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一种集成加热部件的微型气敏传感器的制作工艺
本发明公开了一种集成加热部件的微型气敏传感器的制作工艺，步骤为：①在基底上匀胶和光刻显影，形成叉指形状的光刻胶图形； ②将基底在保护气氛下进行热解，形成玻碳叉指电极；③在玻碳叉指 电极上匀胶并光刻显影；④再次热解，得到具有气体敏感材料和加热 部件的叉指电极气敏传感器。本发明利用光刻和热解技术先制作完成 加热部件和气敏部分，不需要另外加上检测电路，以及另外旋涂敏感 材料。本工艺的特点是将气体敏感材料部分和加热器件集成为一体， 而且制作的工艺就是常规的光刻、热解等工艺，相对于现有的气敏传 感器的加热部件具有尺寸小，耗费能量小，制作简单的优点。
华中科技大学
2021-04-11
一种集成加热部件的微型气敏传感器的制作工艺
本发明公开了一种集成加热部件的微型气敏传感器的制作工艺，步骤为：①在基底上匀胶和光刻显影，形成叉指形状的光刻胶图形；②将基底在保护气氛下进行热解，形成玻碳叉指电极；③在玻碳叉指电极上匀胶并光刻显影；④再次热解，得到具有气体敏感材料和加热部件的叉指电极气敏传感器。本发明利用光刻和热解技术先制作完成加热部件和气敏部分，不需要另外加上检测电路，以及另外旋涂敏感材料。本工艺的特点是将气体敏感材料部分和加热器件集成为一体，而且制作的工艺就是常规的光刻、热解等工艺，相对于现有的气敏传感器的加热部件具有尺寸小，耗
华中科技大学
2021-04-14
一种用于光纤激光器的包层光剥离器及其制作方法
本发明公开了一种用于光纤激光器的包层光剥离器及其制作方 法，该剥离器包括包层光纤、多段光栅和冷却管套，其制作方法是在 裸露的光纤内包层外表面上涂覆折射率大于或等于内包层折射率的紫 外光刻胶，然后在紫外光刻胶上刻蚀多段光栅，通过多段光栅的衍射 将内包层内残余光剥离出来；将制作好的多段光栅套在金属管中，并 用密封套密封，该金属管壁铺满吸热材料，将剥离出的内包层光吸收， 通入流通的冷却水将产生的热量带走。本发明通过采用不同
华中科技大学
2021-04-14
一种用于光纤激光器的包层光剥离器及其制作方法
本发明公开了一种用于光纤激光器的包层光剥离器及其制作方 法，该剥离器包括包层光纤、多段光栅和冷却管套，其制作方法是在 裸露的光纤内包层外表面上涂覆折射率大于或等于内包层折射率的紫 外光刻胶，然后在紫外光刻胶上刻蚀多段光栅，通过多段光栅的衍射 将内包层内残余光剥离出来；将制作好的多段光栅套在金属管中，并 用密封套密封，该金属管壁铺满吸热材料，将剥离出的内包层光吸收， 通入流通的冷却水将产生的热量带走。本发明通过采用不同结构的光 栅来调整包层光的透过率,达到高效均匀剥离的目的，避免剥离器出现 过热点，保
华中科技大学
2021-04-14
制作高性能、低成本电池器件的目标而采用简式构型器件新思路
实现制作高性能、低成本电池器件的目标而采用简式构型器件新思路的系列研究，论文第一作者为程春课题组博士生黄毓岚。 课题组总结了传统钙钛矿太阳能电池（PSCs）在降低缺陷密度和优化能级方面的常用方法，以简化其结构。此外，课题组对不同的无电子传输层或者无空穴传输层PSCs的发展进行了分类和讨论，包括它们的工作原理、实现技术、尚存的挑战和未来的展望。
南方科技大学
2021-04-14
一种双膜电容式压力传感器及制作方法
