产品详细介绍双层玻璃反应釜   HEB-1L HEB-2L HEB-3L HEB-5L  HEB-10L HEB-20 HEB-30L HEB-50L 产品说明 双层玻璃反应器夹层内可通入不同的冷热循环液(热水、热油、冷冻液)。在全密封玻璃容器内，反应物在常压或是负压下进行搅拌反应。全透明的反应瓶可使反应过程一目了然，是现代生物制药，精细化工新材料合成的理想试验、中试设备。 设计特点： 1、大口径一体化双层反应瓶，气密性好，强度高。 2、专业的PTFE密封盖，可在高真空高速下搅拌。 3、有三个用户机动使用的标准磨口。配有加料活塞，测温管和回流冷凝器。(特殊可定制) 4、大型设备(20L以上)有更多安全性，易操作性设计。 主要特点 1.采用GG17高硼硅玻璃材质，拥有优良物理、化学性能。 2.可选用常温、高温（200°C）及低温（-80°C）的反应条件进行实验。 3.可以选用在常压及负压试验条件工作，静止状态下负压可达0.095MPa以下。 4.数字显示搅拌速度，变频恒速搅拌系统，工作平稳。 5.四氟搅拌浆（搅拌叶），搅拌轴与反应釜之间的密封采用特种材料制成。 6.无死腔设计的防腐的放料阀门。 7.多功能反应釜玻璃夹层的制冷或加热溶液在反应完毕后，能彻底排除，不积液。 8.整体结构科学、新颖、实用、美观。 用途说明 该系列双层玻璃反应釜内层溶器放置反应物料同时可抽真空和调速搅拌使反应物料减压条件下，进行气化、蒸发对物料进行浓缩和提纯。夹层可导入冷冻液、水和高温液对物料进行升温、冷却或冻结。 该系列多功能反应釜广泛应用于化学、精细化工、生物制药新材料合成等实验及生产。该产品可与循环水多用真空泵、低温冷却液循环泵、循环油浴锅配套使用成为系统装置，或者用于中试生产。    

产品详细介绍PCF系列高压反应釜是我公司研制的一种普通实验室反应釜，采用不锈钢制造，带有安全减压阀以保证人员和器械的安全。设计简单、制造工艺不太复杂，由反应釜控制仪集中控制，可以根据用户需要分别进行压力、温度、转速的显示和控制。由于不采用电脑自动控制装置，因而价格便宜。便宜但安全、普通但实用是该高压反应釜的最大特点。压力低于6MPa时，采用垫片密封,压力高于6MPa时采用金属双线密封,搅拌采用静密封强磁力搅拌，可配多种搅拌浆。采用电加热形式,特殊要求可以制成防爆加热器。名称: 高压反应釜 产品分类: PCF系列实验室反应釜 型号: PCF 价格: 1.0—4.6万元（特殊材料价格另议） 规格:  0.1L、0.2L、0.3L、0.5L、1L、2L、3L、5L、10L   产品描述 材质：1Cr18NI9Ti（可选特殊材料）压力：-0.1——30MPa温度：≤320oC（特殊要求另议） 

