等。主要用于高等院校的物理教学和科研。
天津市拓普仪器有限公司
2022-07-12
Si基GaN功率半导体及其集成技术
随着便携式电子设备的快速发展，将微型电子设备运用到可穿戴设备或者作为生物植入物的可行性越来越大。用柔性电子器件来替代传统的硬质电子器件的重要性也愈加凸显，如何解决柔性电子设备的储能问题，是实现这些可能性的重要因素之一。 本成果设计并制备了一种新型柔性微型超级电容器，其具有制备工艺简单，成本较低，适用于各种粉末状电极材料等特点。
电子科技大学
2021-04-10
Si基GaN功率半导体及其集成技术
电子科技大学功率集成技术实验室（Power Integrated Technology Lab.-PITEL）自2008年就已经开展Si基GaN(GaN-on-Si)功率器件的研究，是国内最早开展GaN-on-Si功率半导体技术研究的团队。近年来在分立功率器件如功率整流器、增强型功率晶体管及其集成技术方面取得了突出的研究成果。2008年在被誉为“器件奥林匹克”的国际顶级会议IEDM上报道了GaN-on-Si开关模式Boost转换器，国际上首次实现了GaN-on-Si单片集成增强型功率晶体管和功率整流器
电子科技大学
2021-04-10
高频高功率密度GaN栅驱动电路
作为第三代半导体代表性器件.硅基GaN开关器件由于具有更小的FOM.能够把开关频率推到MHz应用范围，突破了传统电源功率密度和效率瓶颈(功率密度提高5-10倍).且具有成本优势，满足未来通信、计算电源、汽车电子等各方面需求,开展相关领域的研究对我国在下一代电力电子器件产业的全球竞争中实现弯道超车,具有重要意义。然而,器件物理特殊性需要定制化栅驱动电路和采用先进的环路控制策略，最大程度提高GaN开关应用的可靠性,发挥其高频优势。
电子科技大学
2021-04-10