本发明公开了一种金属软磁复合材料的高热稳定性绝缘包覆处理方法。它包括如下步骤：1）将金属磁粉过筛进行粒度配比；2）利用溶胶凝胶法对配好的金属磁粉进行绝缘包覆后干燥；3）将干燥后的磁粉与粘结剂混合均匀，加入脱模剂干压成型，将其压制成磁环；4）将磁环于保护气氛中保温0.5~2h，空冷，喷涂，得到目标产物。本发明采用溶胶凝胶法制备的复合粉末包覆均匀、致密，包覆层厚度可控，具有高的热稳定性、高的电阻率以及高的饱和磁化强度，具有优良的磁性能和力学性能；采用溶胶凝胶法在金属磁粉表面均匀包覆一层Al2O3绝缘层，包覆效果优于现有方法，且可操作性强，便于批量生产；大幅降低软磁复合材料的磁芯损耗。

本发明公开了一种针对包括斜锥台型阀板的专用夹具、激光熔 覆装置以及相应的激光熔覆方法，属于半导体激光器激光熔覆领域； 现有技术中阀板夹具在进行激光熔覆过程中，由于阀板的斜锥台型， 熔覆不均匀，有些部位不能得到熔覆；本发明提供的专用夹具包括侧 壁和底面，侧壁为圆筒形，所述底面为椭圆，所述底面与所述侧壁呈 一定角度，所述角度等于所述阀板斜锥台型中心轴与所述阀板平面法 线之间的夹角；对于斜锥台型阀板的熔覆，粉料堆积更均匀，

层析聚酰胺    聚酰胺是由酰胺键聚合形成的高分子化合物。其酰胺基可与羟基酚类,酸类,醌类，硝基等化合物以氢键形成结合而被吸附 ，其脂肪长链可作为分配层析的载体。聚酰胺在含水系统中层析时，聚酰胺作为非极性固定相，其层析行为反向柱层析;在非水溶剂系统时，聚酰胺作为分配层析的载体，其层析行为为正向柱层析。 技术指标: 分子量:14000-17000 比表面积:5-10㎡/g PH 值:4-7.5 粒度:14-30目;30-60目;60-80目；60-100目;80-120目 80-100目100-200目 溶 解 度:溶于浓盐酸，甲酸，微溶于醋酸，苯酚等溶剂，不溶于水，甲醇，乙醇，丙酮，乙醚，氯仿和苯等常用有机溶剂，对碱较稳定，对酸的稳定性较差，尤其是无机酸，在温度高时更敏感。 主要用途: 聚酰胺特别适用于多元酚类化合物的分离，如大麻二酚(CBD)、黄酮类、醌类、酚酸类、含羟基化合物、羧基化合物等。由于其对鞣质吸附强，也可用于将植物粗提物中的鞣质除去。

一种负电性蓝绿色荧光材料，是由四苯乙烯四苄溴和磺化杯[4]芳烃交联而成的一种无规聚合物，其构筑基元为四苯乙烯‑磺化杯[4]芳烃聚合物。本发明的目的是针对上述技术分析和存在问题，提供一种负电性蓝绿色荧光材料的制备方法及其应用，该负电性蓝绿色荧光材料对于4-(4-(二甲基氨基)苯乙烯)-N-甲基吡啶鎓碘盐分子有着极佳的吸附性能、四苯乙烯-磺化杯[4]芳烃聚合物不仅能限制4-(4-(二甲基氨基)苯乙烯)-N-甲基吡啶阳离子的分子内扭转并且可以和其发生高效的固态荧光共振能量传递，随着被吸附4-(4-(二甲基氨基)苯乙烯)-N-甲基吡啶阳离子的量的改变，在365nm紫外光照射条件下，荧光颜色由蓝绿色渐变为黄色至橙红色。

本发明公开了表面包硅的近红外荧光磁性纳米复合粒子及其制备方法和应用，属于 纳米技术与生物医学的交叉领域。本发明是在微乳体系中，将磁性纳米粒子与近红外荧 光量子点纳米粒子或近红外荧光有机染料分子一起包埋到二氧化硅粒子中，形成表面包 硅的近红外荧光磁性纳米复合粒子，这种纳米复合粒子中还可以结合抗癌药物以及具有 靶向识别功能的抗体、配体、多肽、细胞因子等多种生物分子。本发明通过纳米粒子的 磁学性质、量子尺寸效应、光的热效应以及抗癌药物的药效作用和生物分子的识别功能， 将制备的纳米复合粒子用于肿瘤的治疗中，在医学领域具有广阔的应用前景。