产品详细介绍50L中试高压反应釜---树脂合成制备系统1 使用范围用于不饱和聚酯树脂及其他高分子树脂的合成制备与中试研究2 执行标准 GB150-1998 钢制压力容器HG/T 20592-94 机械搅拌设备HG 20592～20635-97 钢制管法兰、垫片、紧固件HG/T 20546-2009 化工装置设备布置设计规定3 中试50L高压反应釜系统规格3.1 设备规格型号50L高压反应釜系统及辅助设备3.2 设备外观尺寸50L高压反应釜制备系统外观设计尺寸见各自分设备尺寸4 中试50L高压反应釜系统的主要配置及技术参数 4.1 不锈钢反应釜及其系统4.1.1高压反应釜(1)材质：304不锈钢材质，内外抛光；50L容积；厚度≥6mm；(2)工作温度范围：-20℃~300℃；(3)夹套可以承受的温差：≥60℃；(4)高压反应釜正常工作压力范围：–2MPa ～ 5MPa；(5)零死角底放料阀，釜体需设计取样口；(6)釜体口与釜盖连接处凹槽“O”型圈式设计，使高压反应釜体系统具有良好的密封性，能满足系统的真空度要求。(7)侧接口：采用不锈钢法兰密封，保证整个导热系统的导热介质大流量充分循环。(8)标准高压反应釜盖，有可视窗口，开口设计不少于5个。(9)配备立式分馏柱、立式冷凝柱、卧式冷凝器、馏分储罐(带视镜)。4.1.2常压掺合反应釜(1)材质：304不锈钢材质；内外抛光；100L容积；厚度≥6mm；(2)工作温度范围：-20℃~300℃。(3)掺合釜压力工作范围：常压。(4)零死角底放料阀。(5)标准反应釜盖，有可视窗口，有投料口，釜内预留温度传感器接口(掺合釜夹套内通循环水，温度无需监控)。4.1.3搅拌系统搅拌电机功率范围：0.4KW≤功率≤1.2KW；最大转速为120 r/min，配备变频器。搅拌方式的设计需满足充分搅拌反应物料(无死角)的要求。4.1.4搅拌密封系统套管式密封搅拌系统，PTFE或更高材质密封，可根据情况选配机械封。要求整体密封性达到真空度小于2000Pa。4.1.5进料系统恒压滴定漏斗或负压进料，两釜体通过管路密封相连。4.1.6减压蒸馏系统冷凝回流柱，配减压蒸馏系统。4.1.7支架系统凳式支架或根据具体需求确定。整个系统拆卸与安装要求方便。4.2 高精度温控系统(1)全封闭温控系统，控制温度范围：-20~300℃；(2)控温精度稳定性在：±0.1℃，精确控制高压反应釜体温度，配备液晶屏显示器，显示设定温度、夹套温度及实际反应温度，并可显示三者的温度曲线；(3)可设定釜体和夹套的最大温差，防止温度差过大引发的爆裂；(4)可编程控温，保存并随时调出使用，方便快捷；(5)如遇突发放热现象，超过机器设定值，加热功能停止。

本发明提出用于防治假禾谷镰刀菌的病毒粒子及其防治小麦茎基腐病的主要病原菌假禾谷镰刀菌的方法，解决了现有技术中小麦茎基腐病的防治问题。本发明通过提取FpgMBV1病毒粒子，对室内接种假禾谷镰孢菌WZ2‑8A菌株（小麦茎基腐强致病株）的小麦幼苗进行生物防治处理，以确定FpgMBV1病毒粒子的生物防治潜力；通过将FpgMBV1病毒粒子与假禾谷镰孢菌WZ2‑8A菌株共培养，验证FpgMBV1病毒粒子的体外侵染能力。结果表明，FpgMBV1病毒粒子可以使WZ2‑8A菌株侵染的小麦茎基腐病的发病率从88.9%降到63.90%，病情指数从36.73降低到7.10，防治效果为80.67%具有生物防治潜力。

混凝土结构因其脆性大的弱点，在工程应用中往往不可避免产生开裂。混凝土结构 因开裂导致混凝土结构水密性下降、渗漏，影响工程的使用寿命，甚至无法正常使用。 这是建筑界普遍存在的问题。水工、道路、桥梁等工程中混凝土结构受损后，需要进行 快速修补。从混凝土结构产生开裂的原因与环境条件分析，开发新型高性能修补材料具 有重要意义。 本发明技术根据不同现代混凝土工程的修补需求，开发出系列高性能快速修补材料， 包括超快硬修补材料、快硬早强修补材料、高性能快速修补材料。 高性能水泥基系列快速修补材料的主要特点是早期强度高、无收缩、与基面粘接强 度高、长期稳定性好、耐久性优越等特点。还具有耐磨性好、抗冲击性能优越、高抗冻 性等特殊功能。更重要的是通车时间可从 3 小时到 24 小时内调节。 高性能水泥基系列快速修补材料可广泛适用于道路、机场跑道、钢筋混凝土、轻集 料混凝土、桥梁、建筑、水工和路面等混凝土结构物（构筑物）等裂缝或缺陷的修补， 也适合于路面的大面积修补，尤其适合于北方严寒、盐冻地区的工程应用。 

