产品详细介绍

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北京师范大学生物多样性大数据存储系统采购项目 招标项目的潜在投标人应在线上邮箱报名获取招标文件，并于2022年06月22日 09点00分（北京时间）前递交投标文件。

产品详细介绍   CS120电化学CS120  CS150电化学CS150  CS300电化学CS300  CS310电化学CS310  CS330电化学CS330  CS350电化学CS350 CS350电化学工作站/电化学测试系统 1、CS350电化学CS350硬件参数指标： 恒电位仪电位控制范围：±10V 电流控制范围：±2.0A 电位控制精度：0.1%×满量程读数±1mV 电流控制精度：0.1%×满量程读数 电位分辨率：10uV(>100Hz), 2uV(<10Hz) 电流分辨率：<10pA 电位上升时间：﹤1uS(<10mA), <10uS(<2A) 辅助数据采集24位@10KHz ,20bit@1KHz 参比电极输入阻抗：1012 欧姆||20pF 电流量程 2A～200nA, 共8档 槽压：21V CV 和LSV扫描速度：0.01～20000mV/s CA和CC脉冲宽度：0.0001～1000s 电位扫描时电位增量：0.1mV@1V/mS SWV频率：0.001～100KHz DPV和NPV脉冲宽度：0.0001～1000s AD数据采集：16位@1MHz，24bit @100Hz CV的最小电位增量：0.075mV 电位和电流测量低通滤波器 电流与电位量程：自动设置 2、CS350电化学CS350阻抗测量指标： 信号发生器 频率响应：10Hz~115KHz 交流信号幅值：0mV~2500mV 直流偏压：-10~+10V DDS输出阻抗：50欧姆 波形：正弦波，三角波，方波 正弦波失真：<1% 扫描方式：对数/线性，增加/下降 最大负载电容：1nF；最大负载电感：10uH 信号分析器 积分时间：最小值：10mS 或者一个循环的最长时间 最大值：106个循环或者105S 测量时间延迟：0~105秒 直流偏置补偿 电位自动补偿范围：-10V~+10V 电流补偿范围：-1A~+1A 带宽调整(Bandwidth)：自动或手动设置，共8级可调 CS350电化学CS350测量与控制软件主要功能 开路电位-时间曲线（OCPT） 恒电位法（计时电流法, CA） 恒电流法（计时电位法, CP） 多电位阶跃（VSTEP） 多电流阶跃（ISTEP） 动电位扫描（极化曲线） 线性极化（LPR） 钝化回扫曲线（按击穿电流回扫） 动电流扫描 任意恒电位方波 任意恒电流方波 恒电流仪 循环伏安法（CV） 阶梯伏安法（SCV） 差分脉冲伏安法（DPV） 常规脉冲伏安法（NPV） 方波伏安法（SWV） 交流伏安法（ACV） 溶出伏安法 常规差分脉冲伏安法（DNPV） 电化学阻抗 电化学噪声测量 电偶腐蚀测量 氢渗透监测 腐蚀速率计算 CS350电化学CS350主要特点 1）输出电流大，槽压高，可用于高阻（涂料）体系的电化学测量； 2）具有较强的腐蚀电化学测量分析能力； 3）交流阻抗测量具有频率扫描和时间扫描两种模式。 CS350电化学CS350仪器介绍 CS350电化学CS350（电化学测试系统）是集电化学分析方法和电化学测试方法于一体的电化学通用仪器，能完成循环伏安、阶梯伏安、脉冲伏安、溶出伏安等电化学分析方法；还可以完成恒电流（位）极化、动电位（流）扫描、任意恒电流（位）方波，多恒电流（位）阶跃、电化学噪声（电偶电流）、电化学阻抗（EIS）等电化学测试等功能，还可以进行线性扫描循环伏安（CV）、阶梯波循环伏安（SCV）、方波循环伏安（SWV）、 差分脉冲伏安（DPV）和常规脉冲伏安（NPV）以及差分常规脉冲伏安（DNPV）等电分析方法。测试系统控制与数据处理软件是基于Windows98/2000/XP操作系统的，用户界面遵守Windows软件的设计规则，容易安装和使用。系统软件为方便使用者提供了强大的功能，包括文件管理、全面的实验控制、灵活的图形显示、方便的图形放大和还原、多种数据处理功能、数据的存贮与打印等。系统软件具有良好的用户界面，命令行参数所用的电化学理论和方法都尽可能采用最为通用的电化学方面的术语，全中文菜单和界面，更方便地为教学和科研服务。 CorrTestTM电化学工作站拥有CS系列产品（CS120，CS150，CS300，CS330，CS350，CS360），可用于较大电流和较高槽压的电化学测量和应用，例如电池、电分析、腐蚀、电解、电镀等。仪器由数字信号发生器（DDS）和直接数据存储器（DMA）和恒电位仪/恒电流仪组成，电流/电位同步数据采集。仪器的电流输出范围为±2A，槽压为±21V。电压控制范围：±10V；电流控制范围：±2.0A；电流测量下限低于10pA。 CorrTestTM电化学工作站采用恒电流阶跃直接测量高阻体系介质电阻（如混凝土或涂层等介质电阻），可对溶液电阻进行实时或软件补偿；可对测试曲线进行数字平滑，能对极化曲线进行电化学参数解析，可计算极化电阻Rp值，Tafel斜率ba，bc值，交换电流密度icorr，腐蚀速率,还可计算统计噪声电阻Rn，并可将图形以矢量方式拷贝到Microsoft Word 97/2000文档中。CorrTestTM电化学工作站采用USB或RS232串行口与计算机通讯，设备安装简单，即插即用。 外形尺寸：36.5cm(宽)x30.5cm(深)x16cm(高) 仪器重量：6.5Kg CS350电化学CS350应用领域 1）研究电化学机理；物质的定性定量分析； 2）常规电化学测试，包括电合成、电镀和电池性能评价; 3）功能和能源材料的机理和制备研究； 4）缓蚀剂、水质稳定剂、涂层以及阴极保护效率快速评价以及氢渗测试等； 5）金属材料在导电性介质（包括水/混凝土等环境）中的腐蚀电化学测试。 CS350电化学CS350系统配置 每套工作站包括： 1) 仪器主机一台； 2) 白金电极、参比电极、工作电极及专用电解池各一支（套）； 3) 模拟电解池一个； 4) USB数据线一条； 5) 噪声测量专用电缆线一条； 6) CorrTestTM 测试与分析软件CD一张。   

