> 高透光率，专业用于荧光定量PCR实验。 > 易粘贴，密封性能好，蒸发率低。

特点： 1、样本容量96孔×0.2ml； 2、2通道荧光检测系统； 3、LED光源，支持常用的荧光染料、荧光基团； 4、制冷型CCD" 5、同一时刻采集荧光信号； 6、基于Linux的操作系统，配备A8处理器； 7、封闭样品座设计，能有效避免样品挥发； 8 、加热冷却方式采用半导体技术； 9、升降温速度快，大大节省用户的时间； 10、全中文向导式操作界面，直观、清晰、功能； 11、涵盖多种分析模式：相对/绝对定量、终点法等位基因鉴定、高分辨率溶解曲线等； 12、内置统计分析工具和自定义公式编辑工具，数据无需导出，直接在仪器软件中分析完成

产品详细介绍PM8200D系列溶解氧控制器可根据现场实际情况进行电极的选择，既可选择先进免于维护、抗干扰强且反应快的荧光法溶解氧传感器，亦可选择性价比更高的极谱法溶解氧传感器。 应用：在线溶解氧测量仪 荧光法溶解氧分析仪 溶解氧分析仪  荧光法溶氧测量仪污水处理、发电、养殖、学校、制药厂、医院、发酵、化工、自来水等。 产品简介：在线溶解氧测量仪 荧光法溶解氧分析仪 溶解氧分析仪 荧光法溶氧测量仪●  全部采用进口芯片及元器件及全新的表贴生产工艺，确保仪器工作稳定可靠；●  采用防水防气全密封型外壳，更能在非常恶劣的环境状况中使用，防护等级达IP65；●  大屏幕背光液晶显示，DO值、温度、时间及继电器状态各项参数一目了然；●  独特的2路4～20 mA电流输出， RS485 MODBUS RTU协议，方便电脑远端进行监测与通讯；●   一路多功能继电器，具有清洗，周期报警，错误报警等功能；●  独特的历史曲线功能，能记录60万数据并有查询功能。●  独特的中英文操作菜单，为使用者带来了及大的方便，用户不看说明书也可使用自如。●  无按键操作三分钟背光自动关闭既节电又能延长使用寿命；屏幕对比度等级可调。 技术参数：在线溶解氧测量仪 荧光法溶解氧分析仪 在线溶解氧测定仪 荧光法溶氧测量仪 型号PM8200DPM8200MD测量范围0.00~20.00ppm或 0-200%饱和度0.0~200ppb分辨率0.01ppm0.1ppb精度±0.01ppm±0.1ppb温度补偿-10~130℃手动/自动；(NTC10K/PT1000)工作条件0~70.0℃储存温度-20~70.0℃显示带背光超大点阵LCD语言中英文菜单可选存储60万条数据电源90-260VAC,50/60Hz；24VDC可选防护等级IP65通讯功能RS485通讯，兼容标准MODBUS-RTU协议变送输出2路隔离变送4-20mA输出，最大环路500Ω，0.1%F.S清洗输出清洗间隔：0.1-1000h可调，清洗时间：1-1000s可调安装方式壁挂式、杆式、面板式安装尺寸144 x 144 x 106mm安装开孔尺寸138 x 138 mm重量0.86kg 电极参数：在线溶解氧测量仪 荧光法溶解氧分析仪  在线溶解氧测定仪 荧光法溶氧测量仪型号Bsens410Bsens420Bsens430Bsens440测量范围0.00-20.00ppm0.00-20.00ppm0.00-20.00ppm0 - 200ppb测量原理荧光法极谱式极谱式极谱式分辨率0.01ppm0.01ppm0.01ppm0.1ppb精度±0.1ppm±0.2ppm±0.2ppm±0.2ppb电极材质316L不锈钢PPS,金/银电极316L不锈钢316L不锈钢工作温度-10～60℃0～60℃消毒:0-130℃，測量:0-80℃0～60℃最大耐压5bar4bar6bar4bar防水等级IP68IP68IP68IP68电缆长度10m5m5m5m应用污水处理、地表水、养殖、海水检测等场合污水处理、地表水、养殖、海水检测等场合生物工程，制药，酿酒等发酵领域和特殊化学高温过程火力电厂，电站除盐水，锅炉给水等微量氧含量的场所

氧化铁黑是一种带有磁性的黑色颜料，由于性能优异，应用广泛，且深受商家的重视。在我国，此种产品研究和生产使用的历史较短，随着现代化科学技术的发展，现代化办公用品的不断更新，使带磁性的黑色印刷，复印材料的迫切需要，使氧化铁黑等黑色磁性颜料的开发研究及应用备受重视，研究和生产的商家看到这一不可多得的商机，纷纷上马。由于新产品的技术含量较高，致使较多的生产厂家质量或生产成本存在一定的缺陷，以致该产品上不去，产品市场供应较紧缺。 氧化铁黑产品是黑色或黑红色粉末，具有磁性，相对密度为5.18，熔点为1594℃。不溶于水及醇，但溶于浓盐酸，耐光，耐候性良好，着色力和遮盖力都很高，在有机溶剂中十分稳定，耐碱性良好，但颗粒易被氧化变成红色的氧化铁，在200－300℃时灼烧则易形成γ－Fe2O3。

以酶类结构的金属卟啉为催化剂，模仿生物氧化历程，突破温和条件下高效、专一活化氧气的技术难 题，实现高附加值含氧有机化物的合成，并致力于实现该技术的工业应用，填补国内外技术空白，从本质 上解决化工领域氧化过程的安全隐患。

