本发明公开了一种基于相位补偿的脉冲信号峰值检测装置及方 法，属于核辐射探测技术领域；现有技术中的检测装置及方法，检测 精度不高或成本很高；本发明提供的检测装置包括输入缓冲电路，输 入滤波器、移相滤波器、迟滞比较器、阈值检测电路、噪声抑制电路 和相位补偿电路，该设计具有较强的灵活性，可拓展性强，通过更改 滤波电路类型和电路参数即可实现对任意类型和频率的脉冲检测；电 路结构简单，检测精度高，工作稳定，抗干扰能力强，对 ADC 采样率 和 MCU 性能要求低，应用该设计可有效减小能谱分析仪器设计成本 和程

本发明公开了一种金属板材的电磁脉冲成形装置及方法，电磁 脉冲成形方法包括：S1 当待成形金属板件置于成形模具与成形线圈之 间时，采用压力设备通过压边圈施压以防金属板件法兰区域起皱；S2 通过第一电源模块给成形线圈提供电流，通电后的成形线圈在金属板 件区域产生脉冲磁场；通过第二电源模块给金属板件提供电流，使得 金属板件中产生脉冲电流；所述脉冲电流与脉冲磁场相互作用产生用 于驱动金属板件发生高速变形的电磁力；S3 通过电磁力使得待成形金 属板件发生形变。本发明在直接加载电流的模式下，金属板件中的电 流大

本发明公开了一种差分式脉冲磁体绝缘故障探测装置，包括第 一探测线圈、第二探测线圈、电阻分压器、高通滤波器和高采样率的 示波器；两个探测线圈均沿脉冲磁体中心轴线设置，一个设于脉冲磁 体内，靠近脉冲磁体上端口，另一个设置在脉冲磁体外；电阻分压器 的两个固定端分别与第一探测线圈的正负两端相连；第二探测线圈的 负端与第一探测线圈信号的负端相连；高通滤波器的输入正端连接电 阻分压器的可移动端，输入负端连接第二探测线圈的正端；两个探测 线圈与电阻分压器形成差分结构，对两个探测信号进行差分处理，并 对输出信号进行

一种自振高压脉冲水射流发生器，由发生器主体(1)、上喷嘴(2)、下喷嘴(3)、排水管(4)、滑块(5)和 弹簧组成;所述发生器主体(1)为中空的圆柱体，左端开口设与压缩空气管相连，右端中心设有一锥直形 出口(6);所述上喷嘴(2)、下喷嘴(3)、第二弹簧(8B)、滑块(5)和第一弹簧(8A)从左至右依次设置于发生 器主体(1)的内部;第二弹簧(8B)左端与下喷嘴(3)刚性连接，右端与滑块(5)刚性

本发明公开了一种深井脉冲电容器的恒流充电系统，包括设置 在地面上的第一装置、电缆、设置在井下的第二装置和脉冲电容器。 第一装置将工频 220V 交流电源变为中频高压交流电源，然后经电缆将 其传输到第二装置，第二装置再将此中频高压电源变成所需的高压直 流电源直接对脉冲电容器充电。脉冲电容器的电压通过电阻分压器来 实现测量，控制程序通过脉冲电容器电压的增量计算平均充电电流， 并通过调节逆变电路中开关管的驱动脉宽来改变平均充电电流，形成 闭环控制，实现平均充电电流的恒定。本发明采用闭环控制方法，实 现了深

本发明公开了一种用稀土发光材料标定磁场强度的方法，包括： 对稀土发光材料施加连续变化的已知磁场，得到其发光强度发生突变 时对应的磁场强度值；用待测磁体对稀土发光材料施加强度变化的磁 场，通过观测与待测磁体磁场强度呈线性关系的可观测量，得到其发 光强度发生突变时对应的可观测量的值，将发生突变时待测磁体的磁 场强度对应已知磁场作用下发生突变时的磁场强度；根据突变点的可 观测量大小和磁场强度值，计算得到待测磁体磁场强度与可观测量的 关系，完成对待测磁体磁场强度的标定。本方法对材料温度无特殊要 求，且稀土发

