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高等教育领域数字化综合服务平台
太阳系八大行星天体模型
产品详细介绍 我公司研制成功内打灯光八大行星（九大行星），表面图文为印刷图文，图文精细，内打灯光可以真实模拟星球在太空中的真实状态。每个产品有一个安吊钩，可以吊挂在室内的屋顶天花板上面。是现代教师，幼儿园，小学，中学教室的必备产品。八大行星产品获得国家教育部教学仪器研究所和美国NASA专业认证。目前，八大行星产品已经开始装备学校天文体验馆，天文科技馆等。八大行星产品获得国家教育部教学仪器研究所和美国NASA专业认证。
深圳市普天文科技有限公司
2021-08-23
太阳模拟器/尺寸可定制//长春博盛量子
产品详细介绍
长春博盛量子科技有限公司
2021-08-23
第七届高等工程教育大会人工智能赋能高等工程教育分论坛在重庆成功举办
11月16日，由浙江大学主办，中国高等教育学会指导的第62届中国高等教育博览会“人工智能赋能高等工程教育”学术活动在重庆举办。
新工科在线
2024-11-20
专家报告荟萃㊱ | 武汉大学信息中心主任刘昕：持续夯实数字基座 高效赋能数智教育
2024年9月召开的全国教育大会强调，要深化国家教育数字化战略的实施，充分利用国家智慧教育公共服务平台，探索数字赋能大规模因材施教、创新性教学的有效途径，要注重运用人工智能助力教育变革。在这大背景下，武汉大学积极响应号召，以数字化转型为契机，全面推数智武大的建设，积极探索数字化和智能化技术在教育领域的应用，以期实现武汉大学的教育现代化。
中国高等教育博览会
2025-02-28
展区重磅预告① | 数字赋能教育变革，打造未来课堂！第63届高博会数字化、实训展区揭秘
在“融合·创新·引领：服务高等教育强国建设”的主题下，数字化&实训展区将聚焦教育数字化与产教融合，集结华为、海康威视、希沃、科大讯飞、宇树科技、优必选、天煌、亚龙等行业领军企业，展示智慧教育、虚拟实训、AI课堂等前沿技术，为高校教学改革与技能型人才培养提供全场景解决方案。
高等教育博览会
2025-05-15
【国际在线】以融合创新赋能教育强国建设 第63届高等教育博览会在长春启幕
5月23日，第63届高等教育博览会（以下简称“高博会”）在中铁·长春东北亚国际博览中心开幕。
国际在线
2025-05-23
电沉积低温烧结制备氧化物薄膜和微叠层技术
本技术可以获取各种单一氧化物和多元氧化物纳米薄膜，以及叠层氧化物纳米薄膜。可用于提高金属的抗腐蚀性能以及获得多种特殊功能，如铁电性能、磁性能、电致变色、化学催化、超导、光电转换等。 本技术可以获得Mg、Ca、Sr、Ba、Y、La、Ce、Yb、Ti、Zr、Hf、Ta、Cr、W、Mo、Mn、Fe、Co、Ni、Ir、Pd、Cu、Zn、Cd、Al、In、Si、Sn、Pb等元素的单一氧化物或它们的多元氧化物纳米薄膜，厚度<0.2um。氧化物薄膜质量优于溶胶凝胶法，厚度均匀，根据需要可以控制厚度膜。先后沉积不同的氧化物薄膜可以获得叠层氧化物纳米薄膜。制备过程简单，重现性好是本技术的优势。
北京科技大学
2021-04-11
一种激光溅射法制备CsPbBr3薄膜的方法
本发明阐述了一种激光溅射法制备CsPbBr3薄膜的方法。具体步骤为：先通过DMF、DMSO、环己醇、PbBr2、CsBr材料以溶液加热方法制备出足量的CsPbBr3单晶并压成靶材，再采用脉冲激光沉积薄膜制备技术：调整激光能量和基底温度，通过激光脉冲数控制薄膜厚度，真空沉积制备CsPbBr3薄膜。本发明利用脉冲激光沉积技术制备CsPbBr3薄膜，可实现均匀大面积薄膜的便捷制备，易于有效控制薄膜厚度并且节约材料，有利于该材料在太阳能电池的工业化生产与应用。
东南大学
2021-04-11
借助石墨烯实现Si(100)衬底上单晶GaN薄膜的外延生长
北京大学物理学院宽禁带半导体研究中心沈波和杨学林课题组与俞大鹏、刘开辉课题组合作，成功实现了Si(100)衬底上单晶GaN薄膜的外延生长，相关工作于2019年7月23日在Advanced Functional Materials上在线刊登 [doi.org/10.1002/adfm.201905056]。 GaN基宽禁带半导体具有带隙大、击穿电场高、饱和电子漂移速度大等优异，能够满足现代电子技术对高温、高频、高功率等性能的要求，对国家的高技术发展和国防建设具有重要意义。由于缺乏天然的GaN单晶衬底，GaN基半导体材料和器件主要在异质衬底上外延生长。因具有大尺寸、低成本及易于集成等优点，Si衬底上外延GaN成为近年来学术界和产业界高度关注的热点领域。 目前用于GaN外延生长的Si衬底主要是Si(111)衬底，其表面原子结构为三重排列，可为六方结构的GaN外延提供六重对称表面。然而，Si(100)衬底是Si集成电路技术的主流衬底，获得Si(100)衬底上GaN外延薄膜对于实现GaN器件和Si器件的集成至关重要。但Si(100)表面原子为四重对称，外延生长时无法有效匹配；同时Si(100)表面存在二聚重构体，导致GaN面内同时存在两种不同取向的晶畴。迄今国际上还未能实现标准Si(100)衬底上单晶GaN薄膜的外延生长。图 Si(100)衬底上单晶GaN薄膜的外延生长 沈波和杨学林课题组创造性地使用单晶石墨烯作为缓冲层，在Si(100)衬底上实现了单晶GaN薄膜的外延生长，并系统研究了石墨烯上GaN外延的成核机理和外延机制。该突破不仅为GaN器件与Si器件的集成奠定了科学基础，而且对当前国际上关注的非晶衬底上氮化物半导体外延生长和GaN基柔性器件研制具有重要的指导价值。
北京大学
2021-04-11
一种用于柔性薄膜卷绕工艺的双驱动精密胀轴
本发明公开了一种用于柔性薄膜卷绕工艺的双驱动精密胀轴， 包括支撑模块、传动模块、切换模块、动力模块和胀轴模块，其中传 动模块能够在仅使用单个驱动电机的情况下，将动力模块的动力传递 到胀轴模块，并通过切换模块使得同一个动力模块可以分别向胀轴的 两种运动提供动力；胀轴模块包括转动轴、外轴、芯轴、滑块端盖和 膨胀块等，其中转动轴和外轴彼此固定联接，芯轴安装在两者的内部， 并且膨胀块可以在外轴上的通槽中径向升降，从而对料卷执行张紧操 作。通过本发明，能够仅采用机械构造即可实现料卷的张紧功能，同 时具备张力均
华中科技大学
2021-01-12