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一种交流无刷双馈电机及其齿谐波绕线转子分布绕组的设计方 法
本发明公开了一种交流无刷双馈电机及其绕线转子绕组的设计 方法；包括：先根据定子绕组极对数 p1 和 p2 初步确定转子齿槽数 Zr 和相数 mr，这时 Zr＝mr，每个齿对应一个集中式线圈，由此得到齿谐 波集中式绕组，然后扩大转子槽数，选择系数 kr，使新的转子槽数 Z ＝krZr，这时极距τr＝kr。此基础上，将原来的每相一个集中式线圈 分裂为 nr 个等节距 yr 的线圈，且 nr≤kr 及有 yr<、τr，这 nr 个线 圈依次间隔αr 槽距角分布在转子槽内，再通过调整 kr 和
华中农业大学
2021-04-14
一种适用于拜耳法的赤泥无害化综合回收利用工艺
本发明公开的一种适用于拜耳法的赤泥无害化综合回收利用工艺主要是脱除赤泥中碱性物并通过技术手段大量提选赤泥中的铁矿物，同时，将具有放射性的矿物如锆石、独居石等从赤泥中分离出来，分离后的赤泥尾矿作为大宗原料用于水泥加工、砖瓦烧制、筑路等，或者用作矿井充填材料等，将赤泥矿物“变废为宝”、“吃干榨净”，实现赤泥的大规模资源化利用，从根本上解决了赤泥筑坝堆存引起一系列的资源、环境问题和安全隐患。
安徽理工大学
2021-04-13
一种可主动运渣土的全套管工法用钢套管及其施工方法
本发明公开了一种可主动运渣土的全套管工法用钢套管，包括若干钢套管和螺旋钻杆以及用于掘土的钻头，若干所述螺旋钻杆由下至上顺序轴向连接，并沿其轴向贯穿在由下至上顺序轴向连接的钢套管内部，最上端的所述钢套管设有排渣口，所述钻头的底部设有高压水枪的连接口，所述钻头安装于最下端的螺旋钻杆，所述螺旋钻杆的叶片与钢套管内壁固定连接，钢套管带动螺旋钻杆转动过程中，螺旋向上的叶片将钻头掘起的渣土输送至排渣口。本发明的钢套管对贝诺托工法用钢套管结构进行改造，提出将钢套管与螺旋钻杆固定的技术方案，从而实现施工过程边掘进边
东南大学
2021-04-14
新修订的《中华人民共和国专利法实施细则》全文发布
自2024年1月20日起施行。
云上高博会
2023-12-23
一种采用基于 Delaunay 三角剖分的空间网络编码的网络传输方 法
本发明公开了一种采用基于 Delaunay 三角剖分的空间网络编码的网络传输方法，适用于包含 N 个终端点的传输网络；包括初始化步骤、Delaunay 预处理步骤、形成子矩形步骤、子矩形划分步骤、求平衡前线性规划最优解步骤、调整中继点到平衡位置步骤、求平衡后线性规划最优解步骤和 Delaunay 后处理步骤；通过采用 Delaunay 三角剖分得到斯坦纳点和增补的斯坦纳点作为候选的中继点，并通过非均匀划分得到候选的中继点，从上述候选的中继点中选出最优的中继点，对选出中继点的位置进行微调以进一步降低代价，从而得到采用空间网络编码的网络传输方案，解决现有技术中仅基于非均匀划分的空间网络编码方法中，当中继点与终端点非均匀密度分布时求线性规划最优解时计算量大的问题，进一步有效提升网络传输的总体性能。
华中科技大学
2021-04-11
一种单晶石榴石厚膜的间歇式液相外延生长方法
专利内容是本发明针对背景技术存在的缺陷，提出了一种单晶石榴石厚膜的间歇式液相外延生长方法，缓解了衬底与薄膜之间的应力产生，得到的单晶石榴石厚膜可作为磁光或微波厚膜应用，该方法制得的磁光厚膜的厚度可达100µm以上。
电子科技大学
2021-02-01