项目涉及的产品是钛基合金，具体包括钛铁合金、钛铝合金以及钛铝钒合金等，其广泛用于冶金、国防、军工、航空、航天以及生物医学等领域。目前，现有的钛及钛合金等钛材的利用流程仍全是高钛渣/金红石-高温氯化-真空还原-精制-海绵钛-破碎-真空熔炼-钛材这一高能耗、高污染的高成本生产工艺。东北大学在国家973、国家自然科学基金以及企业重大科技攻关等项目的联合资助下，针对现有金属热还原法直接制备钛基合金存在的钛氧化物还原不彻底等技术难题，发明了基于喷吹金属蒸气深度多级还原直接冶炼钛基合金的新技术，并突破了其喷吹金属蒸气深度还原装备的技术难题，建成了吨级规模的基于喷吹深度多级还原装备。成功制备出氧含量低于0.6%的低氧高钛铁；氧含量低于0.1%，氮含量低于200ppm的钛铝合金及钛铝钒合金，目前已完成20kg规模的放大试验，建成了吨级规模的基于喷吹深度多级还原核心装备，进入产业化和推广应用阶段。核心成果已获得国家发明专利６项，整体技术及装备水平世界领先。 项目研究形成了从方法-产品-装备的原始创新，突破直接热还原法制备钛基合金的技术难题，实现了钛合金的短流程清洁制备，为国家安全建设和社会经济建设提供了战略物质保障社会经济效益显著。未来5年，我国特种钢精炼用高钛铁合金用量可达30万吨，若投资建立一条深度多级还原直接冶炼低氧高钛铁的生产线，可实现年产量5000吨的规模，其总产值可达2.5亿元以上，年均创造效益约5000万元。建设一条1000吨规模的钛铝基钛合金生产，其总产值可达2亿元以上，年均创造效益约5000~8000万元。因此项目建设将极大地拉动地方经济。

依托“湖南大学碳材料研究所”，建成国内沥青基碳纤维生产基地，逐步用碳纤维复合材料取代铝合金、钢筋等，促进建筑行业、汽车行业的“产业革命”，打造百亿、千亿的产业集群，把湖南长沙打造成全球第四家拥有整套高性能沥青基碳纤维制备技术的生产基地，确立长沙中国“碳谷”地位。目前已研发出高性能沥青基连续长丝炭纤维。 相关研究成果已应用于航天、航天、承载一体化、冲击载荷下微结构、兵器材料等，为我国武器装备发展和国防科技工业进步提供了基础支撑。合作单位包括国防科工局、中科院近代物理所、中国兵器工业第二0一研究所、中国工程物理研究院、航天科工集团、航天科技集团、中国兵器集团等国防军工单位。

传统的CCD、CMOS硅基成像器件都不能响应紫外波段的光信号，这是因为紫外波段的光波在多晶硅中穿透深度很小（<2nm）。但是近年来随着紫外探测技术的日趋发展，人们越来越需要对紫外波段进行更深的探测分析与认识。紫外探测技术是继激光探测技术和红外探测技术之后发展起来的又一军民两用光电探测技术。几十年来，紫外探测技术已经逐渐应用于光谱分析、军事、空间天文、环境监测、工业生产、医用生物学等诸多领域，对现代科研、国防和人民生活都产生了深远的影响。特别是在先进光谱仪器方面，国内急迫需要响应波段拓展到紫外的硅基成像器件。硅基成像器件如CCD、CMOS是应用最广泛的光电探测器件。当前最先进的光谱仪器大都采用了CCD或CMOS作为探测器件，这是因为CCD、CMOS具有灵敏度强、噪声低、成像质量好等优点。但由于紫外波段的光波在多晶硅中穿透深度很小（<2nm），CCD、CMOS等在紫外波段响应都很弱。成像器件的这种紫外弱响应限制了其在先进光谱仪器及其他领域紫外波段探测的使用。 在技术发达国家,宽光谱响应范围、高分辨率、高灵敏度探测器CCD已经广泛应用于高档光谱仪器中。上世纪中叶美国Varian公司开发的Varian700 ICP-AES所使用的宽光谱CCD检测器分辨率达0.01nm,光波长在600nm和300nm时QE分别达到了84%和50%；美国热电公司开发的CAP600 系列ICP所用探测器光谱响应范围更是达到165～1000nm，在200nm时的分辨率达到0.005nm.法国Johinyvon的全谱直读ICP，其所用的CCD探测器像素分辨率达0.0035nm,紫外响应拓展到120nm的远紫外波段。德国斯派克分析仪器公司的全谱直读电感耦合等离子体发射光谱仪一维色散和22个CCD检测器设计，其光谱响应范围为120－800nm。德国耶拿JENA 连续光源原子吸收光谱仪contrAA采用高分辨率的中阶梯光栅和紫外高灵敏度的一维CCD探测器，分辨率达0.002nm,光谱响应范围为189—900 nm。总而言之，发达国家在宽光谱响应和高分辨率高灵敏度探测器件的研制领域已取得相当的成就。主要技术指标和创新点（1）  我们在国内首次提出紫外增强的硅基成像器件，并在不改变传统硅基成像探测器件的结构的基础上，利用镀膜的方法增强成像探测器件CCD、CMOS的紫外响应，使其光谱响应范围拓宽到190—1100nm，实现对190nm以上紫外光的探测。（2）  提高成像探测器的紫外波段灵敏度，达到0.1V/lex.s。（3）  增强成像探测器件的紫外响应的同时，尽量不削弱探测器件对可见波段的响应。（4）  选用适合的无机材料，克服有机材料使用寿命短的缺陷。 紫外探测技术已经逐渐应用于光谱分析、军事、空间天文、环境监测、工业生产、医用生物学等诸多领域，对现代科研、国防和人民生活都产生了深远的影响。特别是在先进光谱仪器方面，国内急迫需要响应波段拓展到紫外的硅基成像器件，该设计与传统CCD、CMOS结合，能满足宽光谱光谱仪器所需的紫外响应探测器的需要。能提高光谱仪器光谱响应范围，在科学实验和物质分析和检测中具有很广的市场前景。 该设计样品能取代传统CCD、CMOS，应用于大型宽光谱光谱仪器上，作为光谱仪的探测器件。将传统光谱仪器的光谱检测范围拓宽到190—1100nm. 实现紫外探测和紫外分析。具有较强的市场推广应用价值。

