东南大学国际分子铁电科学与应用研究院暨江苏省“分子铁电科学与应用”重点实验室团队发现了具有七个物理通道开关的热致变色铁弹体。相关工作以题为“The First Chiral Thermochromic Ferroelastic with Seven Physical Channel Switches”的学术论文在化学领域顶级期刊《Angewandte Chemie International Edition》上发表。此外，该论文被选为VIP（Very Important Paper）。据悉，只有不到5%的已接收论文才能获得如此积极的评价。 在信息化时代，电子智能设备的信号处理和加密显得至关重要，具有多重物理通道双稳态开关特性的多功能材料成为后起之秀。众所周知，一把钥匙对应一个锁，假如我们将财产放进保险柜中，我们就又多了一层防护。类似地，每增加一个物理通道，就是增加一层保障。基于此，我们报道了首例具有七个物理通道的手性化合物，可以对信息进行七层加密处理，使信息安全更加可靠。 图1. (a) 消旋晶体结构中的无序的CTA阳离子和手性有序的S-CTA和R-CTA阳离子；(b) (R-CTA)2CuCl4和(c) (S-CTA)2CuCl4的晶体堆积图。 早在1999年，Wataru Fujita等人在《Science》上就已经报道了磁双稳态（Science1999, 286, 261–262）。在1,3,5-trithia-2,4,6-triazapentalenyl（TTTA）分子中观测到一个明显的磁双稳态回线发生在230 K到305 K温度范围内。它的高温相为顺磁相，低温相在二聚作用的影响下具有抗磁性。三年后，M. E. Itkis等人在《Science》上报道了在非那烯基中性自由基产物中发现了电、光、磁三个物理通道的双稳态特性（Science2002, 296, 1443–1445）。直到2014年，熊仁根教授团队在《Advanced Materials》上报道了高碘酸咪唑（IPI）化合物具有介电、压电、SHG和铁电和机电耦合等五个物理通道的双稳态（Adv. Mater.2014, 26, 4515–4520）。由此可见，每增加一个物理通道都面临着巨大的挑战，在分子铁电“似球-非球”原理和手性引入的指导下，我们利用手性配体进行合成，将手性开关引入其中，成功组装得到了(R-CTA)2CuCl4和(S-CTA)2CuCl4(CTA = 3-Chloro-2-hydroxypropyltrimethylammonium) （图1），这两个化合物在介电、电导、二阶非线性、压电、铁弹性，手性和热致变色这七个物理通道上具有开关特性。其中热致变色特征尤为耀眼，区别于传统的相变材料，这为双稳态开关提供了光谱加密的新灵感。 图2. (a) DSC曲线；(b) 介电，电导，压电和二阶非线性光学等多重双稳态示意图。 (Rac-CTA)2CuCl4，(R-CTA)2CuCl4和(S-CTA)2CuCl4的相变点分别在361, 417 和420 K附近(图2)，随着温度变化，相变温度以下的低温相和相变温度以上的高温相的介电常数、电导率、压电系数、SHG信号强度均呈现出可切换的两种稳定的状态。 图3. (S-CTA)2CuCl4和(R-CTA)2CuCl4晶体在293 K下的铁弹畴结构。 此外，这对手性化合物还具有铁弹性，铁弹相变往往伴随着铁弹畴的演化。在正交偏振光下，不同取向的铁弹畴具有不同的双折射特性，从而呈现出明暗不同的结构区域。(S-CTA)2CuCl4和(R-CTA)2CuCl4的晶态薄膜在室温下呈现出清晰的三角形铁弹性结构。当温度高于相变点时，铁弹畴迅速消失，呈现出立方对称的消光特性。在随后的冷却中，规则的铁弹畴又很快显现，表现出明显的开关特性。 图4.变温固体紫外-可见吸收光谱。 除了铁弹性外，这一对手性晶体还展示出可转换的热致变色的性质。室温下，(R-CTA)2CuCl4和(S-CTA)2CuCl4晶体对光的吸收均低于540 nm，与它们呈现的黄色外观一致。随着温度的升高，电子吸收带的吸收边缘发生红移。当温度超过相变点达到423 K时，吸收边移动到580 nm，这也与晶体受热变成橙色一致。利用热致变色特征对光谱加密和信号检测进行特定的处理，这为开发新型加密技术带来新的思路。 该工作由博士生陆思祺（第一作者）等人的共同努力下完成，东南大学为第一通讯单位。该成果得到“东南大学十大科学与技术问题”启动培育基金的资助。

产品详细介绍   10A 44Ω BX8D五路开关寿命测试负载变阻器 滑线变阻器（又叫滑动变阻器，同一种产品）   BX7D/BX8D系列滑线变阻器本产品适用于50Hz、380V以下，直流440V以下的电路中，在电气机械设计阶段中作变更电流、电压和作为代替未定阻值的可变电阻器应用，在实验室中作研究试验或教学演示用的电流、电压调节器，以及作为发电设备和直流电动机的励磁、调速电阻等之用。 本产品采用经过氧化绝缘处理的康铜丝，密绕于瓷管上，并固定于金属保护支架上，通过接触系统的导电电刷，在康铜丝表面移动，以达到改变阻值的大小。10A 44Ω BX8D五路开关寿命测试负载变阻器 其主要特点：1、选用优质黑色康铜材料,传统工艺，可靠性强。2、在连续工作状态下，温漂较小。3、阻值/电流连续可调，精度高。4、内部结构布局合理,操作简便实用。5、通过串并联的方法，可以任意组合，以适应电压、阻值等各种参数的要求，替换方便。         订货选型须知：BX7D手推式滑线变阻器/滑动变阻器                 BX8D 手摇式滑线变阻器/滑动变阻器   确定电流和阻值；具体规格型号表可询问销售人员，BX7D单管手推式滑线变阻器，也能做成单管手摇式的产品，具体可咨询。  10A 44Ω BX8D五路开关寿命测试负载变阻器  具体可咨询销售人员   以服务为基础！以质量为生存！以科技求发展！

