一种土工离心机试验的模型差异沉降控制装置，其组成为：模型箱箱底的一侧固定有两列支撑墩，两列支撑墩上部支撑有不动板；箱底的另一侧固定有两列升降机，两列升降机上部的法兰盘上固定有升降板；不动板及升降板上填筑路堤模型；升降机通过安装于模型箱箱底的转向箱与步进伺服电机相连，步进伺服电机与土工离心机的外部控制系统电连接。该装置能够在离心机运转状态下实现模型差异沉降的实时精确控制，从而掌握地基不均匀变形在路堤填土中的传递、扩散规律以及对路基面不均匀沉降特性的影响，为完善铁路与公路工程中不同结构物的均匀过渡技术提供可靠的试验依据。

交直流两用,直流起动电压1.5V

本实用新型公开了一种非接触气动激振装置，用于对气弹模型等柔性结构进行气动激振，主要由气泵、管路、气体喷口和电磁阀组成；由气泵供气的气缸通过气路分支器与分支气路连接；分支气路的端头设置有由电磁阀所控制的气体喷口；所述电磁阀与气体喷口一体设置，并被三脚架支撑在气弹模型下方；电磁阀与控制单元电气连接。气泵通过分支气路向电磁阀进气端输入压缩空气，电磁阀接收控制单元发出的脉冲信号实现周期性的开启和闭合，输出脉冲气流对气弹模型进行激励。本实用新型不与模型接触，消除了激振装置和位移测量装置的附加刚度和附加质量对气弹模型动力特性的影响，简易方便、成本低；可用于斜拉桥、悬索桥等多种柔性气弹模型的模态测试。

Ø 采用一种叫等温容器的新型压力容器，当气体向容器快速充气或从容器快速排气时，仅仅测量容器内压力变化就可以精确测量出充排气的流量。测量元件的流量特性时，将传统的静的测量方式转变为动的测量方法，利用压缩气体通过被测元件充入等温容器或从等温容器中排出时，采集充排过程中等温容器内的压力响应，就能得到流经被测元件的流量，并计算出相应的特性参数，避免了使用高响应、昂贵的流量传感器。对于采集压缩性流体动态流量实时性要求高的场合，通过采用等温容器和层流式流量计复合测量的方式，可实现高达50Hz的动态流的

针对分布式风光发电在配电网中的高比例接入态势，源荷存在时空不匹配特性，导致功率倒送和节点过电压等问题，面向电网网架相对薄弱地区，开展考虑风光发电不确定性的储能的选址定容研究，实现不同运行方式下储能的优化配置；提出基于有功/无功电压控制分区的新型配电系统电压控制策略，实现配电网电压的分散式与集中式协同控制，满足高渗透率风光并网场景下的电能质量要求。

本成果围绕光伏并网系统电能质量展开。基于深度学习算法，研究谐波等电能质量指标变化规律，运用特征提取技术处理时序数据，实现电能质量预测。研发基于态势感知的电能质量调控装置，总谐波补偿率不小于 90%，补偿次数 2 - 50 次。成果形式包括研究报告、调控装置示范应用，申请发明专利 3 项，发表论文 3 篇。应用场景涵盖光伏电站、配电网等，可提升电网可靠性与经济性，减少设备损耗、优化调控策略、降低弃光率，为新能源消纳提供支撑。

1. 高压IGBT器件封装绝缘测试系统 针对高压IGBT器件内部承受的正极性重复方波电压以及高温工况，研制了针对高压IGBT器件、芯片及封装绝缘材料绝缘特性的测试系统（如图1所示），可实现电压波形参数、温度和气压的灵活调控，用于研究电压类型（交、直流、重复方波电压）、波形参数、气体种类、气体压力等因素对绝缘特性，具备放电脉冲电流测量、局部放电测量、放电光信号测量、漏电流测量及紫外光子测量等功能（如图2所示），平台相关参数：频率：DC~20kHz，电压：0~20kV，上升沿/下降沿：150ns可调，占空比：1%~99%，温度：25℃~150℃，气压：真空~3个大气压。  2.压接型IGBT器件并联均流实验系统 针对高压大功率压接型IGBT器件内部的芯片间电流均衡问题，研制了针对压接型IGBT器件的多芯片并联均流实验系统（如图3所示），平台具有灵活调节IGBT芯片布局，栅极布线，温度和压力分布的能力，可开展芯片参数、寄生参数以及压力和温度等多物理量对压接型IGBT器件在开通/关断过程芯片-封装支路瞬态电流分布影响规律的研究，以及瞬态电流不均衡调控方法的研究；平台相关参数：电压：0~6.5kV，电流：0~3kA，温度：25℃~150℃，压力：0~50kN。   图3 压接型IGBT多芯片并联均流实验 3.高压大功率IGBT器件可靠性实验系统 随着高压大功率 IGBT 器件容量的进一步提升，对其可靠性考核装备在测量精度、测试效率等方面提出了挑战。针对柔性直流输电用高压大功率 IGBT 器件的测试需求，自主研制了 90 kW /3 000 A 功率循环测试装备和100V/200°C高温栅偏测试装备（如图4所示）。功率循环测试装备可针对柔性直流输电中压接型和焊接式两种不同封装形式的IGBT开展功率循环测试，最多可实现12个IGBT器件的同时测试。电流等级、波形参数、压力均独立可调，功率循环周期为秒级，极限测试能力可达 300 ms，最高压力达220 kN，虚拟结温测量精度达±1°C，导通压降测量精度达±2mV。高温栅偏测试装备可实现漏电流和阈值电压的实时在线监测，最多可实现32个IGBT器件的同时测试。 4. 压接器件内部并联多芯片电流及结温测量方法及实现 高压大功率压接型IGBT器件内部芯片瞬态电流及结温测量是器件多物理量均衡调控及状态监测的基本手段，针对器件内部密闭封装以及密集分布邻近支路引起的干扰问题，提出了PCB罗氏线圈互电感的等效计算方法，实现了任意形状PCB罗氏线圈绕线结构设计，设计了针对器件电流测量的方形PCB罗氏线圈（如图5所示），实现临近芯片电流造成的测量误差小于1%；针对器件内部多芯片并联芯片结温测量，提出了压接型IGBT器件结温分布测量的时序温敏电参数法，通过各芯片栅极的时序单独控制（如图6所示），在各周期分别进行单颗IGBT芯片结温的测量，进而等效获得一个周期内各IGBT芯片的结温分布。在此基础上，完成了集成于高压大功率器件内部的多芯片并联电流测试PCB罗氏线圈以及时序温敏电参数测量驱动板的设计（如图7所示）。 5. 自主研制高压大功率电力电子器件 面向电力系统用高压大功率电力电子器件自主研制的需求，开展了芯片建模与筛选、芯片并联电流均衡调控、封装绝缘特性及电场建模以及器件多物理场调控等方面工作，相关成果支撑了国家电网公司全球能源互联网研究院有限公司3.3kV/1500A、3.3kV/3000A以及4.5kV/3000A硅基IGBT器件的自主研制，并通过柔直换流阀用器件的应用验证实验，同时也支撑了世界首个18kV 压接型SiC IGBT器件的自主研制。

应用范围 本发明大口径光学镜头可以采用现有胶片式航摄仪的高精度大口径镜头,配置本发明所述数字成像后背,使数字航摄仪满足航摄作业、处理等要求。