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净化有机废气的金属氧化物混合物催化剂及其制备方法
该成果创造性地发明一种净化有机废气的金属氧化物混合物催化剂及其制备方法，催化剂载体是堇青石蜂窝陶瓷，用硝酸强化预处理以获得高比表面积，在载体上一次性负载铈镧锆混合氧化物改性的活性氧化铝与含多种金属氧化物混合物的活性组分。 与现有催化剂技术相比，该成果的催化剂制备工艺过程更为简单，硝酸强化预处理载体以增大比表面积，实现一次性负载活性氧化铝与活性组分，降低能耗。组成配方更经济可靠，活性成分为金属氧化物，不含贵金属，成本低；氧化铝涂层经铈镧锆改性，抗烧结和寿命更长。净化性能更优越，能彻底销
华南理工大学
2021-04-14
西安交大科研人员在中性水系有机液流电池领域取得新进展
西安交大前沿院何刚教授团队采用共轭扩展和水溶性修饰等手段，成功制备了一系列大共轭结构的二酰亚胺衍生物（NDI、PDI和TPDI），并将其作为有机负极电解液制备了高稳定性、双电子存储的中性水系有机液流电池。
西安交通大学
2023-02-02
有机太阳能电池n-型三元共聚物受体材料
工作首次将分子内硫∙∙∙氧非共价键(S∙∙∙O)作用引入到高分子受体中，提出了构建高性能高分子受体的新策略。该工作为调节全高分子有机太阳能电池光敏层形貌提供了新的思路和更为简单的方法，为发展高效、稳定的全高分子电池提供了材料和理论基础。
南方科技大学
2021-04-14
一种复合透明电极及包含此电极的有机太阳能电池
本发明公开了一种以超薄铝膜修饰的 AZO 复合透明电极及以此 透明电极制备的有机太阳能电池。在高真空下，采用薄膜沉积技术在 AZO 基底上沉积一层超薄铝膜，以此调节 AZO 导电玻璃的功函数， 使其成为收集电子的阴极。其中所述超薄铝膜的厚度大约在 0.5～5nm 之间。本发明使用 AZO 取代传统的导电玻璃 ITO，降低了器件的成本， 同时采用超薄铝膜电极修饰层，避免了使用复杂的电极修饰材料，工 艺相对简单，有利于实
华中科技大学
2021-04-14
纳米金簇在金属有机框架ZIF-8载体内外可控组装的研究
以ZIF-8为载体，基于金纳米簇表面硫醇配体中羧基与锌离子的配位相互作用，成功实现了Au25(SG)18纳米簇在ZIF-8主体框架内部和外表面的可控组装。合成的Au25(SG)18@ZIF-8和Au25(SG)18/ZIF-8催化剂具有与主体ZIF-8相当的热稳定性及孔结构；基于框架内外Au25(SG)18与ZIF-8 载体间主客体相互作用的不同，实现了金纳米簇发光性质的调控；在Au25(SG)18@ZIF-8 催化4-NP 还原反应中，ZIF-8 主体赋予Au 纳米簇独特的尺寸选择性。结合杂原子掺杂的金纳米簇Aun-xMx(SR)m (M= Pd, Pt, Ag,Cu)的多样性，以及大量氨基和羧基配位的MOF 载体，本项目发展的策略开辟了多功能MOF 基材料合成的新途径，在吸附、催化、生物成像以及传感等领域具有潜在的应用前景。
中山大学
2021-04-13
基于硅基微机械悬臂梁Ｔ型结直接加热式毫米波信号检测器
本发明的基于硅基微机械悬臂梁Ｔ型结直接加热式毫米波信号检测器，由悬臂梁耦合结构、Ｔ型结、直接加热式微波功率传感器和开关构成。悬臂梁耦合结构包括两组悬臂梁，每组悬臂梁由两个对称的悬臂梁构成，两个悬臂梁之间ＣＰＷ传输线的电长度在所测信号频率范围内的中心频率３５ＧＨｚ处为λ／４。功率通过第一直接加热式微波功率传感器进行检测；频率检测通过利用直接加热式微波功率传感器测量两路在中心频率处相位差为９０度的耦合信号的合成功率实现；相位检测通过将两路在中心频率处相位差为９０度的耦合信号，分别同两路等分后的参考信号合
东南大学
2021-04-14
硅基质表面油水浸润性光控可逆转换的 SiO2/TiO2复合涂层
