产品详细介绍LVDT 测微仪是适用于多种测量范围的高精度微位移检测仪器，可以独立实现纳米级微位移检测， 广泛应用于各种需要动，静态微位移检测的领域，具有性能优越，测量精度高，价格低等优点。应用特点:测量精度高稳定性好荧光数码管显示，薄膜按键，操作简便具有模拟信号输出，可用于实时检测具有 RS232 通讯接口，可向上位机传输数据回弹式LVDT传感器：主要优点是使用方便灵活

产品详细介绍产品名称:  MS系列Dwyer微压差变送器 产品型号:  MS-111,MS-121,MS-321                                 可测量差压和风速，可带现场液晶显示 特性：量程小，现场可调公制英制2种范围,可监测压差或风速 介质： 空气和非可燃性兼容气体 精度： MS-X21: 0.5" w.c. 和0.25" w.c.: ±1%； 0.1" w.c.: ±2%； 100 Pa 和 50 Pa: ±1%； 25 Pa: ±2%. MS-X11: 5" w.c.和 2" w.c.: ±1%； 1" w.c.: ±2%； 1000 Pa 和 500 Pa: ±1%； 200 Pa: ±2% (@标准条件下) 稳定性： ±1% F.S./年 温度限制： 0~150°F (-18~66°C) 压力限制： 1 psi最大, 可选; 10 psi,脉冲压力 电源： 10~35 VDC (2-线); 17~36 VDC 或隔离的 21.6 ~33 VAC (3-线) 输出： 4~20 mA (2-线); 0~10 V (3-线) 反应时间： 0.5 ~15 sec. 现场连续可调. 提供1.5 to 45 seconds 的95%的反应时间 零偏和满偏： 数字按键 环路阻抗： 电流输出: 0-1250 最大. 电压输出: 最小负载阻抗 1 k 电流消耗： 40 mA 最大 显示 (可选)： 4 位LCD 电气连接： 4-20 mA, 2-线: 欧式端子 16~ 26 AWG. 0-10 V, 3-线: 欧式端子16~ 22 AWG 气压连接： 3/16" (5 mm) 内径管子. 最大外径 9 mm 封装： NEMA 4X (IP66) 安装方向： 膜盒垂直位置 重量： 8.0 oz (230 g) 认证：CE   选型表: 型号 输出 范围 安装方式  MS-121 4-20 mA 0.1", 0.25", 0.5" w.c. (25, 50, 100 Pa) 挂墙或盘装  MS-122 4-20 mA 0.1", 0.25", 0.5" w.c. (25, 50, 100 Pa) 管道  MS-321 0-10 V 0.1", 0.25", 0.5" w.c. (25, 50, 100 Pa) 挂墙或盘装  MS-322 0-10 V 0.1", 0.25", 0.5" w.c. (25, 50, 100 Pa) 管道  MS-111 4-20 mA 1", 2", 5" w.c. (250, 500, 1250 Pa) 挂墙或盘装  MS-112 4-20 mA 1", 2", 5" w.c. (250, 500, 1250 Pa) 管道  MS-311 0-10 V 1", 2", 5" w.c. (250, 500, 1250 Pa) 挂墙或盘装  MS-312 0-10 V 1", 2", 5" w.c. (250, 500, 1250 Pa) 管道  MS-131 4-20 mA 10" w.c. (2 kPa) 挂墙或盘装  MS-331 0-10 V 10" w.c. (2 kPa) 挂墙或盘装  MS-141 4-20 mA 15" w.c. (3 kPa) 挂墙或盘装  MS-341 0-10 V 15" w.c. (3 kPa) 挂墙或盘装  MS-151 4-20 mA 25" w.c. (5 kPa) 挂墙或盘装  MS-351 0-10 V 25" w.c. (5 kPa) 挂墙或盘装  MS-021 4-20 mA ±0.1", 0.25", 0.5" w.c. (±25, 50, 100 Pa) 挂墙或盘装  MS-221 0-10 V ±0.1", 0.25", 0.5" w.c. (±25, 50, 100 Pa) 挂墙或盘装 注: -LCD:带LCD显示 -XX-XX2:将型号最后一个数字改为2,管道安装方式

公司主营业务为第三代化合物半导体材料，当前产品为 6 寸碳化硅晶体、衬底，未来可拓展至设备和外延技术领先。公司创始人在碳化硅行业有15年以上经验，曾任国际知名碳化硅衬底企业Norstel高级研发工程师，回国后任世纪金光研发副总，获得北京市特聘专家等荣誉，担任国家01专项6寸碳化硅衬底项目负责人，研发出6寸衬底，具备丰富的长晶和设备经验，是国内为数不多的几个掌握碳化硅技术的人员之一。碳化硅半导体材料行业前景广阔，国内碳化硅材料处于起步阶段，落后于国外，能量产的企业很少，6寸衬底都还没实现量产，有技术的新企业仍然有机会。公司团队技术领先，研发出6寸衬底，创始人在行业内知名度高，行业人脉丰富，下游多家器件厂商愿意采购产品形成战略合作，具备量产6寸衬底能力。点击上方按钮联系科转云平台进行沟通对接！