近日，清华大学化学系王定胜教授、李亚栋院士领导的课题组在甲酸电氧化领域取得突破，相关工作以“负载在氮掺杂碳上的单原子Rh：一种甲酸氧化的电催化剂”（Single-atom Rh/N-doped carbon electrocatalyst for formic acid oxidation）为题在《自然·纳米技术》（Nature Nanotechnology）发表。 燃料电池是一种理想的能量来源，它可以以环境友好的方式将化学能转换为电能。氢氧燃料电池作为航空飞船的主要燃料，在上世纪80年代就已经得到了发展，近年来氢氧燃料电池在汽车上的应用也有了突飞猛进的提高。然而氢氧燃料电池需要用体积大且危险的高压氢气作为其燃料，这限制了氢氧燃料电池的发展。而直接甲酸燃料电池(DFAFCs)由于其体积小，毒性小，nafion@膜的穿透率低等优点，被认为是未来便携式电子设备最有前途的电源之一。在之前的研究中，负载型纳米级钯和铂通常被认为是DFAFCs的阳极反应甲酸电氧化（FOR）中最有效的催化剂，并得到了深入的研究。然而，由于FOR催化剂质量活性较低和一氧化碳抗毒性较差， DFAFCs阳极材料的发展达到了一个瓶颈，极大地阻碍了其应用。 SA-Rh/CN的合成路径示意图及其表征 在本工作中，研究人员使用主-客体合成策略成功地合成负载原子分散Rh的氮掺杂碳催化剂(SA-Rh/CN)，发现尽管Rh纳米颗粒对甲酸氧化活性很低，但是SA-Rh/CN却具有极好的电催化性能。与最先进的催化剂Pd/C和Pt/C相比，SA-Rh/CN的质量活性分别提高了28倍和67倍。有趣的是，在CO剥离实验中，我们发现虽然纳米级Rh催化剂对CO毒性十分敏感，但是SA-Rh/CN很难吸附CO并且可以在很低的电压下氧化CO，这说明SA-Rh/CN对CO毒化几乎免疫。经过长期反应的测试后，SA-Rh/CN中的Rh原子具有抗烧结的能力，并因此在30000s的CA测试或者20000圈ADT测试后活性几乎没有改变。在组装电池的实验中，SA-Rh/CN的质量比能量密度在不同温度下分别是商业钯碳催化剂的8.8倍（30oC），14.8倍（60oC）和14.1倍（80oC）,这也说明了SA-Rh/CN在DFAFCs的应用中具有很高的潜力。最后，研究者用密度泛函理论（DFT）计算了Rh单原子甲酸氧化的机理。研究者发现在SA-Rh/CN上，甲酸根路线更为有利。和Rh纳米颗粒具有较低的CO吸附能垒不一样，SA-Rh/CN上的Rh单原子吸附CO能垒较高，以及与CO的相对不利的结合，使SA-Rh/CN具有极高的CO抗毒性。 这一发现将传统的甲酸电氧化催化剂的质量比活性提高了一个数量级，并且很好地解决了传统纳米催化剂的CO毒化问题。该发现有助于在燃料电池领域取得突破，并有望应用于便携式电子设备上。 本论文的通讯作者是王定胜教授、李亚栋院士，清华大学博士后熊禹是本文的第一作者。本研究受到国家自然科学基金委和科技部的经费资助。 论文链接： https://www.nature.com/articles/s41565-020-0665-x

氧化镓衬底晶片● 大功率高能半导体器件：电磁轨道炮、舰载电磁弹射系统等● 日盲探测类：大火监测、雷达预警、近地空间通讯器件等● 高功率LED器件：高亮度、超大功率、科研考察探测设备等● 特高压输电、城市轨道及交通功率器件

宽禁带半导体碳化硅(SiC)材料是第三代半导体的典型代表之一，具有宽带隙、高饱和电子漂移速度、高临界击穿电场、高热导率等突出优点，能满足下一代电力电子装备对功率器件更大功率、更小体积和更恶劣条件下工作的要求，正逐步应用于混合动力车辆、电动汽车、太阳能发电、列车牵引设备、高压直流输电设备以及舰艇、飞机等军事设备的功率电子系统领域。与传统硅功率器件相比，目前已实用化的SiC功率模块可降低功耗50%以上，从而减少甚至取消冷却系统，大幅度降低系统体积和重量，因此SiC功率器件也被誉为带动“新能源革命”的“绿色能源”器件。 本团队在SiC功率器件击穿机理、SiC功率器件结终端技术、SiC新型器件结构、器件理论研究和器件研制等方面具有丰富经验，能够提供完整的大功率SiC电力电子器件的设计与研制方案。目前基于国内工艺平台制作出1600V/2A-2500V/1A的SiC DMOS晶体管（图1，有源区面积0.9mm2）；4000V/30A的SiC PiN二极管（图2）；击穿电压>5000V的SiC JBS二极管（图3）。 a b c 图1 1.6-2.5kV SiC DMOS器件：(a)晶圆照片(b)正向IV测试曲线(c)反向击穿电压测试曲线 a b c 图2 4kV/30A SiC PiN器件：(a)晶圆照片(b)正向导通测试曲线(c)反向击穿电压测试曲线 a b c 图3 5kV SiC JBS器件：(a)显微照片(b)正向导通测试曲线(c)反向击穿电压测试曲线

本团队在SiC功率器件击穿机理、SiC功率器件结终端技术、SiC新型器件结构、器件理论研究和器件研制等方面具有丰富经验，能够提供完整的大功率SiC电力电子器件的设计与研制方案。