本成果来自国家科技计划项目，获国家发明专利授权。该发明获得的光控油水浸润性可逆转换的SiO2/TiO2复合涂层在功能纳米界面材料研究领域具有重要意义。这项研究成果在基因传输、无损失液体输送、微流体、生物芯片、药物缓释、石油化工、建筑材料等领域具有极为广阔的应用前景。
西南交通大学
2016-06-24
DT640硅二极管温度传感器低温温度测量裸片温度计
DT640系列硅二极管温度传感器选用了专门适用于低温温度测量的硅二极管。相比普通硅二极管，具有重复性好、离散性小、精度更高温度范围更宽、低温下电压相对高而易于测量等特点。所有此款温度计都较好地遵循一个电压-温度（V-T）曲线，因而具有更好的可互换性。很多应用中都不需要单独的标定。
DT640-BC型裸片温度计，相比市场上的其它温度计，具有尺寸更小、热容更小、响应时间更短的特点。在尺寸、热容以及响应时间有特殊要求的应用中具有独特的优势。
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特点：
※ 激励电流小，因而具有很小的自热效应；
※ 符合标准曲线，具有良好的互换性；
※ 多种封装，不易损坏、耐温度冲击、易于安装；
※ 在宽温度范围1.4K-500K内，可提供较好的测量精度；
※ 遵循DT-640标准温度响应曲线；
※ 多种可选封装方式。
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参数：
※ 温度范围：3K~500K；
※ 标准曲线：DT640
※ 推荐激励电流：10µA±0.1%；
※ 可重复性：10mK@4.2K，16mK@77K，75mK@273K。
※ 反向电压高达：75V；
※ 损坏前电流高达：长时间200mA 或瞬间1A；
※ 推荐激励下的功率耗散：20µW@4.2K; 10µW@77K; 6µW@300K；
※ BC封装响应时间：10ms@4.2K, 100ms@77K, 200ms@305K；
※ 辐射影响：只推荐在低辐射场合下使用；
※ 磁场影响：不推荐在磁场环境下使用。
北京锦正茂科技有限公司
2022-01-21
DT640硅二极管温度计温度传感器低温测量仪器
北京锦正茂科技有限公司
2022-03-21
DT640硅二极管温度计温度传感器低温测量仪器
DT640系列硅二极管温度传感器选用了专门适用于低温温度测量的硅二极管。相比普通硅二极管，具有重复性好、离散性小、精度更高温度范围更宽、低温下电压相对高而易于测量等特点。所有此款温度计都较好地遵循一个电压-温度（V-T）曲线，因而具有更好的可互换性。很多应用中都不需要单独的标定。
DT640-BC型裸片温度计，相比市场上的其它温度计，具有尺寸更小、热容更小、响应时间更短的特点。在尺寸、热容以及响应时间有特殊要求的应用中具有独特的优势。
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特点：
※ 激励电流小，因而具有很小的自热效应；
※ 符合标准曲线，具有良好的互换性；
※ 多种封装，不易损坏、耐温度冲击、易于安装；
※ 在宽温度范围1.4K-500K内，可提供较好的测量精度；
※ 遵循DT-640标准温度响应曲线；
※ 多种可选封装方式。
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参数：
※ 温度范围：3K~500K；
※ 标准曲线：DT640
※ 推荐激励电流：10µA±0.1%；
※ 可重复性：10mK@4.2K，16mK@77K，75mK@273K。
※ 反向电压高达：75V；
※ 损坏前电流高达：长时间200mA 或瞬间1A；
※ 推荐激励下的功率耗散：20µW@4.2K; 10µW@77K; 6µW@300K；
※ BC封装响应时间：10ms@4.2K, 100ms@77K, 200ms@305K；
※ 辐射影响：只推荐在低辐射场合下使用；
※ 磁场影响：不推荐在磁场环境下使用。
北京锦正茂科技有限公司
2022-04-11