本发明涉及一种硼化锆-碳化硅超细复合粉体及其制备方法。其技术方案是：先将64——85wt%的卤化物粉、4——15wt%的氧化锆粉、2——5wt%的氧化硅粉、2——6wt%的氧化硼粉、0.3——1.1wt%的炭粉和6——10wt%的镁粉混合均匀，机压成型；再将成型后的坯体置于电炉中，在氩气气氛和升温速率为2——8℃/min的条件下升温至1000——1250℃，保温2——6小时，将烧成后的坯体用蒸馏水洗涤，然后放入浓度为1.0——4.0mol/L的盐酸中浸泡3——8小时，过滤，用去离子水清洗，在80℃条件下干燥11——24小时，粉碎，即得硼化锆-碳化硅超细复合粉体。本发明具有反应温度低、反应时间短、过程易于控制、工艺简单、产率高的特点；其制品分散性好、颗粒团聚小、成分均匀、纯度高和产业化前景大。 （注：本项目发布于2014年）

本书共11章,第1章阐明了研究背景与意义,国内外研究现状,研究对象概况,三维建模技术方法;第2~6章分别介绍了海清寺的阿育王塔,万年宝鼎,关圣帝君像,浮雕长廊三维建模的技术方法;第7~9章分别介绍了淮海工学院苍梧校区的欣园亭,化工工程学院实验楼,测绘工程学院集中办公区三维建模的技术方法;第10~11章分别介绍了石灰岩矿与地质灾害体的三维建模与应用技术方法.

本发明公开了一种用于 RFID 标签生产的点胶控制设备，包括 XYZ 三轴运动单元、针筒单元、图像采集单元、设备控制单元以及气 路调整单元，其中通过对点胶前后的点胶位置、胶滴固化前后的形状尺寸、针筒内部的压力和温度、点胶高度等予以检测，并相应执行闭 环控制处理，能够在对点胶压力和点胶时间等关键工艺参数进行控制 的同时，使得点胶位置和胶滴的最终形状尺寸满足工艺要求。通过本 发明，能够对 RFID 标签的整个封装过程执行快速、精确和全面的质 量控制，同时具备结构紧凑、便于操控和适应性强等特点，因而适于 各类 RFID 标签的高质量生产过程。 

本发明公开了一种蔬菜嫁接生长点柔性去除装置。本发明包括顶出机构、背板、从动机构、生长点柔性去除手指、滑动销钉、连杆、顶出机构固定螺钉、主动齿轮、从动齿轮、驱动电机和电机固定螺钉。顶出机构通过螺钉固定于背板上，主动齿轮和从动齿轮固定于背板上，主动齿轮通过电机驱动。连杆一端与从动齿轮连接，另一端与生长点柔性去除手指连接。生长点柔性去除手指通过两滑动销钉与背板活动连接。本发明实现了嫁接过程中砧木生长点柔性去除，避免了砧木子叶在生长点去除过程中被损坏，克服了操作劳动强度大、生产率低等问题。

本发明公开了一种用于 RFID 标签生产的点胶控制设备，包括XYZ 三轴运动单元、针筒单元、图像采集单元、设备控制单元以及气路调整单元，其中通过对点胶前后的点胶位置、胶滴固化前后的形状尺寸、针筒内部的压力和温度、点胶高度等予以检测，并相应执行闭环控制处理，能够在对点胶压力和点胶时间等关键工艺参数进行控制的同时，使得点胶位置和胶滴的最终形状尺寸满足工艺要求。通过本发明，能够对 RFID 标签的整个封装过程执行快速、精确和全面的质量控制，同时具备结构紧凑、便于操控和适应性强等特点，因而适于各类 RFID

本发明公开了一种基于机器视觉的点胶质量检测方法，包括以下步骤：首先，获取点胶操作前和后的焊盘图像；其次，利用图像处理算法处理两张图像，去除背景的干扰后提取出胶滴的图像；再次，利用 Blob 分析算法求取胶滴的点胶参数，包括胶滴面积、中心点坐标以及形状因子；最后，根据点胶质量评价模型来求取胶滴的点胶质量。通过将胶滴的点胶质量与阈值相比较，确定点胶质量是否合格。本发明方法可以有效地应用到具有复杂背景图像、高速高频点胶过程的点胶一致性检测以及点胶质量检测中。