本发明涉及压力传感器技术领域，特指一种双膜电容式压力传感器及制作方法，包括玻璃衬底，玻璃衬底中心位置上设有浅槽，浅槽中心位置设有浅槽通孔，浅槽通孔从浅槽底面延至玻璃衬底底面，浅槽上设有可测量低压差的电容C1与可测量高压差的电容C2，可测量低压差的电容C1包括底电极板与薄压力敏感膜，可测量高压差的电容C2包括厚压力敏感膜与顶电极板，浅槽通孔(71)与可测量低压差的电容C1对应设置，可测量低压差的电容C1与可测量高压差的电容C2对应设置。本发明采用变间距原理实现压力到电容的转换，可测量低压差的电容C1与可测量高压差的电容C2分别实现了微压段和高压段的高精度测量，不仅提高了压力测量精度，也提升了传感器的测量范围。
东南大学
2021-04-11
进展 | 电子系崔开宇在超光谱成像芯片方面取得重要进展，研制出国际首款实时超光谱成像芯片
清华大学电子工程系黄翊东教授团队崔开宇副教授带领学生在超光谱成像芯片方面取得重要进展，研制出国际首款实时超光谱成像芯片，相比已有光谱检测技术实现了从单点光谱仪到超光谱成像芯片的跨越。
清华大学
2022-05-30
东南大学毫米波CMOS芯片研发取得重大突破
由东南大学信息科学与工程学院尤肖虎教授、赵涤燹教授牵头，联合成都天锐星通科技有限公司、网络通信与安全紫金山实验室等单位完成的“Ka频段CMOS相控阵芯片与大规模集成阵列天线技术”项目成果通过了中国电子学会组织的现场鉴定。 由中国工程院邬贺铨院士、陈左宁院士、李国杰院士、吕跃广院士、丁文华院士以及来自中国移动、信通院、华为、中兴、大唐电信和国内5所高校的共15位专家组成的鉴定委员会对该项成果进行了现场鉴定并给予了高度评价，一致认为：该项目解决了硅基CMOS毫米波Ka频段相控阵芯片和天线走向大规模推广应用的核心技术瓶颈问题，成功研制了Ka频段CMOS相控阵芯片，并探索出了一套有效的毫米波大规模集成阵列天线低成本解决方案，多项关键技术属首创；在硅基CMOS毫米波技术路线取得重大突破，在大规模相控阵天线集成度方面国际领先；成果在5G/6G毫米波和宽带卫星通信等领域具有广阔的应用前景，在该领域“卡脖子”技术上取得关键突破，已在相关应用部门得以成功推广应用。 目前，用于射频芯片的40nm和28nm CMOS工艺特征频率已经超过250GHz，在理论上完全可以满足毫米波应用需求。毫米波硅基CMOS集成电路技术的突破，将带来无线通信行业的一次变革，解决相控阵系统“不是不想用，只是用不起”的问题，把毫米波芯片及大规模相控阵变成来一种极低成本的易耗品。相比锗硅工艺和化合物半导体工艺，CMOS工艺在成本、集成度和成品率上具有巨大优势，但其输出功率相对较低，器件本身寄生效应较大。项目组经过长达6年的技术探索与创新，克服了毫米波CMOS芯片技术的固有瓶颈问题，所研制的芯片噪声系数为3dB，发射通道效率达到15%，无需校准便可实现精确幅相调控；基于大规模相控阵的波束成形能力，克服了毫米波CMOS芯片输出功率受限的问题。
东南大学
2021-02-01
超低功耗、高可靠和强实时微控制器芯片
本项目重点研究面向物联网极低功耗微控制器关键技术，包括宽电压标准单元和片上存储器设计技术、工艺-电压-温度（PVT）偏差检测技术与自适应动态电压和频率调节技术、快速响应的宽负载高效率电源转换技术、低功耗高精度模数转换电路设计技术、极低功耗快速启动晶体振荡器技术；面向工业控制微控制器关键技术，包括高可靠处理器架构、低延时访问存储策略、纳秒级中断响应处理技术、容错型自纠错SRAM 设计技术、高精度时钟基准电路设计技术。
东南大学
2021-04-11
一种RFID读写器芯片中测系统及方法
本技术成果涉及集成电路测试技术领 域，公开了一种RFID读写器芯片中测系 统及方法
中山大学
2021-04-10