一种糖基/磺化改性亲和聚合物中空纤维分离膜、其制备方法及用途
本发明公开一种糖基/磺化改性亲和聚合物中空纤维分离膜及其制备方法。该膜由聚合物树脂、磺化聚合物树脂和糖类高分子组成，在优选的原料与比例下对LDL有良好的特异性吸附作用，且具有良好的稳定性和生物相容性，可重复使用，成本低廉，有望投入大规模临床应用。其制备方法包括以下过程:将膜用聚合物树脂、磺化聚合物树脂、糖类高分子、致孔剂按一定比例溶于溶剂，制成均一的纺丝制膜液，将纺丝制膜液过滤、真空脱泡后，通过浸没沉淀相转化法纺丝制备中空纤维成膜，然后将所制得的中空纤维膜依次在去离子水和超纯水充分漂洗。本发明采用的共混溶解制备法具有操作简便安全、原材料廉价易得等优点。
浙江大学
2021-04-11
高稳定金属膜电阻器用磁控溅射中高阻靶材及制备技术
成果与项目的背景及主要用途： Cr-Si 中高阻膜电阻器具有精度高、噪声低、温度系数小、耐热性和稳定性 好等优点，在精密电子设备和混合集成电路中大量采用。对于溅射制备电阻膜来 说，靶材是至关重要的，它制约着金属膜电阻器的电阻率、精度、可靠性、电阻 温度系数（Temperature Coefficient of Resistance, TCR）等性能。电阻温度系数 (TCR)是金属膜电阻器的一个重要性能技术指标之一，较大的 TCR 在温度变化时 会造成电阻值漂移，从而影响电阻器的精度和稳定性。目前国内外生产的金属膜 电阻器用高阻靶材，其性能不能满足低 TCR（≤25ppm/℃）要求。 技术原理与工艺流程简介： 靶材炼制工艺如下图所示所制备的靶材(382 mm ×128 mm ×14 mm)在溅射成电阻器薄膜后, 电阻温度 系数小(≤25 ×10-6 / ℃), 电阻值高(要求不刻槽数量级为千欧, 刻槽后数量级为 兆欧)且稳定(随时间变化小), 因此, 在本靶材研究中, 将选择 Cr 、Si 作为高阻 靶材的主体材料。由于 C r 、Si 熔点高, 原子移动性低, 因此由其所组成的薄膜 稳定性高。通过在金属 C r 中引入半导体材料 Si 来提高电阻器合金膜的阻值。 C r 是很好的吸收气体的金属元素, 在电阻器薄膜溅射过程中, 可通过通入微量 的氧来提高薄膜的电阻率, 同时调节电阻温度系数。 技术指标如下： 温度冲击实验后 ΔR/R ≤±0 .5 %, 过载实验后 ΔR/R ≤±0 .5 %, 寿命实验后 ΔR/R ≤±1 .0 %,电阻温度系数 TCR ≤±20 ×10-6 / ℃。 应用领域： 集成电路、电子元器件 合作方式及条件：具体面议 2 半导体微环激光器 3 基光电集成电路 4 无线网络与应用：协作无线网络 5 移动通信—LTE 技术
天津大学
2021-04-11
超晶格结构的纳米晶Cr2N/非晶WC超硬膜及其制备方法
简介：本发明提供一种超晶格结构的纳米晶Cr2N/非晶WC超硬膜及其制备方法,属于材料表面技术领域。本发明该超硬膜是由电弧离子镀的纳米晶体相Cr2N和磁控溅射镀的非晶体相WC层交替沉积而成,并且,超晶格的调制周期为10～20nm,Cr2N单层和WC单层的厚度分别为8～14nm和2～6nm。本发明的优点在于:Cr2N层与WC层交替分布实现了Cr-N基膜成分多元化和结构多层化,解决了抗氧化性较强的Cr-N基膜获得超高硬度的难题,同时非晶WC层进一步提高了Cr-N基膜的抗氧化和耐腐蚀性能,满足不能热处理的
安徽工业大学
2021-04-14
复极式离子膜电解槽极网自动化激光焊接成套技术装备
北京工业大学
2021-04-14