研究团队利用能谷-赝自旋耦合原理，在绝缘层硅（SOI，silicon-on-insulator）上制备出能谷光子晶体平板。该拓扑光学结构具有~40nm的特征尺寸，其光子模式（因工作于光锥以下）能够较好地局域在平板内，抑制了平板外损耗。他们制备了直线形、Z形和Ω形等三种拓扑光学通道，测量出高透平顶透射光谱带，证实了近红外波段下拓扑保护的宽带抗散射传输。采用硅微盘技术产生相位涡旋源，无需低温和强磁等极端环境，实现了拓扑界面态的选择性激发，实现了亚微米量级耦合长度的宽带光子路由行为，验证了能谷-赝自旋耦合等拓扑光学原理。在硅基平台上证实拓扑光子学原理，是目前国际学术前沿的聚焦度较高的领域之一。研究团队过去在拓扑光子学原理方面的工作，多次引起国际同行关注，论文入选ESI高被引。该工作中，他们深入系统地发展出硅基拓扑光学等关键理论，攻克了数十纳米加工工艺等关键技术，率先在硅基光子平台与拓扑光子学之间建立了联系，突破了单一自由度调控的传统框架，提出了硅基中多自由度耦合的多维调控新机制，为微纳光学与光子学、光二极管等关键光子芯片器件、混合集成光子学、高保真光量子信息光学、非线性光学等领域，提供了新方法和新思路。

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