产品详细介绍陶瓷密度测试仪 陶瓷孔隙率生胚密度仪，精细陶瓷密度计论及精细陶瓷资料的物性时，理解相干密度是件必要的事。此因为成形后孔隙的数量、大小及粒径大小其散布情况，对资料的强度、弹性模数、抗氧化性、耐磨耗性，以及其它主要的性质均有严重的影响。针对此症结问题，本公司根据标准，将精细陶瓷一切能搜集的数据，遵循其标准测试法将其产品化并给予叙说如下：壹、精细陶瓷原料：1、QB÷T1010、ASTMC329、DIN51057陶瓷资料、颜料粉末真密度测试标准。真密度是量测物资（繁多物资或混杂物资）在不含孔隙状况下的实在密度。为肯定待测物资为不含关闭孔隙，需先将物资研磨成比200目还细的粉末，置于110℃的烘箱内烘干24小时，再以比重瓶法求其真密度。A、JF－120T粉末真密度测试仪： 可测得粉末真密度、液体之密度、浓度功用：形式1：可间接读取粉末读取真密度形式2：可间接读取媒介液体的比重（因为媒介液大局部是特别液体，为不便运用者，具有测试媒介液体的比重、浓度功用）贰、EN BS725。9 JIS－K5101、ASTM 1964精细陶瓷的粉末外观密度测试标准。A、粉末外观密度又称为粉末视密度，是将粉末填入已知体积后所得之密度。B、外观密度的测定是类似于当零件制作时，粉末填充到固定容积的模穴中之粉末分量。粉末的质量的认定水平是介于测量后果和每次一般运用变更之间。粉末外观密度测试供给粉末物理特征评定的原则。粉末外观密度高示意粉末颗粒间摩擦力小、活动性好。使得成形时粉末轻易敏捷流入模具的模穴中，而使成形之生胚密度也较高。粉末外观密度测试仪：规格： 漏斗角度40°孔径φ15mm筛网0。5 mm目吸收圆筒30 ±0。5ml外观密度：M÷V=g÷cm3　密度取到0。01g÷cm3的精度参、GB÷T21354、ISO3953精细陶瓷粉末的振实密度：振实密度测试仪是藉由法则地拍打含有粉末的测量筒来达成，当运用者抉择充填的量后，便可开端拍击的举措，当发生转变时，读数便会发生，此种拍击是藉由测量筒的高低振动，在特定的分量及指定的间隔来实现，在拍击的历程中，会优先地将任何可离开的团块物，在向下拍击的同时将之最小化，而透明的玻璃充填管则有助于视察及读出测量值。肆、成形后精细陶瓷的生胚密度、烧结后密度。GB÷T2413压电陶磁资料体密度测试标准GB÷T1966多孔陶瓷显气孔率、体积密度测试标准ASTM C373精细陶瓷孔隙度和体密度测试标准EN－725－10精细陶瓷的粉末生胚密度测试标准。针对多孔吸水性的精细陶瓷产品、不吸水的精细陶瓷产品的密度量测机型。A、PT－120C　　　 功用：A、针对吸水性的陶瓷产品，可间接读取体密度、湿密度、视密度、视孔隙率、吸水率、开孔体积、封孔体积、总孔隙率。B、封蜡法可间接读取体密度C、针对不吸水的陶瓷产品，可间接读取产品的比重和体积B、PT－300C　　　 功用：A、针对吸水性的陶瓷产品，可间接读取体比重、视密度、湿密度、视孔隙率、吸水率。B、封蜡法可间接读取体密度C、针对不吸水的陶瓷产品，可间接读取产品的视密度。采取大水槽设计，下降吊栏线的浮力所形成的误差。采取侵蚀性液体做为媒介时，可选购防侵蚀水槽。RS－232可随便的衔接PC和打印机。

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产品详细介绍KY-DRX-JH石墨导热系数测试仪 主要测试导电物体在高温时导热系数，适应于金属材料铜，不锈钢材料等金属导电材料，非金属导电材料石墨等的导热系数，传热性能的研究。仪器采用直接通电纵向热流法测定导体材料的导热系数参考标准：GB3651-83《金属高温导热系数测量方法》。GB8722-88《石墨材料中温导热系数测定方法》。 1、导热系数范围：20～500w/m·k 2、最高温度1000℃。 3、仪器实现数字化测温，精度优于0.2级。 4、测量结果，准确度 ±3% 5、计量加热功率可调节±1%。 6、试样尺寸要求： 棒状圆柱体：￠4-5*200(mm)， 丝状式样：  ￠1-3*mm 7：真空度和保护气氛按用户要求定制。 8：实现计算机全自动测试，升温速度可控调节。  

产品详细介绍KY-DRX-JH金属导热系数测试仪 主要测试导电物体在高温时导热系数，适应于金属材料铜，不锈钢材料等金属导电材料，非金属导电材料石墨等的导热系数，传热性能的研究。仪器采用直接通电纵向热流法测定导体材料的导热系数参考标准：GB3651-83《金属高温导热系数测量方法》。GB8722-88《石墨材料中温导热系数测定方法》。 1、导热系数范围：20～500w/m·k 2、最高温度1000℃。 3、仪器实现数字化测温，精度优于0.2级。 4、测量结果，准确度 ±3% 5、计量加热功率可调节±1%。 6、试样尺寸要求： 棒状圆柱体：￠4-5*200(mm)， 丝状式样：  ￠1-3*mm 7：真空度和保护气氛按用户要求定制。 8：实现计算机全自动测试，升温速度可控调节。  