一种纳米技术与生物医学的交叉领域的荧光光谱可调的量子点纳米复合粒子的制备 方法，在油包水型微乳体系中，将两种或两种以上荧光颜色可区分的量子点纳米粒子同 时包埋到二氧化硅纳米粒子中，形成一种粒度在１０～１００ｎｍ之间的荧光光谱可调 的量子点纳米复合粒子，通过改变不同荧光颜色的量子点的种类和比例，来调整量子点 纳米复合粒子的荧光峰的位置和强度。本发明可以方便地对任何荧光颜色的量子点进行 任意组合并能同时全部包埋到粒度均匀且小于１００ｎｍ的二氧化硅球形粒子中，可以 得到数量庞大的具有不同荧光特征的量子点纳米复合粒子。本发明所获得的量子点纳米 复合粒子，可以作为一种生物荧光探针应用于生物医学的多方面领域。 

核苷是 DNA 或 RNA 的组成部分，荧光识别在核酸的研究中被广泛应用于荧光光谱法检测，其作为荧光探针的特性取决于可靠性和灵敏度。研究开发制备毒性低、量子产率高及灵敏度高的核苷类作为荧光探针的良好骨架，经过结构修饰的荧光核苷类似物不仅具备良好的发射性，还对周围微环境变化非常敏感。其结构与天然核苷极为相似，具有很好的生物兼容性，插入核酸序列后可代替天然核苷发挥正常的生物功能。

本成果以水溶性丙烯酸酯树脂为基体制备特种胶黏剂，胶黏剂可与水任意比例混合，VOC含量低，无刺激性气味。胶黏剂在基材表面干燥后，室温状态下为无色透明薄膜，在一定温度下软化并具有一定粘结性，继续升温并保持一段时间后可以形成热固性树脂，具有较高的粘结强度。本成果已经通过中试试验，产品质量稳定，具有进行大规模生产的前景和能力。

目前半导体光刻加工用的深紫外光刻胶都采用化学增幅体系，这种体系主要由含酸敏基团的成膜材料和光产酸剂组成，这种体系最大的问题是光产酸在后烘阶段会发生酸迁移，导致光刻分辨率难以提高。能够有效改善酸迁移问题的一种方法是采用高分子光产酸剂，且其光产酸是高分子强酸。 课题组研制了一系列新颖的含多种鎓盐光产酸基团的苯乙烯衍生物及其与甲基丙烯酸酯的共聚物。它们在曝光过程中产生大分子的磺酸，因此可作为大分子光产酸剂与其它成膜材料一起组成化学增幅型光致抗蚀剂。 以之为产酸剂与其它部分保护的对羟基苯乙烯聚合物一起组成二组分的化学增幅型248-nm光刻胶， 制备了苯乙烯磺酸鎓盐和甲基丙烯酸酯、对羟基苯乙烯的三元共聚物，再用可酸分解的叔丁基碳酸酯保护部分酚羟基，由其组成了单组分的化学增幅型248-nm光刻胶，这些正型248-nm光刻胶获得了高感度（20-50mJ/cm2）、高分辨率(0.15-0.20微米)和留膜率（＞99%）及图形线条平滑陡直等的出色表现。  利用高分子产酸剂透明性好的特点，还制备了厚膜248-nm光刻胶，可获得线宽0.34微米、高-宽比可达5：1的光刻图形：  在此基础上，还制备了负型248-nm光刻胶，这些光刻胶也都获得了很好的光刻成像性能表现。这些高分子光产酸剂也可用于制备新型的高性能193-nm光刻胶。 这些248-nm光刻胶的主要组分除了溶剂外都是自行制备，原料易得，反应条件温和可控，去金属杂质的方法也是简便易行，成本相对低廉，在经过多年的深入研究之后，完全具备了产业化的条件。 半导体加工的关键设备、材料主要掌握在美、日手中，对我国电子工业的平稳发展带来困难和潜在的巨大威胁。其中光刻胶作为芯片光刻加工的关键材料，日本公司的产品占据全球市场的70%以上，而我国在中高端产品上（248-nm光刻胶、193-nm光刻胶）完全依赖进口，即便是低端的i-线光刻胶国产化率也只有20%左右。因此，我们必须尽快扭转这种不利的局面，这需要科研工作者和产业界共同努力以及政府的大力支持。     近年来光刻胶引起了社会的广泛关注，已有多家企业开始投身于248-nm光刻胶与193-nm光刻胶的研发与产业化，但绝大部分仍处于研发阶段。我们研制的光刻胶具备了产业化的技术条件并具有与国外先进光刻胶产品竞争的产品性能。    半导体加工用光刻胶种类较多，本课题组从2002年参与国家十五“863”光刻胶重大专项开始，至今近二十年来聚焦于光刻胶研究，在i-线胶、248-nm光刻胶、聚酰亚胺光刻胶、厚膜光刻胶及抗反射涂层材料等方面都取得了很好的结果，也在致力于这些光刻胶产品的产业化。 相关项目、专利及文章： 1.国家重大科技专项（02专项）子课题,课题编号:2010ZX02303（深紫外光刻胶专用光致产酸剂及新型成膜树脂的扩试技术研究） 2.国家自然科学基金应急管理项目，51641301, 含光产酸基团的苯乙烯衍生物-甲基丙烯酸酯共聚物及其组成的化学增幅光致抗蚀剂研究,2016/01-2016/12 3.One-component chemically amplified resist composed of polymeric sulfonium salt PAGs for high resolution patterning，European Polymer Journal，114（2019），11-18 4.A new type of sulfonium salt copolymers generating polymeric photoacid: Preparation, properties and application，Reactive and Functional Polymers，130（2018），118-125 5.含光产酸基团的苯乙烯衍生物-甲基丙烯酸酯共聚物、其制备及其应用，中国发明专利，专利号：9。