1、 高分子材料专业人员，对高分子材料改性有工作经验的最好。2、 设备自动化或智能化面的专业人员，提高传统生产线的自动化和智能化水平，减少对人员的依赖性，提高设备的综合技术水平。

本发明公开了一种席夫碱类多功能荧光探针及其制备方法和应用，其结构式如下：所述荧光探针在体积比为50:1～60:1的二甲基亚砜?水溶剂体系中，利用荧光光谱去分别检测识别Fe3+与Hg2+，其优点是：对Fe3+和Hg2+的识别都有良好的选择性，抗干扰能力强，具有较好的传感性质，检测限低，检测灵敏度高；该探针分子在溶液中具有较强的荧光，加入Fe3+之后，溶液颜色由黄色变成无色；加入Hg2+后，溶液颜色由黄色变成淡黄色；同时加入Fe3+和Hg2+后，溶液颜色由黄色变为浅黄色；可达到裸眼识别的效果；所述荧光探针可以很好的应用于环境污染或生物体内铁离子及汞离子的检测。

研发阶段/n该发明涉及一种铕掺杂羟基磷灰石荧光纳米粒子的制备方法，其对沉淀法进行改进，通过添加生物相容的稳定剂结合超声分散技术得到稳定的铕掺杂HAP荧光纳米粒子悬浮液，并通过水热处理提高其结晶度进而改善其荧光性。包括有以下步骤：1）配置氯化钙和氯化铕的混合水溶液，控制Eu/(Ca+Eu)摩尔比为0.1-4%，配置磷酸氢二钠水溶液，室温下将磷酸氢二钠水溶液迅速倒入氯化钙和氯化铕的混合水溶液中，搅拌混合均匀，反应后，离心得到沉淀物，用去离子水冲洗后重新分散到去离子水中；2）加入稳定剂，高能超声探头超声分

一种席夫碱类多功能荧光探针及其制备方法与应用，该荧光探针的结构如式为（ｉｍｇ　ｆｉｌｅ＝＇ＤＤＡ０００１２１８９２１９５０００００１１．ＴＩＦ＇　ｗｉ＝＇１１２１＇　ｈｅ＝＇５１９＇　／）其制法为将对二甲氨基丙烯醛与二氨基马来腈溶于醇溶液中，配制成混合溶液，向该混合液中加入浓盐酸，在７０～８０℃反应５～７ｈ，沉淀过滤、洗涤后，经重结晶得到纯品，即可。优点为该荧光探针为席夫碱类化合物，具有亚胺键和氨基基团，对Ｃｕ２＋和ＰＯ４３?的识别均有优良的选择性，与其它常见金属离子或阴离子作用荧光信号基本没有变化

一种具有Aβ亲和力的荧光化合物及其用途，本发明涉及通式（I）表示的具有Aβ斑块亲和力的荧光化合物（n取1、2或3）以及含有该衍生物的组合物。本发明还涉及其制法和其在显像Aβ斑块的方法中的应用。

包括以下步骤：（1）加热改性沥青使之软化融熔，加热温度为 100～130℃；（2）将融熔的改性沥青在室温中自然稍冷却 5～10min；（3）将稍冷却后的改性沥青搅拌均匀并倒于圆柱形器皿中，沥青高于器皿口边缘处；（4）将装有沥青试样的圆柱形器皿水平放置于-25--30℃的环境中，放置时间 3-5h；（5）取出试样，观测试样表面是否平整；（6）将表面平整的试样器皿在室温中水平放置 2h，自然脱水后进行图片拍摄；将表面不平整的试样器皿用小刀将表面刮平，使之具有良好的平整度，放回-25--30℃的环境中继续

本发明公开了一种氰根离子的荧光指示材料，该氰根离子荧光指示材料为稀土铽离子与2，2’?联吡啶以及配体分子通过分子自组装反应形成的金属有机框架材料，该荧光指示材料利用π共轭介导荧光增强的新原理检测溶液中的氰根离子浓度。本发明还公开了上述氰根离子荧光指示材料的制备方法和应用。本发明氰根离子荧光指示材料能特异性、快速荧光显示溶液中的氰根离子浓度，使用简便，

本发明公开了一种用于荧光粉涂覆的装置及其涂覆方法，其属于 LED 封装领域。装置包括基板、支撑块以及荧光粉胶涂覆板，基板呈平板状，支撑块用于将荧光粉胶涂覆板支撑在基板上，支撑块与荧光粉胶涂覆板相接触的端部的总面积为 S1，荧光粉胶涂覆板与支撑块相接触的面的总面积为 S2，S1：S2≤0.9。荧光粉胶涂覆板与基板平行或者不平行，两者相距的最小高度为 0.1mm。荧光粉胶涂覆板呈薄片状，该薄片状的厚度为 0.01mm～1mm，荧光粉胶涂覆板的涂胶面印刷有电路。本发明的还公开了利用上述装置进行涂覆的方法。本发明装置可使阵列芯片封装时获得半球状或者球缺状的荧光粉胶形貌。