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红外碳硫仪 1HW型
产品详细介绍  红外碳硫分析仪 1HW型 红外碳硫分析仪 是冶金与机械行业重要的分析仪器之一,可对钢、铁、合金、碳化合物、矿石、水泥、陶瓷、玻璃等固体材料中的碳和硫进行分析。我公司生产的1HW型红外碳硫分析仪是集光、机、电、计算机、分析技术等于一体的高新技术产品,具有测量范围宽、分析结果准确可靠等特点,屏幕显示的图、文及数据的采集、处理等都达到了目前国内先进水平,是诸多行业测定碳、硫两元素理想的分析设备。 红外碳硫分析仪  主要技术参数: 1、 测量范围:   碳:0.0001%-6.0000%(可扩至99.999%) 硫:0.0001%-0.3500%(可扩至99.999%) 2、 准确度及精密度: 准确度:  碳符合ISO9556-94标准 硫符合ISO4935-94标准 精密度:  符合国家计量检定规程JJG395-97标准 3、 分析时间:25-60秒可调,一般在35秒左右 4、 最小读数:0.00001% 5、 电子天平:称量范围:210g 读数精度:0.001g(可选配精度为0.0001g的电子天平) 红外碳硫分析仪  的结构: 本仪器共分五个部分:红外检测部分、高频感应加热部分、电脑、打印机、电子天平等,红外检测装置中有模块电源、电源插座、保险丝和主机板。另有双层屏蔽气体分析室,室内有碳测试室和硫测试室。 红外碳硫分析仪 红外检测原理 CO2、SO2等气体分子在红外光波段,具有选择性吸收谱图,当此特定波长的红外光通过CO2或SO2气体后,能产生强烈的光吸收,由于探测器是将光信号转换为电信号,当探测器工作在线性区域内,  当选定某一特定波长并且确定了分析池(吸收池)长度时,由测量光强能换算出混合气体中被测气体的浓度,这就是红外吸收法能定量测量气体浓度的基本原理。本仪器选定的测量波长:CO2为4.26um,SO2为7.4um。 更多有关红外碳硫仪资料信息可参考这个网站:http://www.nsfcn.com
南京第四分析仪器有限公司 2021-08-23
1HW型 红外碳硫仪
产品详细介绍  红外碳硫仪主要特点: 1.      品牌电脑,进口品牌电子天平等均保证了操作的稳定性和数据的可靠性。 2.      不需动力气体,化学试剂,只需使用氧气。 3.      全中文菜单操作,测试软件功能齐全,对任何操作人员均不存在障碍。 4.      拥有自我诊断和保护功能,出现错误自动报警,并可进行远程诊断。 5.      大功率高频电路设计,采用高频功率管,减轻高频燃烧系统的负载,提高使用寿命;可根据客户需求,任意设置碳吸收池、硫池吸收数量,保证了高碳、低碳、高硫、低硫测定的精密度和准确度。 红外碳硫仪主要技术参数: 1.      测量范围: 碳:0.00001%~99.9999% 硫:0.00001%~99.9999% 2.      测量时间:25~60秒可调 (一般在35秒) 3.      测量精度:符合国家计量检定规程JJG395-97标准 4.      测量准确度:碳:符合ISO9556~94标准 硫:符合ISO4935~94
南京第四分析仪器有限公司 2021-08-23
全不锈钢真空碳管炉
