|
搜索
搜 索
高等教育领域数字化综合服务平台
光电探测量子芯片产业化
用于量子保密通信、近红外探测成像、高速量子光通信、激光雷达探测。 针对单光子探测需求，提取关键技术参数，通过多次半导体器件仿真优化，最终得到外延结构设计。结合 13 所 自主外延生长技术与精准的锌扩散方案，最终实现较为成功的 GM-APD 芯片。该芯片已经成功达到量子保密通信中单光子探测需求，并在安徽问天量子技术有限公司的产品中得到应用。
中国科学技术大学
2021-04-14
一种广谱成像探测芯片
本发明公开了一种广谱成像探测芯片。包括热辐射结构和光敏阵列。广谱入射光波进入热辐射结构后，在纳尖表面激励产生等离激元，驱动图形化金属膜中的自由电子向纳尖产生振荡性集聚，纳尖收集的自由电子与等离激元驱控下涌入的自由电子相叠合，产生压缩性脉动，使电子急剧升温并向周围空域发射主要成分为可见光的热电磁辐射，光敏阵列将热电磁辐射转换为电信号，经预处理后得到电子图像数据并输出。本发明能将广谱入射光波基于压缩在纳空间中的高温
华中科技大学
2021-04-14
一种多顶针芯片剥离装置
本发明公开了一种多顶针芯片剥离装置，包括多顶针主体机构， 安装于 Z 向升降机构上并连接旋转驱动机构，其包括中心顶针和外圈 顶针，外圈顶针先接触蓝膜上芯片的外缘实现预顶松，然后中心顶针 上升至外圈顶针等高并协作顶起芯片，完成芯片剥离；旋转驱动机构， 连接多顶针主体机构，用于先后驱动外圈顶针和中心顶针上升以完成 芯片顶起动作；Z 向升降机构，安装于三自由度微调对准机构上，停 机状态时其处于下降位置，工作状态其处于抬升位置，为顶起芯片做 好准备；三自由度微调对准机构，用于对多顶针主体机构进行 X、Y 和 Z 向的微调。本发明可实现顶针的快捷更换以及各顶针高度的方便 调节，芯片受力均匀，有效减少剥离过程中的芯片失效。
华中科技大学
2021-04-11
一种超薄芯片的制备方法
本发明公开了一种超薄芯片的制备方法，具体为：首先在硅晶圆表面光刻形成掩膜以暴露出需要减薄的区域，再采用刻蚀工艺对硅晶圆进行局部减薄，对减薄后的区域进行芯片后续工艺处理得到芯片，最后将芯片与硅晶圆分离。本发明只是部分减薄了硅片，所以硅晶圆的机械强度仍然可以支持硅片进行后续的加工工艺，相对于传统的利用支撑基底来减薄芯片的方法，简化了工艺流程，降低了工艺成本。另外由于不需要用机械研磨工艺来进行减薄，所以不会因为机械研磨对硅晶圆造成的轻微震动而使厚度不能减得过小，通过本发明可以使芯片减薄到比机械研磨方法更薄的程度。
华中科技大学
2021-04-11
通用实验技术实验桌
产品详细介绍台面：采用40mm机制橡木木板精制加工，桌面铺设透明橡胶防护垫，有防护网。
桌身：立柱采用40×40mm方钢烤漆骨架，配18mm优质三聚氰胺饰面板，对所有裸露截面均采用2mm厚优质PVC封边条，机械封边，设有工具柜。
其他同系列产品：
规格：1200×1200×780mm
规格：1200×800×780mm
规格：1200×600×780mm
江苏六鑫科教仪器设备有限公司
2021-08-23
仿生扑翼飞行器升力测试装置及其测试方法
（专利号：ZL 201410446620.8） 简介：本发明公开一种仿生扑翼飞行器升力测试装置及测试方法，属于扑翼飞行器技术领域。该发明主要包括连接轴、摆杆、斜杆、支架、大齿轮、小齿轮、立柱、底盘、传感器、发送器等；其中：连接轴、摆杆和立柱的轴线位于同一平面内，连接轴固定在摆杆的下端，摆杆的上端与斜杆下端铰接，斜杆上端与大齿轮固定联接，大齿轮由轴承支承在支架的立轴上，并与电机轴端的小齿轮保持啮合，支架、立柱和底盘连接形成固定机架，发送器安装在传感器的尾部。传感器测量摆杆相对于斜杆的角位移，由数学模型计算出对应的升力。本发明具有结构紧凑，占用空间小测量范围大，测量准确度高，测试时模型安装方便，操作简单等优点。
安徽工业大学
2021-04-11
混凝土气体渗透系数环形测试仪及其测试方法