目前半导体光刻加工用的深紫外光刻胶都采用化学增幅体系，这种体系主要由含酸敏基团的成膜材料和光产酸剂组成，这种体系最大的问题是光产酸在后烘阶段会发生酸迁移，导致光刻分辨率难以提高。能够有效改善酸迁移问题的一种方法是采用高分子光产酸剂，且其光产酸是高分子强酸。 课题组研制了一系列新颖的含多种鎓盐光产酸基团的苯乙烯衍生物及其与甲基丙烯酸酯的共聚物。它们在曝光过程中产生大分子的磺酸，因此可作为大分子光产酸剂与其它成膜材料一起组成化学增幅型光致抗蚀剂。 以之为产酸剂与其它部分保护的对羟基苯乙烯聚合物一起组成二组分的化学增幅型248-nm光刻胶， 制备了苯乙烯磺酸鎓盐和甲基丙烯酸酯、对羟基苯乙烯的三元共聚物，再用可酸分解的叔丁基碳酸酯保护部分酚羟基，由其组成了单组分的化学增幅型248-nm光刻胶，这些正型248-nm光刻胶获得了高感度（20-50mJ/cm2）、高分辨率(0.15-0.20微米)和留膜率（＞99%）及图形线条平滑陡直等的出色表现。   利用高分子产酸剂透明性好的特点，还制备了厚膜248-nm光刻胶，可获得线宽0.34微米、高-宽比可达5：1的光刻图形：   在此基础上，还制备了负型248-nm光刻胶，这些光刻胶也都获得了很好的光刻成像性能表现。这些高分子光产酸剂也可用于制备新型的高性能193-nm光刻胶。 这些248-nm光刻胶的主要组分除了溶剂外都是自行制备，原料易得，反应条件温和可控，去金属杂质的方法也是简便易行，成本相对低廉，在经过多年的深入研究之后，完全具备了产业化的条件。 半导体加工的关键设备、材料主要掌握在美、日手中，对我国电子工业的平稳发展带来困难和潜在的巨大威胁。其中光刻胶作为芯片光刻加工的关键材料，日本公司的产品占据全球市场的70%以上，而我国在中高端产品上（248-nm光刻胶、193-nm光刻胶）完全依赖进口，即便是低端的i-线光刻胶国产化率也只有20%左右。因此，我们必须尽快扭转这种不利的局面，这需要科研工作者和产业界共同努力以及政府的大力支持。     近年来光刻胶引起了社会的广泛关注，已有多家企业开始投身于248-nm光刻胶与193-nm光刻胶的研发与产业化，但绝大部分仍处于研发阶段。我们研制的光刻胶具备了产业化的技术条件并具有与国外先进光刻胶产品竞争的产品性能。    半导体加工用光刻胶种类较多，本课题组从2002年参与国家十五“863”光刻胶重大专项开始，至今近二十年来聚焦于光刻胶研究，在i-线胶、248-nm光刻胶、聚酰亚胺光刻胶、厚膜光刻胶及抗反射涂层材料等方面都取得了很好的结果，也在致力于这些光刻胶产品的产业化。 相关项目、专利及文章： 1.国家重大科技专项（02专项）子课题,课题编号:2010ZX02303（深紫外光刻胶专用光致产酸剂及新型成膜树脂的扩试技术研究） 2.国家自然科学基金应急管理项目，51641301, 含光产酸基团的苯乙烯衍生物-甲基丙烯酸酯共聚物及其组成的化学增幅光致抗蚀剂研究,2016/01-2016/12 3.One-component chemically amplified resist composed of polymeric sulfonium salt PAGs for high resolution patterning，European Polymer Journal，114（2019），11-18 4.A new type of sulfonium salt copolymers generating polymeric photoacid: Preparation, properties and application，Reactive and Functional Polymers，130（2018），118-125 5.含光产酸基团的苯乙烯衍生物-甲基丙烯酸酯共聚物、其制备及其应用，中国发明专利，专利号：9。