产品详细介绍本公司专业生产电工电子实验室设备,电工实验室设备,电子实验室设备

本发明公开了一种多用户 MIMO 广播信道在混合 CSI 下的自 由度优化方法，包括：(1)根据静态接收器组的信道参数 Hs 设计预编 码矩阵 W，<img file=""DDA0000731125240000011.GIF"" wi=""380"" he=""87""/>(2)通过静态接收器的目标信号 d和预编码矩阵W 获得静态 接收器组的编码信号 Xs，<img file=""DDA0000731125240000013.GIF"" wi=""534"" he=""88""/> 其 中 xi ＝ Wdi ∈ CK × 1 ， <img file=""DDA0000731125240000014.GIF"" wi=""501"" he=""85""/>(3) 对 动态用户的目标信号 Xd 和静态接收器组的编码信号 Xs 进行格拉斯曼 -欧氏叠乘，得到叠乘信号<img file=""DDA0000731125240000012.GIF"" wi=""364"" he=""142""/>基站发送此叠乘信号；(4)各用户对接收信号进 行解码。本发明方法对于动态用户来说，叠乘并不改变它与基站间的通信，就好像没有静态用户存在一样，其自由度是没有变化的；对于 静态用户来说，基站发送叠乘信号时，可以让它获得额外的自由度增 益。

本实用新型公开了一种用于海上风机基础室内试验研究的多自由度循环加载装置，该装置利用动滑轮和定滑轮组成滑轮系统，结合循环步进电机、弹簧基座以及特殊设计的模型箱、钢框架和法兰盘，通过控制循环步进电机的移动距离和移动速度可以实现任意周期和任何形式的循环加载。此外，改变钢框架与模型箱的连接位置，转动法兰盘，同时利用控制基座底部的万向轮，可以实现任意角度的循环加载。本实用新型易于加工安组装，具有较高的经济性和实用性，可以应用于海上风机基础的室内模型试验研究。

中国科学技术大学潘建伟及其同事张强、姜海峰、彭承志等与上海技物所、新疆天文台、中科院国家授时中心、济南量子技术研究院和宁波大学等单位合作，通过发展大功率低噪声光梳、高灵敏度高精度线性采样、高稳定高效率光传输等技术，首次在国际上实现百公里级的自由空间高精度时间频率传递实验，时间传递稳定度达到飞秒量级，频率传递万秒稳定度优于4E-19。

利用前手性或内消旋的烯基1,3-二醇为原料，三氟甲基碘试剂或氟烷基磺酰氯为氟烷基自由基前体，在Cu(I)和手性磷酸协同催化下首次实现了去对称化不对称自由基反应。该反应具有很好的非对映选择性和对映选择性，同时反应条件温和，底物适用范围广泛，为具有多个手性中心的四氢呋喃骨架化合物的合成提供了一条新的途径

本发明属于柔性膜质量检测设备相关领域，并公开了一种适用 于对移动中的柔性膜执行标识的多自由度打标装置，包括支撑组件、 传动组件、动力组件、打标针组件和记号笔组件，其中支撑组件可实 现打标装置的机械连接，同时还具有导向和位置调节的功能；动力组 件为打标装置提供可控的动力，传动组件可适于在运动中多自由度地 驱动打标针组件和记号笔组件，并提供高精度的打标操作；打标针组 件和记号笔组件分别可在柔性膜上打出针孔和颜色标记，并检测标记 是否成功完成。通过本发明，在高速运动过程中也能够高精度、稳定 可靠地执行打标操作，而且反应灵敏度高，因而尤其适用于 RFID 标 签之类对表面标识质量高的运用场合。 

本发明公开了一种原子力探针位姿调整机构。包括探针座，调 节机构和连接头。其中探针座用于原子力探针的安装固定;调节机构 包括由下至上的第一调节部件、第二调节部件、第三调节部件以及第 四调节部件，分别用于原子力探针的里外水平偏摆、左右水平和上下 旋转、上下俯仰以及上下竖直位姿调节;连接头用于与显微物镜相连。 本发明能够实现原子力探针姿态在五个自由度上的细微调节，各个调 节动作相互独立，彼此不发生干涉，互不影响，提高了探针姿态的调 节精度;且能够对调节后的位姿进行锁定，使其保持稳定。