本发明属于混凝土材料耐久性检测技术领域，具体涉及一种混凝土气体渗透系数环 形测试仪的设备及其测试方法。由盖板、外壳、流量计、密封圈、被测样品组成，盖板 位于外壳的顶部，被测样品位于外壳内，其外壁呈圆柱形，内部空心，横截面呈圆环状， 纵截面呈 U 字形，被测样品的顶、底部均设有密封垫，外壳一侧的进气口连接压缩气体 罐，盖板中心设有连接孔道，被测样品的内部空心部位通过该连接孔道连接流量仪。测 试时，将被测样品置于外壳内，开启压缩气体罐阀门，测试被测样品透气性能，保持被 测样品平衡时间为 10 分钟～20 分钟，每组被测样品重复 3～5 次，改变测试压力，重复 测试，测试透过被测样品的气体流量，求得被测样品渗透系数平均值，取 3～5 个被测 样品渗透系数平均值作为该组被测样品的测试值。本发明精确度高，试验的重演性好， 密封效果好，测试结果可靠，操作简便，设备小巧，便于携带。
同济大学
2021-04-13
全自动化电输运性质测试系统霍尔效应磁阻测试
产品特点：
可以进行霍尔效应、R-H特性、R-T特性和I-V特性的测量，可得出参数：方块电阻、电阻率、霍尔系数、霍尔迁移率、载流子浓度和导电类型，可绘制以上参数随温度或磁场的变化曲线，以及I-V特性——不同磁场和不同温度下的I-V特性曲线，R-H特性——固定温度，电阻随着磁场变化的特性曲线，R-T特性——固定磁场，电阻随着温度变化的特性曲线。
您也可以在淘宝网首页搜索“锦正茂科技”，就能看到我们的企业店铺，联系更加方便快速！
产品功能：
1·电阻率、霍尔系数及霍尔迁移率测试遵从美国材料与试验协会ASTM-F76标准
2·电阻测量范围宽：100nΩ（低电阻选件）～ 100GΩ（高阻系统）；
3·使用插入式样品卡，样品安装方便，同时提供四探针卡，免去制作电极的麻烦
4·标准系统一次可以同时测量2个样品，增加选件可同时测量4个样品；
5·测量和计算过程由软件自动执行，3分钟即可得到一个霍尔效应数据；
6·提供长时间高稳定性的磁场，24小时稳定性<±0.5G，并且磁场能够平滑过零
7·电磁铁电源内置高斯计，磁场从0到1kG只需20S即可控制在0.1G以内；
8·选择温度选件，可以进行不同温度下的霍尔效应和电阻的测量。
您也可以在淘宝网首页搜索“锦正茂科技”，就能看到我们的企业店铺，联系更加方便快速！
北京锦正茂科技有限公司
2022-03-05
全自动化电输运性质测试系统磁阻测试仪器
产品特点：
可以进行霍尔效应、R-H特性、R-T特性和I-V特性的测量，可得出参数：方块电阻、电阻率、霍尔系数、霍尔迁移率、载流子浓度和导电类型，可绘制以上参数随温度或磁场的变化曲线，以及I-V特性——不同磁场和不同温度下的I-V特性曲线，R-H特性——固定温度，电阻随着磁场变化的特性曲线，R-T特性——固定磁场，电阻随着温度变化的特性曲线。
您也可以在淘宝网首页搜索“锦正茂科技”，就能看到我们的企业店铺，联系更加方便快速！
全自动化电输运性质测试系统磁阻测试仪器
产品功能：
1·电阻率、霍尔系数及霍尔迁移率测试遵从美国材料与试验协会ASTM-F76标准
2·电阻测量范围宽：100nΩ（低电阻选件）～ 100GΩ（高阻系统）；
3·使用插入式样品卡，样品安装方便，同时提供四探针卡，免去制作电极的麻烦
4·标准系统一次可以同时测量2个样品，增加选件可同时测量4个样品；
5·测量和计算过程由软件自动执行，3分钟即可得到一个霍尔效应数据；
6·提供长时间高稳定性的磁场，24小时稳定性<±0.5G，并且磁场能够平滑过零
7·电磁铁电源内置高斯计，磁场从0到1kG只需20S即可控制在0.1G以内；
8·选择温度选件，可以进行不同温度下的霍尔效应和电阻的测量。
您也可以在淘宝网首页搜索“锦正茂科技”，就能看到我们的企业店铺，联系更加方便快速！
全自动化电输运性质测试系统磁阻测试仪器
北京锦正茂科技有限公司
2022-08-12
华北电力大学（保定）先进环境材料表征测试实验设备采购项目公开招标公告
华北电力大学（保定）先进环境材料表征测试实验设备采购项目招标项目的潜在投标人应在招标通电子招投标交易平台获取招标文件，并于2022年06月15日10点00分（北京时间）前递交投标文件。
华北电力大学（保定）
2022-05-27