多相流数字全息显示与测量仪将光学全息干涉原理与数字图像处理技 术相结合，利用CCD或CMOS器件代替全息记录干板，对液液或气液扩散过 程依次记录其一定时间间隔的多幅全息图，再通过计算机数值计算来实现 待测液液或气液扩散过程的数值重建，获得折射率实时变化参数并进一 步得到扩散参数。 该技术达到国际先进水平，获实用新型专利1项。

流场数字全息显示与测量仪利用数字全息干涉技术和相位倍增技术 等，釆用马赫曾德干涉光路使一束激光束照穿过待测量流场作为物光波 与另一束参考光束干涉形成全息图，用CCD数字记录全息图并通过计算机 数值重建获得物光波的相位变化以及待测量流场的折射率分布，进而达 到流场显示与测量的目的。该仪器具有非接触、实时、全场、直观等优 点。 该技术达到国际先进水平，获实用新型专利6项。

本实用新型提供一种流场实时精确测量系统，包括示踪粒子发生器，用于产生示踪粒子并释放到待测流场；图像处理子系统，包括激光发射单元和图像采集单元，用于照亮示踪粒子并且采集示踪粒子图像；PIV 测量子系统，用于接收示踪粒子图像数据，测量全流畅速度矢量，并按照流场情况调整采集图像时间间隔和实现空间分辨率自适应测量；示踪粒子发生器设置在待测流场上游，图像处理子系统采集流场中示踪粒子图像，传递给 PIV 测量子系统。本实用新型提供的流场实时精确测量系统，对于流速高，尤其是高超音速流场、变化剧烈的流场进行实时测量

1. 痛点问题 恶性肿瘤是威胁人类健康的主要疾病，已成为我国城乡居民死亡的第一原因。根据世界卫生组织（WHO）统计，肿瘤治疗采用手术、放疗、化疗三大手段进行综合治疗，对恶性肿瘤的治愈率（5年生存率）可达到45%，其中的40%（绝对值的18%）由放射治疗贡献。在最新统计数据中， 发达国家的治愈率已上升至55%，其中放射治疗贡献40%，对应绝对值的22%。随着技术不断发展，放射治疗将在未来扮演更重要的作用。 我国放射治疗装备国产化率低，相关研究落后。早在1976年我国成功研制首台国产医用直线电子加速器，达到世界先进水平。但未能结合数字化和图像诊疗等技术，我国厂商与国外先进水平迅速拉开差距，国产设备市占率从2000年初的50%迅速下降至不足10%。目前这种放疗设备严重依赖进口的情况，造成一定的经济负担，也不利于国内放射治疗物理师和相关工程技术人员的培养，客观上限制了放射治疗技术在我国的推广与应用。因此从我国公共卫生事业的发展与战略角度，亟需解决放疗设备国产化问题。 医用直线加速器利用高能X射线或电子线对肿瘤进行照射。束流模块是医用直线加速器中产生高能X射线或电子线的部分，是其中的关键核心部件，类似于汽车的发动机。衡量医用加速器性能的重要指标“剂量率”主要由束流模块决定，目前国际主流加速器的剂量率在1200MU/min左右。 束流模块是目前制约国产医用直线加速器性能提升的“卡脖子”技术，剂量率、稳定性和可靠性是其关键，也是国产设备和进口产品存在水平差距的主要因素。突破高性能束流模块的关键技术，对于振兴国产医用加速器产业发展、实现高端医疗器械“自主可控”的国家战略具有重要意义。 2. 解决方案 本项目通过对紧凑的优化屏蔽系统、高精度的机械对中系统、集成冷却和高精度温控系统、功率源及加速管匹配等核心技术的攻关，S波段高性能束流模块实现剂量率1400MU/min，为国际同类产品的先进水平。可靠性方面，已开展可靠性测试，无故障时间大于1800小时，高压无故障时间大于200小时，该指标可实现束流模块在医院较高负荷使用环境下一年内无故障。 合作需求 寻求医用加速器相关企业开展业务合作。

本成果是授权发明专利。成果将具有输入输出和中间处理的中间件单元与工作流过程中活动结合起来，实现业务过程的集成管理和不同系统之间的数据交换共享，提供了数据和流程两类同时集成的有力工具，具有国际先进水平