数码管显示，可连续测试产品的多角度稳定性，配备多种试验物块，研究产品的支撑面形状大小、重心位置与稳定性的关系。

清华大学地球系统科学系阳坤教授课题组在《科学数据》（Scientific Data）上发表题为“The first high-resolution meteorological forcing dataset for land process studies over China”的研究成果，发布了过去十年间阳坤团队开发的一套服务于陆面、水文、生态等地表过程模型的中国高时空分辨率气象数据集。该数据采用严格的数据质量控制，统一的站点数据、卫星数据和再分析数据的融合方法，避免了不同学者对同一研究区域气象数据的重复处理。近地面气象数据是地表模型的主要驱动。自2004年美国国家航空航天局（NASA）发布全球陆面数据同化（GLDAS）气象数据以来，北美、欧洲等区域高分辨率气象驱动数据集也不断涌现。阳坤教授团队自2008年起利用中国气象局数据共享的契机，开始了中国区域高分辨率气象驱动数据集的开发，建立了气象数据的预处理系统和融合系统，完成了首套相对稳定可靠的长时间序列数据产品。该数据集覆盖了中国陆地区域，时间跨度为40年（1979-2018），空间分辨率0.1度，时间分辨率3小时，包括了近地面气温、气压、比湿、全风速、向下短波辐射通量、向下长波辐射通量、降水率等 7 个变量。基于独立站点数据的评估表明，该数据集较国际上广泛使用的 GLDAS 数据集具有更高精度。目前，该中国区域高分辨率气象驱动数据集已发布在国家青藏高原科学数据中心，可免费获取。原文链接：https://www.nature.com/articles/s41597-020-0369-y数据网址：https://doi.org/10.11888/AtmosphericPhysics.tpe.249369.file

房屋的冬暖夏凉是人类自古以来追求的梦想，本发明提供一种可以使建筑物窗户透 光率温致可逆变化的材料。该材料在低温时为无色透明液体，在高温时可转变为白色不 透明液体，且温度在转变温度上下变化时，该液体在无色透明和白色不透明状态之间可 逆变化。 本发明材料可用于建筑窗户、温室暖棚、车船飞机等方面。冬季在建筑上与选择性 吸收材料配合使用，可在不影响其冬季制热的同时，在夏季可使过热现象大大缓解，从 而使该组合材料成为寒冷地区用智能调温材料，适合创造建筑热舒适环境，具有节约矿 物能源、减少环境污染的作用，具有较大的经济和社会效益。 

随着光学器件在日常生活领域越发广泛地应用，对其新功能的需求也加大，其中高折射率材料的研究也越来越多,特别是高折射率聚合物（HRIP）。近来，由于其在高级光电制造中的潜在应用，HRIPs已经吸引了相当多的关注，例如先进显示设备的高性能基底，用于有机发光二极管显示器，光学黏合剂或密封胶材料，高级光学应用中的减反射涂层，193-nm浸润蚀刻光阻剂，和微透镜组件中的电荷耦合式装置以及互补金属氧化物半导体图像传感器。然而，一般普通聚合物的折光指数的范围在1.30～1.70之间，但是在实际应用中要求更高的折光指数（大于1.70，甚至 1.80）。由高折射率无机纳米粒子和有机高分子基体组成的纳米复合材料可以轻易地获得高的折光指数。本项目将高折射率的无机纳米粒子炭黑、二氧化硅、二氧化钛等添加到各种聚合物基体中，获得高折射率光学薄膜，且通过对无机粒子和聚合物基体间的界面设计，使得无机粒子少量填充即可获得高折射率光学薄膜。具有核心技术（自主知识产权），发明专利1项，获得上海市自然科学基金资助。

首次发现一类同时具有超高电子迁移率、合适带隙、环境稳定和可批量制备特点的全新二维半导体(硒氧化铋，Bi2O2Se)，在场效应晶体管器件和量子输运方面展现出优异性能。彭海琳课题组基于前期对拓扑绝缘体（Bi2Se3，Bi2Te3）等二维量子材料的系统研究，提出用轻元素部分取代拓扑绝缘体中的重元素，以降低重元素的自旋-轨道耦合等相对论效应，进而调控其能带结构，消除金属性拓扑表面态，获得高迁移率二维半导体。经过材料的理性设计和数年的实验探索，发现了一类全新的超高迁移率半导体型层状氧化物材料Bi2O2Se，并利用化学气相沉积(CVD)法制备了高稳定性的二维Bi2O2Se晶体。基于理论计算和电学输运实验测量，证明Bi2O2Se材料具有合适带隙（~0.8 eV）、极小的电子有效质量(~0.14 m0)和超高的电子迁移率。系统的输运测量表明：CVD制备的Bi2O2Se二维晶体在未封装时的低温霍尔迁移率可高于20000 cm2/V·s，展示了显著的SdH量子振荡行为；标准的Bi2O2Se顶栅场效应晶体管展现了很高的室温表观场效应迁移率（~2000 cm2/V·s）和霍尔迁移率（~450 cm2/V·s）、很大的电流开关比（>106）以及理想的器件亚阈值摆幅（~65 mV/dec）。二维Bi2O2Se这些优异性能和综合指标已经超过了已有的一维和二维材料体系。Bi2O2Se这种高迁移率半导体特性还可能拓展到其他铋氧硫族材料（BOX：Bi2O2S、Bi2O2Se、Bi2O2Te）。