北京大学物理学院“极端光学创新研究团队”王剑威研究员和龚旗煌院士领导的课题组，与英国、丹麦、奥地利和澳大利亚的学者合作，实现了硅基集成光量子芯片上的多体量子纠缠和芯片-芯片间的量子隐形传态功能，为芯片上光量子信息处理和计算模拟的应用，奠定了坚实的基础。相关研究成果于近日发表在国际顶级物理期刊Nature Physics(https://www.nature.com/articles/s41567-019-0727-x)。 集成光量子芯片技术，结合了量子物理、量子信息和集成光子学等前沿学科，通过半导体微纳加工制造高性能且大规模集成的光量子器件，实现对光量子信息的高效处理、计算和传输等功能。其中，利用硅基平面光波导集成技术的光量子芯片具有诸多独特优势，包括集成度高、稳定性好、编程操控性优越和可单片集成核心光量子器件等，因此被认为是一种实现光量子信息应用的重要手段之一。 A. 硅基量子隐形传态和多光子量子纠缠芯片的示意图，左上角为集成量子光源的电子显微镜图；B. 量子隐形传态的量子线路图；C. 量子纠缠互换的量子线路图；D. GHZ纠缠制备的量子线路图 北京大学研究团队与布里斯托尔大学、丹麦科技大学、奥地利科学院、赫瑞-瓦特大学和西澳大利亚大学科研人员密切合作，在硅基光量子芯片技术和应用方面取得了突破性进展。研究团队发展了一种基于微环谐振腔的高性能集成量子光源，通过硅波导的强四波混频非线性效应，实现了光子全同性优于90%、无需滤波后处理的50%触发效率的单光子对源，达到了对4组微腔量子光源阵列的相干操控，片上双光子量子纠缠源的保真度达到了92%。团队实现了关键的可编程片上双比特量子纠缠门，可以按照功能需要切换贝尔投影测量和量子比特焊接操作，通过量子态层析实验确认了高保真的双比特纠缠操作。 研究团队在单一硅芯片上实现了高性能量子纠缠光源、可编程双比特量子纠缠门，以及可编程单量子比特测量的全功能集成，进而实现了三种核心量子功能模块——芯片上四光子真纠缠、量子纠缠互换、芯片-芯片间的高保真量子隐形传态。通过对两对纠缠光子对进行量子比特焊接操作，团队实现并判定了四比特Greenberger-Horne-Zeilinger (GHZ) 真量子纠缠的存在；通过对两对纠缠光子中各一个光子进行贝尔投影操作，实现了量子纠缠互换功能，使来自不同光子源的光子间产生了量子纠缠；利用两个芯片间的量子态传输和量子纠缠分布技术，实现了两个芯片间任意单量子比特的量子隐形传态，达到了近90%的隐形传态保真度。 团队研制的硅基多光子量子芯片尺寸仅占几平方毫米，比传统实现方法小了约5-6个数量级，不仅达到了器件的微型化，同时具备了单片全功能集成、器件编程可控、系统性能优越等特点，其中量子隐形传态保真度优于已报道的其它物理实现方法。多体量子纠缠体系的片上制备与量子调控技术，为片上量子物理基础研究和片上光量子信息处理传输、量子计算模拟的应用提供了重要基础。