本发明公开了一种数据流跟踪方法，包括三个阶段：客户操作 系统指令静态反汇编，根据静态的客户机 x86 指令生成对应的污点传 播指令，进行污点数据传播更新操作，对于在静态反汇编时不能获取 的内存操作数物理地址，通过采用共享缓存的方式在动态执行过程中 获取；编译产生宿主机执行代码，根据上一阶段的污点指令生成宿主 机上的可执行代码，以处理函数的形式进行生成，方便下一阶段的执 行；开启新的执行线程，执行污点指令，逐条取出污点

（1）轴流泵水力模型 基于叶栅理论、CFD 技术和模型试验方法研究变环量设计方法，建立多目标、多工 况、多约束优化模型，开发多组高效轴流泵叶轮模型。 轴流泵水力模型 （2）混流泵水力模型 基于理论分析、模型试验以及 CAD 和 CFD 技术的有机结合，应用逆向求解设计

产品详细介绍 产 品 特 性 超载能力強:瞬间电流能承受额定电流的300%. 暫态反应快速,对100%的除载/加载,稳压反应时间在以 2 ms內 效率达85% 以上 採用高频 MPWM 设计,以IGBT作功率推动,体积小,噪音低. 波峰因數比(CREST FACTOR)为3:1 具有过高压,過电流,超温等多重保护及警告裝置.  电压/电流/频率/瓦特,皆为数位显示. 輸出电压50V ~ 144V/100V~288V 可调,可模拟世界各国之电压. 可预先设定,标称电压的 +10%~ +25% 及 -10% ~ -30%. 适 用 场 所 航太工业 安定器  国防军事 交换式电源  马达制造  个人电脑/显示器  半导体测试  冷气/压缩机  扫描及影印机 品检保证 产品寿命及安全  实验室/研发部

石墨烯是材料科学领域的一颗迅速崛起的明星，开启了二维材料的大门。作为纳米光电子器件广泛使用的理想电极材料，石墨烯除了具有优异的弹性和刚度外，还具有最高的载流子迁移率(104-105 cm2 V-1 s-1)。然而，石墨烯作为一种典型的半金属材料，它的零带隙极大地限制了其在半导体工业的应用。自石墨烯被发现以来，它的零带隙一直是世界范围内最具挑战性的难题之一。  多年来，人们一直致力于解决这一关键问题，最主要的打开石墨烯带隙方法可以概括为下面两种。第一种是通过掺杂、吸附、衬底相互作用、外加电场、应变、建立二维异质结等方法直接打开石墨烯的带隙。不幸的是，在打开石墨烯带隙的同时，保持其具有超高载流子迁移率的线性电子色散的多种尝试，至今仍未成功。第二种方法是开辟新的路径，寻找新的具有超高载流子迁移率（线性色散）的二维材料，如二硫化钼、硅烯、锗烯和磷烯等，它们构成了新的二维材料家族。遗憾的是，迄今还没有发现任何具有类似石墨烯线性电子色散和超高载流子迁移率的二维半导体。 北京大学物理学院史俊杰教授及其研究团队注意到：钙钛矿材料具有多样的组成和结构，如ABX3(具有三个不同原子位置的三维结构)、A'2[An-1BnX3n+1] (二维Ruddlesden-Popper型结构)、A'[An-1BnX3n+1] (二维Dion-Jacobson型结构)、A'2An-1BnX3n+3(二维111型结构)和AnBnX3n+2(二维110型结构)等，为材料设计提供了一个理想和庞大的平台。此外，钙钛矿结构中阳（阴）离子价态的劈裂和置换，阳（阴）离子的混合等，为组分工程提供了更多的可能性，从而极大地调节了所设计的钙钛矿材料的电子结构（带隙和电子色散）及物理、化学性质，为寻找具有新奇性质的材料开辟了一条新的道路。图注：左图为二维Ca3Sn2S7钙钛矿结构示意图，中图为它的三维线性色散能带图（带隙0.5 eV），右图为它的光吸收系数，并与光伏明星材料MAPbI3及Si的光吸收系数作对比。 最近，他们在硫化物钙钛矿的研究中，意外发现了一种新奇的稳定且环境友好的二维钙钛矿半导体Ca3Sn2S7材料，它具有类似石墨烯的线性Dirac锥电子色散，直接的本征准粒子带隙0.5 eV，超小载流子有效质量0.04m0，室温下载流子迁移率高达6.7×104 cm2V-1s-1，光吸收系数高达105 cm-1（超越钙钛矿光伏明星材料MAPbI3）, 从一个全新的角度实现了打开石墨烯带隙的梦想。该研究将会为二维钙钛矿材料的设计和研发提供新的思路，并进一步促进半导体产业的发展。