产品详细介绍 全不锈钢真空碳管炉  产品编号:898435416  ◎产品说明  设备特点:  本电炉为周期作业式,广泛用于功能陶瓷、光学材料、碳复合材料、硬质合金、粉末治金等高温下进行上海烧结处理,也可在充气保护下成型烧结。  技术参数:  1、型号:ZT-20-22   2、 额定功率:20KW   3、 额定温度:2200℃  4、仪表控温精度:正负1℃   5、控温方式:钨铼热电偶+红外衣  6、工作区尺寸:直径80x100mm   7、冷态极限真空度:5x10-3 Pa   8、压升率:2Pa/h   9、电源电压:380V 50Hz 单相  10、充气压力:<0.03Mpa(可充氮气、氩气)   11、发热元件:石墨管(高纯石墨)  结构组成与说明  1、炉体:采用双层水夹层结构,"内层为不锈钢(1Gr18N9Ti)抛光。上、下法兰组焊筒形结构,法兰平面开设封闭槽。采用“0”圈真空密封,并设有水冷装置(防止因温度过高“0”圈老化)。开设有抽气、热电偶、红外仪等。  2、炉盖:采用双层水夹层封头结构,设有观察窗,屏蔽锁紧、开启装置,并通水冷。  3、炉底:采用双层水夹层封头结构,设有电极引出装置,支撑平台等,并设有水冷装置。  4、炉架:山型钢及钢板组焊成箱式结构,炉体安装放在箱体内,美观大方。  5、真空系统:又一台K-100扩散泵配冷阱,一台2XZ-8D直联泵、手动高真空蝶阀、真空压力表(Pa)、充气阀、放气阀和真空管路等组成,扩散泵采用金属波纹软管快速接头联接(减缓震动),真空度的测量采用数显复合真空计。  6、控制系统PLC控制:控制系统是由我公司自行开发人机对话操软件,画面显示友好,操作简单,要以炉内工况进行实时监测,软件彩色模拟屏显示,加热升温显示及真空阀门的控制都集成到电脑上操作,现场也可以手动操作,需要电脑操作时,直联由232接口连接到笔记本电脑上启动软件,可检测到各种状态,也可通过485通讯连接到办公室操作,本设备可采纳温度、真空度曲线和烧结时间,方便用户根据历史曲线分析烧结工艺。控温方式为1300℃以下热电偶升温。1000℃-2200℃红外仪表自动控制。压力控制可采用手动及自动方式。控制系统上设有过流、超温及断水等分类报警功能。  7、气路系统:整个系统中设有1个j进气口、1个放气口、可冲气氛。  8、电气控制:采用各种管道阀等相关装置组成,具有断水声光报警自动切断电源能。 
上海晨鑫电炉有限公司 2021-08-23
超级电容器用三维中孔纳米笼状碳材料的一步法制备方法
(专利号:ZL 201410081879.7) 简介:本发明公开一种超级电容器用三维中孔纳米笼状碳材料的一步法制备方法,属于碳材料制备技术领域。该方法是以有机金属配位化合物为碳源和模板,氢氧化钾为活化剂,两者研磨混合后转移至陶瓷坩埚中,采用微波加热制得超级电容器用三维中孔纳米笼状碳材料。所得三维中孔纳米笼状碳材料的比表面积介于1041~1595m2/g之间,总孔孔容介于0.79~1.52cm3/g之间,平均孔径介于3.05~4.88nm之
安徽工业大学 2021-01-12
高效纳米金属催化剂控制合成高效合成生物质
在二氧化碳绿色溶剂中低温一步法实现纳米金属颗粒的控制性合成;2. 合成后直接得到大量的固体催化剂,无需高温高压,无需使用任何的有机或无机溶剂;3 . 生物质固体废物碳中性是可再生的低碳能源,实现生物质废物能源化的价值;4. 液体燃料高选择性(接近100%)高产率合成。
中山大学 2021-04-10
一种氢化铝锂基复合储氢材料及其制备方法