本项目提出并发展了通用的硅基二维半导体材料范德华外延技术, 实现了多种层状和非层状半导体材料的二维薄膜可控生长，解决了传统外延方法中存在的晶格失配、热失配等多物理失配技术难题，开辟了非层状材料在二维电子器件领域的研究新方向。 一、项目分类 重大科学前沿创新 二、成果简介 基于新材料、新架构的硅基高密度集成信息功能器件的自主发展是国家重大战略需求。本项目围绕新型低维半导体材料的大规模可控制备、物性调控及其电子、光电器件展开系统研究，主要技术创新点有： 一、二维半导体材料及其异质结构的大规模可控制备。本项目提出并发展了通用的硅基二维半导体材料范德华外延技术, 实现了多种层状和非层状半导体材料的二维薄膜可控生长，解决了传统外延方法中存在的晶格失配、热失配等多物理失配技术难题，开辟了非层状材料在二维电子器件领域的研究新方向。在晶圆级二维半导体材料的基础上构建出大规模的二维异质结构，得到了具有高可靠性和稳定性的集成器件。相关成果发表在Science Advances、Advanced Materials等国际知名刊物上，共计40余篇，授权专利16项；与中国电子科技集团公司第十三研究所等合作，成功实现了非层状GaN在大失配硅基衬底上的高质量外延，为第三代半导体的硅基集成提供了新的技术路线。 二、基于低维半导体材料的高灵敏光电器件。本项目通过发展高质量硫族半导体的外延生长新工艺，系统研究了MoTe2、PbS、CdTe等30余种二维半导体材料的光电性质，极大地拓展了传统的半导体光电材料体系；首次提出一种桥接的异质结构筑方式，大大降低了范德华间隙引入的光生载流子注入势垒，获得了高性能二维异质结光电器件；发展了纳米线场效应晶体管器件表面修饰方法，调节晶体管特性为强增强型，利用这种设计，实现了“锁钥”式高选择性、高灵敏度气体检测器件。本项目实现了从深紫外区到中远红外区的宽波段高灵敏度检测，相关成果发表在Science Advances、ACS Nano等国际知名刊物上，共计30余篇，授权专利6项。 三、后摩尔时代新型低维电子信息器件。本项目基于低维半导体材料及其异质结构的物性调控，首次提出了二维半导体材料中的“增强陷阱效应”物理模型，实现了高性能的亚带隙红外探测器和非易失性光电存储器；利用双极性沟道中横向载流子分布的特定电场依赖性，在二维黑磷晶体管中实现了室温负微分电阻特性；通过构筑亚5 nm沟道二维铁电负电容晶体管，使得亚阈值摆幅突破玻尔兹曼物理极限，有效降低了器件能耗；创新性的提出多层二维范德华非对称异质结构，实现了器件高性能与多功能的集成，器件性能为当时最高指标；发展了新型存算一体架构电子器件技术，首次演示了兼具信息存储和处理能力的二维单极性忆阻器，有望突破当前算力瓶颈，提供集成电路发展的新途径。相关成果发表在Nature Electronics、Nature Communications等国际知名刊物上，共计60余篇，授权专利7项。

(null)

主要功能：实现单频和双频的大功率太赫兹波输出。 ？ 应用领域：在主动探测、雷达、通信、材料的线性和非线性特性、高密度等离子体特性研究、增强核磁共振技术和放射性材料遥测等方面具有极其重要应用前景。 ？ 特色及先进性：在双电子注同轴腔回旋管中，一根电子注工作在基波，另外一根电子注工作在高次谐波，利用两个电子注与电磁波间的非线性耦合，实现双频大功率太赫兹波输出。 ？ 技术指标：工作频率110/220GHz；输出功率：20kW。