您也可以在淘宝网首页搜索“锦正茂科技”，就能看到我们的企业店铺，联系更加方便快速！ 在进行科学实验时，有时候会遇到正常类型的电磁铁无法满足使用需求，因此就需要定制各种形状的电磁铁，以满足不同的实验需求。列如：钳式电磁铁双极突出线包外侧，外形如钳， 通常用来产生面内磁场，适合显微镜下、探针台、空间受局限、磁光实验、磁矿粉筛选等特殊使用环境。我公司可根据用户要求设计制作各种异形、特殊用途的电磁铁。可根据不同的使用方式、不同的实验要求、不同的工作环境、和与不同设备的配套装配进行设计制作; 可使电磁铁在保持极高磁场的可能下，实现极大的变形。 您也可以在淘宝网首页搜索“锦正茂科技”，就能看到我们的企业店铺，联系更加方便快速！ 您也可以在淘宝网首页搜索“锦正茂科技”，就能看到我们的企业店铺，联系更加方便快速！ 锦正科技以现代高科技产业和传统产业为核心业务，对内承接科研生产任务，对外以商务平台方式实现军民两用技术成果转换，形成了科学管理的现代化经营模式，专门从事物理、化学和材料等领域的科学仪器研发、销售各类型超低温测试设备（液氮 液氦）制冷机系统集成 ，定制 ，高低温真空磁场发生系统，Helmholtz线圈（全套解决方案），电磁铁（全系列支持定制），螺线管，电子枪（高稳定性双极性磁铁恒流电源1ppm），高低温磁场真空探针台，霍尔测试系统，电输运测量解决方案，磁光克尔效应测量系统等产品种类齐全，性能可靠，至今已有近10余年的历史，是国内（较早）生产探针台，电输运，电磁铁的厂家之一。  

实验室电磁铁产生磁场磁性研究EMS系列 ​

本仪器系统由：电磁铁、电磁铁电源、高精度恒流源高精度电压表、高斯计、霍尔效应样品支架、标准样品、高低温杜瓦，控温仪，系统软件。为本仪器系统专门研制的JH10 效应仪将恒流源，六位半微伏表及霍尔测量复杂的切换继电器——开关组装成一体，大大减化了实验的连线与操作。JH10 可单独做恒流源、微伏表使用。用于测量半导体材料的载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等重要参数，而这些参数是了解半导体材料电学特性必须预先掌控的，因此霍尔效应测试系统是理解和研究半导体器件和半导体材料电学特性必*的工具。 实验结果由软件自动计算得到，可同时得到体载流子浓度(Bulk Carrier oncentration)、表面载流子浓度(Sheet Carrier Concentration)、迁移率(Mobility)、电阻率(Resistivity)、霍尔系数(Hall Coefficient)、磁致电阻(Magnetoresistance)等。 您也可以在淘宝网首页搜索“锦正茂科技”，就能看到我们的企业店铺，联系更加方便快速！  可变温霍尔效应实验仪高低温磁场型测试系统 技术指标: *  磁 场：10mm间距为2T 、 30mm间距为1T *  样品电流：0.05uA~50mA(调节 0.1nA) *  测量电压：0.1uV~30V *  提供各类测试标准材料，各级别硅与砷化镓（灵敏度与精度不同） *  分辨率极小值：0.1GS *  磁场范围：0-1T * 配合高斯计或数采板可计算机通讯 * I-V 曲线及 I-R 曲线测量等 *  霍尔系数、载流子浓度等参数随温度的变化曲线 * 电阻率范围：5*10-5～5*102Ω.cm *  电阻范围：10 m Ohms~ 6MOhms *  载流子浓度：5*1012～51*1020cm-3 * 霍尔系数：±1*10-2～±1*106cm3/C *  迁移率：0.1~108cm2/volt*sec *  温度调节 0.1K *  温区：78K-475K,室温-773K（选配） *  测试全自动化，一键处理 *  可实现相同温差间的连续测量 您也可以在淘宝网首页搜索“锦正茂科技”，就能看到我们的企业店铺，联系更加方便快速！ 可变温霍尔效应实验仪高低温磁场型测试系统 锦正科技以现代高科技产业和传统产业为核心业务，对内承接科研生产任务，对外以商务平台方式实现军民两用技术成果转换，形成了科学管理的现代化经营模式，专门从事物理、化学和材料等领域的科学仪器研发、销售各类型超低温测试设备（液氮 液氦）制冷机系统集成 ，定制 ，高低温真空磁场发生系统，Helmholtz线圈（全套解决方案），电磁铁（全系列支持定制），螺线管，电子枪（高稳定性双极性磁铁恒流电源1ppm），高低温磁场真空探针台，霍尔测试系统，电输运测量解决方案，磁光克尔效应测量系统等产品种类齐全，性能可靠，至今已有近10余年的历史，是国内（较早）生产探针台，电输运，电磁铁的厂家之一。