简介:本发明公开了一种氢化铝锂基复合储氢材料及其制备方法,属于储氢材料技术领域。该复合储氢材料是由氢化铝锂(或氢化铝锂与硼氢化锂的混合物)和20~30wt.%的工业固体废弃物(如粉煤灰或高炉矿渣粉)组成;其通过机械球磨氢化铝锂(或氢化铝锂与硼氢化锂的混合物)和工业固体废弃物混合粉末而获得。本发明利用工业固体废弃物来改善材料的储氢性能,原料来源广、成本低廉;所提供的氢化铝锂基复合储氢材料制备工艺简单,安全可靠,具有低的放氢温度和高的放氢量。
安徽工业大学 2021-04-11
双亲性辛烯基琥珀酸短直链淀粉纳米颗粒及其制备方法
本发明涉及一种双亲性辛烯基琥珀酸短直链淀粉纳米颗粒的制备工艺,步骤如下:(1)用普鲁兰酶酶解糊化淀粉乳,得到短直链淀粉;(2)配制短直链淀粉水溶液,糊化后加入相当于短直链淀粉干粉重25‑100%的辛烯基琥珀酸酐溶液,持续搅拌6‑10h,得到改性辛烯基琥珀酸短直链淀粉溶液;将辛烯基琥珀酸短直链淀粉制成1‑10mg/mL的溶液,37‑40℃下搅拌6‑10h,冷却至室温得到辛烯基琥珀酸短直链淀粉纳米颗粒溶液。本发明纳米颗粒粒径在5‑100nm之间,对组织的附着力强。可以包埋疏水的活性物质,装载率高,成本低,提高胃肠道对疏水活性成分的输送效率,提高其生物利用率。保护疏水活性成分,提高其稳定性,掩蔽不良风味的释放;并有效减少生物活性成分的添加量和毒副作用。
青岛农业大学 2021-04-13
一种纸基离子印迹复合材料、其制备方法及应用
本发明公开了一种纸基离子印迹复合材料、其制备方法及应用,属于新材料领域。利用可逆加成链转移聚合技术和纸材料可随意裁剪/折叠的优势,在纸材料表面修饰出链转移试剂二乙基二硫代氨基甲酸钠。随后,以醋酸镉为模板,甲基丙烯酸和 4-乙烯吡啶为功能单体,在紫外灯照射下在纸材料表面可控制备离子印迹聚合物,实现对镉离子的高选择性识别。纸基离子印迹复合材料具有成本低廉、绿色环保、操作简单、容易回收的特性,特别是其具备了良好的透光性和保水/亲水特性,可以直接作为光学检测池,实现重金属离子的快速、高通量检测。
华中科技大学 2021-04-14
一种生物基聚氨酯防腐涂料及其制备方法与应用
本发明属于防腐涂料技术领域,涉及一种生物基聚氨酯防腐涂料及其制备方法与应用。所述生物基聚氨酯防腐涂料包括甲组分和乙组分;甲组分包括如下组分:生物基多元醇,颜填料,第一增塑剂,改性高分子不饱和羧酸盐类分散剂,氟改性聚丙烯酸酯类流平剂,消泡剂,第一混合溶剂,其中,乙组分包括如下组分:聚丙二醇醚,聚醚丙三醇,第二增塑剂,二异氰酸酯,第二混合溶剂。本发明采用含有苯环刚性基团的生物基多元醇为原料结合制备工艺,显著提高生物基聚氨酯防腐涂料的附着力、耐盐雾性、断裂伸长率、耐5%H2SO4浸泡和贮存稳定性;并且二甲苯的用量降低,显著降低了VOC含量,环保。
南京工业大学 2021-01-12
硅基上III-V的直接外延及器件集成
采用光互连技术可以有效的解决集成电路进一步发展的尺寸限制同时可以极大的提高芯片间信息传输的速度和频率。Si基光子集成是实现集成电路光互联的核心技术和重要研究方向。然而,Si因为其间接带系的特性很难作为发光材料使得Si基光源的缺失成为制约Si基光子芯片的瓶颈,而传统Ⅲ-Ⅴ族材料如GaAs,InP等由于优良的光电转换效率已经在光电子器件领域得到广泛的应用。因此,Si基与Ⅲ-Ⅴ的集成是实现Si基光子芯片的一种理想途径。
南京大学 2021-04-14
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